説明

直江津電子工業株式会社により出願された特許

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【課題】半導体ウェーハの研削工程時の研削条件の調整を、非熟練作業員でも簡便かつ確実に行うことができる半導体ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハの製造方法であって、少なくとも、原料ウェーハを研削する研削工程を有し、該研削工程により研削されたウェーハ面のナノトポグラフィを測定し、このウェーハ面の複数の直径または半径上のナノトポグラフィ測定値を平均して平均値成分を求め、前記平均する前のナノトポグラフィ測定値から前記平均値成分を差し引いて残差成分を求め、前記平均値成分および残差成分に基づいて前記研削工程の研削条件を調整することを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。 (もっと読む)


【課題】4インチ以上の大型ウェーハに半導体デバイスの抵抗値のばらつきがなく、リンを高濃度に拡散させることができるリン拡散用塗布液を提供する。
【解決手段】(A)リン化合物、(B)水溶性高分子化合物、および(C)水を含み、20℃での粘度が500〜100000mPa・sであることを特徴とするリン拡散用塗布液。 (もっと読む)


【課題】4インチ以上の大型ウェーハに半導体デバイスの抵抗値のばらつきなく、高濃度にホウ素を拡散させることができるホウ素拡散用塗布液を提供する。
【解決手段】(A)ホウ素化合物、(B)水溶性高分子化合物、(C)水を含み、20℃での粘度が500〜100000mPa・sであることを特徴とするホウ素拡散用塗布液。 (もっと読む)


【課題】オーミックコンタクトを得ながら、受光面の電極以外の部分での表面再結合およびエミッタ内の再結合を抑制することにより、光電変換効率を向上させた太陽電池を、簡便かつ容易な方法により安価に製造することができる太陽電池の製造方法及び太陽電池、並びに半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第1導電型の半導体基板にpn接合を形成して太陽電池を製造する方法であって、少なくとも、前記第1導電型の半導体基板上にドーパントとドーパント飛散防止剤とを含む第1塗布剤と少なくとも第1塗布剤に接するようにドーパントを含む第2塗布剤とを塗布した後、拡散熱処理により、第1塗布剤の塗布により形成される第1拡散層と、第2塗布剤の塗布により形成され、第1拡散層より導電率が低い第2拡散層とを同時に形成することを特徴とする太陽電池の製造方法及び太陽電池、並びに半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】半導体ウエーハを製造する際、両面研磨工程で生じる面取り部のキズ等を除去するとともに、面取り部の研磨における主面外周部の過研磨の発生を抑制し、面取り部付近でも高い平坦度を有する半導体ウエーハの製造方法及び半導体ウエーハを提供する。
【解決手段】半導体ウエーハを製造する方法であって、少なくとも、両面研磨工程と面取り部研磨工程とを含み、第1の面取り部研磨工程として、少なくとも研磨布に対して前記ウエーハの面取り部における各主面側の面取り面を接触させて面取り部の研磨を行い、その後両面研磨を行った後、第2の面取り部研磨工程として、少なくとも研磨布に対して前記ウエーハの面取り部の端面を接触させ、かつ、該ウエーハの両主面を研磨布に接触させないようにして面取り部の研磨を行うことを特徴とする半導体ウエーハの製造方法。 (もっと読む)


【課題】 ウエハ間の空隙が非常に狭くてもウエハの脱落や損傷を発生させることなく効率的に洗浄可能にする。
【解決手段】 板状の保持具Hが接着したブロック状のウエハW′を空気中に保持し、このブロック状ウエハW′の側方からウエハW間の空隙Gへ向けて洗浄液を噴出させることにより、液中に比べ抵抗が少なく洗浄液の流速を大きくすることが可能で、ブロック状態でもウエハW間の空隙Gに洗浄液がスムーズに流れ込み、部分的に密着したウエハW間にも流れ込む。
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【課題】低比抵抗のシリコン半導体基板の接合時におけるボイドの発生率を低減させる。
【解決手段】互いに重ね合せる第一シリコン半導体基板1及び第二シリコン半導体基板2のうち、少なくとも一方の厚さを 250μm 以下に薄くすることにより、該半導体基板がしなやかになって、他方の半導体基板と重ね合せる時に両面が貼り付き易くなり、それらの密着性が高まって結合強度が増大すると共に、固着熱処理中に水分や有機物などがガス化しても、これら両半導体基板間の密着性が高いために接合界面の結合力が勝り、発生したガスはシリコン中に拡散され、最終的にボイドは消滅される。 (もっと読む)


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