【課題】ウェーハ全面において高精度に評価が可能な、Ｐ型シリコンウェーハ中の金属不純物濃度を評価する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｐ型シリコンウェーハの金属不純物濃度評価方法であって、
（Ａ）Ｐ型モニター用シリコンウェーハを用いてＦｅ以外のキャリア再結合中心密度とバルク金属不純物濃度との相関関係を決定するステップと、
（Ｂ）ＳＰＶ法により評価対象のＰ型シリコンウェーハのＦｅ以外のキャリア再結合中心密度を測定するステップと、
（Ｃ）前記ステップ（Ｂ）において測定したＦｅ以外のキャリア再結合中心密度と、前記ステップ（Ａ）において予め決定された相関関係とに基づき、前記評価対象のＰ型シリコンウェーハのバルク金属不純物濃度を算出するステップと
を有することを特徴とするＰ型シリコンウェーハの金属不純物濃度評価方法。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの研磨工程時間の増加を抑制しつつ、高平坦にウェーハを安定して研磨することを可能にし、歩留まりを向上できるインサート材及び両面研磨装置を提供することを目的とする。
【解決手段】研磨布が貼付された上下定盤の間にウェーハを挟んでその両面を研磨する両面研磨装置における、前記ウェーハを保持するためのキャリアの保持孔の楔状に形成された内周部に沿って配置され、前記保持孔の楔状に形成された内周部と嵌合する楔状外周部を有し、前記保持されるウェーハの周縁部と内周面で接する樹脂製のリング状のインサート材であって、前記楔状外周部の凸部に切り欠きが設けられたものであることを特徴とするインサート材。 （もっと読む）

【課題】面取り部の形状を再成形するとともに、裏面クラウンを完全に除去し、平坦性に優れた、パーティクルのほとんど無いエピタキシャルウェーハを製造することができる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】表裏の主面と該主面の外周の面取り部とからなるシリコン単結晶基板上にエピタキシャル層を成長させることによりエピタキシャルウェーハを製造する方法において、前記シリコン単結晶基板の前記裏面側の主面全面と前記裏面側の面取り部に裏面酸化膜を形成する工程と、該裏面酸化膜を形成したシリコン単結晶基板の表面側の主面上に、４０μｍ以上の膜厚のエピタキシャル層を成長させる工程と、該エピタキシャル層表面に保護酸化膜を形成する工程と、該保護酸化膜を形成したシリコン単結晶基板の面取り部を研削及び研磨する工程と、その後、前記保護酸化膜を除去して、仕上げの洗浄を行う工程とを含むエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】炭素がドープされたシリコン単結晶の育成時において、単結晶内に不純物が取り込まれてしまうことを抑止し、容易にかつ低コストで高品質の炭素ドープシリコン単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】少なくともシリコン原料融液を保持するためのルツボと、ルツボ内を加熱するための加熱手段とを有する単結晶製造装置を用いて、チョクラルスキー法によりルツボ内に固形炭素ドープ剤を入れて、炭素をドープしたシリコン単結晶を製造する方法において、少なくとも、固形炭素ドープ剤を加熱して純化させるための加熱処理工程と、ルツボ内でシリコン原料を溶融して原料融液とするとともに、ルツボ内に加熱処理された固形炭素ドープ剤を入れて溶融する原料溶融工程と、原料融液から炭素ドープさせたシリコン単結晶を引上げ、育成する引上げ工程とを含むことを特徴とする炭素ドープシリコン単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】スリップ転位の発生と裏面のナノトポの悪化を抑制しつつ、剥離面を十分に平坦化できる貼り合わせウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】イオン注入剥離法において、剥離工程後、前記薄膜を有する貼り合わせウェーハに、水素を含む雰囲気下で急速加熱・急速冷却装置を用いて１１３０〜１１５０℃の温度で熱処理を行った後、不活性ガス、水素ガス、あるいはこれらの混合ガス雰囲気下でバッチ式炉を用いて１１６０〜１１７０℃の温度で熱処理を行う貼り合わせウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、簡単な方法で部分的に厚さの異なる絶縁膜とすることができる貼り合わせ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁膜を介してベース基板とボンド基板を貼り合わせて貼り合わせ基板を製造する方法であって、少なくとも、前記ベース基板の貼り合わせ面に部分的に又は厚さが部分的に異なる多孔質層を形成する多孔質層形成工程と、前記多孔質層を前記絶縁膜に変化させることで、前記ベース基板の貼り合わせ面に部分的に厚さの異なる前記絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、該絶縁膜を介して前記ベース基板と前記ボンド基板を貼り合わせる貼り合わせ工程と、貼り合わせられた前記ボンド基板を薄膜化して薄膜層を形成する薄膜化工程とを有することを特徴とする貼り合わせ基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 不慮の事故等でルツボ内の原料融液がルツボ外に流出し、ペデスタルに沿って流れ落ちた場合であっても、ペデスタル下方の金属部に融液が達するのを確実に防ぎ、装置の損傷や事故の発生を未然に抑制できる単結晶製造装置及び単結晶製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 原料融液を保持するためのルツボと、該ルツボを支持し、昇降可能であるペデスタルと、該ペデスタルを介して前記ルツボを回転させるためのルツボ回転軸と、前記ルツボの下方に配置され、前記ペデスタルを囲繞するようにセンタースリーブが設けられた湯漏れ受けを具備するＣＺ法による単結晶製造装置であって、前記ペデスタルの外周部に、前記ルツボから漏れ出した前記原料融液が滴り落ちることを抑止するための溝が２以上設けられたものであることを特徴とする単結晶製造装置。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、クロストークを防ぐことができ、絶縁膜とベース基板の間の界面準位密度（Ｄｉｔ）が高く、優れたＲＦ特性を有する貼り合わせ基板を提供し、また、簡便でかつ貼り合わせ面の欠陥を抑制することができる方法により、前記優れたＲＦ特性を有する貼り合わせ基板を製造することができる貼り合わせ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 ベース基板上に絶縁膜と、該絶縁膜上に薄膜層とを有する貼り合わせ基板であって、少なくとも、前記ベース基板は抵抗率が１００Ω・ｃｍ以上であり、前記ベース基板と前記絶縁膜との間に多孔質層を有するものであることを特徴とする貼り合わせ基板。 （もっと読む）

【課題】厚いＧａＮ膜を成長中に剥離して、高品質のＧａＮ自立基板を歩留まり良く製造することができる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ＧａＮ自立基板を製造する方法であって、サファイア基板上にＺｎＯ膜を形成する工程と、８５０℃以下の温度で前記ＺｎＯ膜上にＧａＮ膜を剥離しないように形成する低温成長工程と、その後、昇温して９５０℃以上の温度で、ＧａＮ膜を追加形成するとともに該ＧａＮ膜を基板から剥離させて、ＧａＮ自立基板を得る高温成長工程とを含むことを特徴とするＧａＮ自立基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】大口径に対応可能なＣＺ法で製造したＶ領域のウェーハを用いて、バルク中の欠陥を無欠陥とし、さらに中性子照射を行わなくても、中性子照射を行った場合と同程度の面内抵抗率分布とすることにより、ＩＧＢＴ向けに適用可能な低コストのシリコン単結晶ウェーハを製造する方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により育成されたＶ領域のシリコン単結晶インゴットから得られた酸素濃度７ｐｐｍａ未満、窒素濃度１×１０^１３〜１×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３のシリコン単結晶ウェーハに対して、非窒化性雰囲気下、１１５０〜１３００℃で、１〜１２０分の熱処理を行うことにより、バルク中の１５ｎｍ以上の結晶欠陥の密度が２×１０６／ｃｍ３以下となる。 （もっと読む）