【課題】太陽電池の生産性を向上のため一度に熱処理を施す基板の枚数を増やしても、拡散層の形成された基板におけるシート抵抗の値のバラツキを抑制でき、太陽電池製造の歩留りを向上させることができる基板の拡散層形成方法を提供する。
【解決手段】複数の半導体基板１を横型ボート２に立て、少なくとも１個の横型ボート１を横型の熱処理炉３内に配置し、不純物を熱拡散させて基板に拡散層を形成し、基板にｐｎ接合を形成する基板の拡散層形成方法において、熱処理炉内に横型ボートを配置する際、基板と横型ボートの保持下端面との接触位置の高さが、順次熱処理炉の長手方向に傾斜変化するように横型ボートを配置することを特徴とする基板の拡散層形成方法。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ周端縁の三面を一台のカメラで同時に画像検査する。
【解決手段】 ウエハ周端縁の外周端面Ｗ１及び面取り部Ｗ２，Ｗ３から一台のカメラ１へ向けて、三つの屈曲する光路３ａ，３ｂ，３ｃを有する光学系３を設け、これら光路３ａ，３ｂ，３ｃで導かれる反射光を上記一台のカメラ１で撮像して、上記外周端面Ｗ１及び面取り部Ｗ２，Ｗ３の３面を同時に映像化することにより、これら外周端面Ｗ１と面取り部Ｗ２，Ｗ３及びその境界Ｗ５，Ｗ６に生じた表面欠陥が同時に検出可能となる。
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【課題】異種の不純物による混合拡散を抑制すると共に、熱拡散時に積層された半導体ウエハを熱処理後に容易に分離できる方法の提供。
【解決手段】ウエハ積層体Ｓの介在に用いられる粉体層３に酸化アルミニウムを使用し、この酸化アルミニウムの介在量をコントロールして、該ウエハ積層体Ｓ内の隣接するウエハＷの対向面同士を接近させることにより、加熱処理に伴い第１不純物源層１及び第２不純物源層２に含まれる各不純物のドープ量が高くても、該酸化アルミニウムの粒子に沿って移動し該粉体層３の側面から外部空気に外方拡散する不純物の量が抑制されると共に、その余分な不純物を酸化アルミニウムが吸い取るため、各粉体層３の側面から外方拡散する不純物の量が抑制され、また粉体層３の酸化アルミニウムは加熱によりシリコンの溶融温度近くまで上昇しても相互に溶融結合しないため、加熱後に隣接するウエハＷの対向面同士が溶着せず容易に剥離可能となる。 （もっと読む）

【課題】 ウエハの配置角度に関係なく粉体の塗布面を重力に阻害されずに維持する。
【解決手段】 粉体３に静電気を帯びさせて各ウエハＷに付着し塗布することにより、粉体が静電気力でウエハＷの表面全体に亘って略均一な密度及び厚さで塗布され、各ウエハＷを傾斜させたり略垂直状に立てても、粉体からなる塗布面が落下せず各ウエハＷ間に保持される。
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【課題】 均一性に優れた微細なピラミッド状凹凸部を容易に安定して再現するエッチング液を提供する。
【解決手段】 アルカリ金属水酸化物溶液をベースに脂肪族ポリアルコールを添加することにより、シリコン表面に均一で微細なピラミッド状凹凸部を安定して得られる。
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【課題】 スパイクの発生を抑える。
【解決手段】 半導体基板１のシリコンに対して、予めアルミニウム−シリコン合金が添加された導電性ペースト３を使用することにより、熱処理で新たにアルミニウムとシリコンとの共融混合物が作られ難くなって、電極４下に局所的に深い浸透部分が形成されない。
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【課題】 研削部の加工歪みや重金属を取り除く。
【解決手段】 未接合部３の除去後に、熱処理時にキャリアガスによって形成された酸化膜４を半導体ウエーハ１，２の表裏両面１ｂ，２ｂに残したまま、研削加工による研削部５をエッチング液６でエッチング処理することにより、半導体ウエーハ１，２表裏の酸化膜４が保護膜として機能し、半導体ウエーハ１，２の表裏両面がエッチングされず、研削部５のみが所定量エッチングされる。
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【課題】コーティング後における保持部の後付けでキャリアの完成度を向上させる。
【解決手段】キャリアの母体１の表面を、該キャリア母体１の表面よりも硬い被覆膜２でコーティングし、このコーティングされた保持孔３の内周に沿って、被加工物Ｂの端部Ｂ１を保護するための保持部４を、その表裏両面がキャリア母体１の被覆膜２表面と略面一状になるように設けることにより、保持部４の表裏両面に被覆膜２でコーティングされず、それに伴う凹凸も発生しない。 （もっと読む）

【課題】 ガス流による熱処理を均一化させる。
【解決手段】 反応ガスＧの供給方向とウエハＷとの位置関係を熱処理途中で逆向きに換えることにより、炉芯管１に沿って並べられた各ウエハＷに対する反応ガスＧの接触量が略同じになる。
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【課題】 ＢＳＦ効果とパッシベーション効果を簡単な構造で実現可能な太陽電池素子を提供する。
【解決手段】 半導体基板１の裏面側全体をＢＳＦ層２で覆い、このＢＳＦ層２の裏面側一部のみと第一裏面電極４とを接触させ、これらの接触部分４ａを除いた裏面側大部分をパッシベーション膜３で覆うことにより、半導体基板１の裏面側大部分における表面再結合損失が低減して太陽電池の性能が向上し、更にパッシベーション膜の裏面側を、上記第一裏面電極４よりも低抵抗な第二裏面電極５で覆うと共に、これら第一裏面電極４と第二裏面電極５とを接触させることにより、第一裏面電極４に比べ低抵抗な第二裏面電極５で抵抗による電力損失が低減され、しかも表面から裏面に到達した長波長の光が第二裏面電極５で半導体基板１の内部に反射して発電効果が向上する。
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