【課題】 ＢＳＦ効果とパッシベーション効果を簡単な構造で実現可能な太陽電池素子を提供する。
【解決手段】 半導体基板１の裏面側全体をＢＳＦ層２で覆い、このＢＳＦ層２の裏面側一部のみと第一裏面電極４とを接触させ、これらの接触部分４ａを除いた裏面側大部分をパッシベーション膜３で覆うことにより、半導体基板１の裏面側大部分における表面再結合損失が低減して太陽電池の性能が向上し、更にパッシベーション膜の裏面側を、上記第一裏面電極４よりも低抵抗な第二裏面電極５で覆うと共に、これら第一裏面電極４と第二裏面電極５とを接触させることにより、第一裏面電極４に比べ低抵抗な第二裏面電極５で抵抗による電力損失が低減され、しかも表面から裏面に到達した長波長の光が第二裏面電極５で半導体基板１の内部に反射して発電効果が向上する。
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【課題】 金属汚染による分析結果への悪影響を阻止する。
【解決手段】 ラッピング加工を砥石２で平面研削することにより、スライス加工でスライスウエハ１の表面１ａに発生したマイクロクラックや加工歪み１ｂに遊離砥粒が入り込むことがなく、拡散前のラッピング加工による金属残存が大幅に低減され、分析前加工の影響が排除される。
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【課題】 ドレスプレート外周縁のみの摩耗発生と、このドレスプレートから研磨クロスへの摩耗転写による最外周部の段差発生を防止する。
【解決手段】 ドレスプレート３の回転軌跡を、少なくともその接触外周部３ｃが研磨クロス２の外周端よりも径方向外側に突出するように配置することにより、ドレスプレート３の接触外周部３ｃが研磨クロス２の最外周部２ａを越えて研磨定盤１の径方向外側へ突出しながら回転移動するため、該ドレスプレート３の押圧で研磨クロス２が撓み変形しても、その最外周部を含め研磨クロス２全体が均一にドレッシングされ、ドレスプレート３の外周縁だけでなく接触面全体が均一に摩耗して、外周縁のみが丸くならない。
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【課題】 ｐ^＋型拡散層とｎ^＋型拡散層を接触させずに細かく配置する。
【解決手段】 半導体基板１の裏面１ａに、ｐ^＋型拡散層２とｎ^＋型拡散層３を互いに接近させて同時に形成し、この半導体基板１の裏面１ａからｐ^＋型拡散層２及びｎ^＋型拡散層３の外側端部同士が接触する境界部分へ向け凹溝１ｂを形成して、これらｐ^＋型拡散層２及びｎ^＋型拡散層３の外側端部同士を分離させることにより、この凹溝１ｂを挟んでｐ^＋型拡散層２とｎ^＋型拡散層３が互いに接近して配置される。
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【課題】 横型拡散炉を用いて半導体基板に拡散物質を拡散する熱処理を行う場合に、半導体基板に拡散したドーパントの分布の面内におけるばらつきが抑えられた半導体基板を安定して製造するための半導体基板の熱処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 横型拡散炉を用いて、半導体基板中に該半導体基板内でドーパントとなる拡散物質を拡散させる半導体基板の処理方法において、少なくとも、半導体基板の表面に、少なくとも前記拡散物質とシリカとを含む拡散剤を塗布する工程と、前記拡散剤が塗布された複数の半導体基板を拡散用ボートに載置する工程と、該複数の半導体基板が載置された拡散用ボートを、毎分５００ｍｍ以上の速度で前記横型拡散炉内に投入する工程と、該横型拡散炉内で前記複数の半導体基板を一度に熱処理して前記拡散物質を前記半導体基板中に拡散させる工程とを有する半導体基板の処理方法。 （もっと読む）

【課題】 研削工具の入り側と抜き側において同じ条件で切断すると共にクーラントや切り屑などが周囲に飛散するのを防止する。
【解決手段】 クーラント２の貯留部２ａ内に、少なくとも研削工具１ａと被削材Ｂとが接触する切断部Ｂ１を配置し、この切断部Ｂ１をクーラント２中に浸漬しながら研削工具１ａを移動させて被削材Ｂを切断加工することにより、研削工具１ａの移動方向に関係なく、切断部Ｂ１の全体がクーラント２で満たされたまま切断が行われ、凹溝状の切断部Ｂ１が新に形成される度にクーラント２が入り込む。
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【課題】 切断された加工物の厚さ寸法のバラツキを解消して平坦度の高い加工物を切り出す。
【解決手段】 被削材２の切始め端面２ａに所定厚さ寸法のガイド板３を仮固定し、このガイド板３に複数の研削工具１ａを圧接させて、該ガイド板３をその厚さ方向へ切断開始すると共に、これに連続して同方向へ被削材２を切断することにより、ガイド板３の切り始めは、研削工具１ａが滑って夫々のピッチが位置ズレするものの、ガイド板３を切り込んでいくうちに、研削工具１ａのピッチが本来の配置間隔へ徐々に戻って、被削材２の切始め端面２ａに至る頃には、研削工具１ａのピッチが本来の配置間隔のまま安定して切断する。
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【課題】 表面欠陥の検出率を向上させる。
【解決手段】 被検体Ｂの表面Ｂ１に対してその周囲の異なる複数方向から検査光Ｘを斜めに照射して反射させ、これら反射光Ｙの映像情報を集めて表面欠陥の有無を検出することにより、一方向の検査光Ｘのみでは乱反射として検出されなかった表面欠陥が、異なる複数方向からの検査光で乱反射して検出される可能性がある。
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【課題】 一台のカメラでウエハ周縁部の全面を観察可能にする。
【解決手段】 発光部１に、ウエハＷの周端縁Ｗ１を包み込む断面形状で且つウエハＷの面方向に沿って直線状に連続する幅を持たせることで凹状発光面１ａを形成し、この凹状発光面１ａをウエハ周端縁Ｗ１の厚さ方向へ対向するように接近させて配置すると共に、該発光部１の幅方向の延長線上にカメラ２を配置することにより、この面状発光部１のあらゆる方向から照射した検査光Ｌがウエハ周端縁Ｗ１の異なる部位に当たって、各部位毎に夫々異なる方向へ正反射し、これら正反射光Ｒのうち発光部１の幅方向へ正反射した光の一部は正反射位置とカメラ２の相対角度がウエハ周端縁Ｗ１の厚さ方向及び円周方向へ変化しても画像となる。
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【課題】 一回の熱処理のみで選択的に不純物拡散領域を作る。
【解決手段】 半導体基板１の表面１ａの所定位置に加工歪１ｂを部分的に形成し、この加工歪１ｂを含む表面１ａの略全体にアルミニウムからかるドーパント２を塗布し、このドーパント２を酸化雰囲気で熱処理することにより、上記加工歪１ｂ及びその周辺には、アルミニウムが熱拡散して不純物拡散領域３を選択的に形成するが、この加工歪１ａを除く平坦な表面１ａでは、アルミニウムが酸化して半導体基板１の内部へ拡散するよりも外部へ出易いため、不純物拡散領域が形成されない。
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