【課題】高精度でメタルゲート電極の仕事関数を制御することができる、メタルゲート電極を用いたＭＯＳ型の半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体基板１０と、半導体基板１０の主面に絶縁膜１６を介して形成されたメタルゲート電極２５と、主面にメタルゲート電極を挟んでそれぞれ形成されたソース電極３３およびドレイン電極３４とを有するＭＯＳ型の半導体装置において、メタルゲート電極２５は、金属窒化物膜１７とその金属窒化物の金属と同じ金属からなる金属膜１８との２層構造を形成した後に金属窒化物膜１７の窒素を金属膜に固相拡散させることにより形成される。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ素子から射出する加熱用の光の波長を最適化することによって、半導体ウエハ等の被処理体の表面のみを浅く、且つ膜種に関係なく均一な温度分布の状態で高速昇温及び高速降温させることが可能な加熱装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗを加熱するための加熱装置６２において、前記被処理体に向けて波長が３６０〜５２０ｎｍの範囲内の加熱用の光を射出するＬＥＤ素子７４を含む複数の加熱光源を有する。これにより、半導体ウエハ等の被処理体の表面のみを浅く、且つ膜種に関係なく均一な温度分布の状態で高速昇温及び高速降温させる。 （もっと読む）

【課題】ウェハと補強用基板を平行に貼り合わせる。
【解決手段】処理容器１０内には、下部チャック１１と、上部チャック１２が互いに対向するように設けられる。下部チャック１１には、ヒータ２１と冷媒流路２３が設けられる。下部チャック１１は、シリンダ３３により上下動できる。下部チャック１１の保持面１１ａには、スペーサ８０が設けられる。貼り合せ処理の際には、下部チャック１１に補強用基板Ｓが保持され、上部チャック１２にウェハＷが保持され、その後補強用基板Ｓ上の液晶ワックスが、ヒータ２１により溶融される。下部チャック１１が上昇され、補強用基板ＳとウェハＷとが貼り合せられる。この際スペーサ８０により、上部チャック１２と下部チャック１１の隙間が一定に維持され、ウェハＷと補強用基板Ｓが平行に貼り合せられる。 （もっと読む）

【課題】薬液弁を流路ブロックに取り付けた薬液供給ユニットを実現するために使用される流路ブロックを提供すること。
【解決手段】本発明の流路ブロックは、直方体の一面に２つのポート３６が形成され、２つのポート３６を連通する曲線状の連通路３７を有する。例えば、２つのポート３６及び連通路３７が、一体成形されたチューブ形状のチューブ部材３０であって、直方形のブロック部材２０に装着されて曲線状の連通路３７を形成する。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生を抑制するとともに、生産性を向上させることができる薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置１の制御部１００は、半導体ウエハＷにジクロロシランとアンモニアとを含む成膜用ガスを供給して薄膜を形成する成膜処理を複数回実行する。そして、制御部１００は、成膜処理により半導体ウエハＷに形成されるシリコン窒化膜の累積膜厚が０．７μｍを超える工程を実行する前に、反応管２内にクリーニングガスを供給して、熱処理装置１の内部を洗浄する洗浄処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜等の塗布膜を被処理基板の凹凸面に追従して均一な状態に成膜することができる塗布膜の成膜方法及びその装置を提供すること。
【解決手段】表面に凹凸を有する被処理基板である半導体ウエハＷに対して塗布液を供給し、ウエハの表面に塗布膜を成膜する成膜装置において、ウエハを外気から遮断して収容する処理室１２と、処理室内に溶剤ガスを供給する溶剤ガス供給手段１と、処理室内に配設されて、ウエハを表面が下向きになるように回転可能に保持するチャック２０と、処理室内に配設されて、ウエハの表面に向けて塗布液３９を帯電した粒子としてミスト状に供給する塗布液供給手段３０と、ウエハに上記粒子と反対の電位を付与する手段３５とを有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】ハードマスク膜に対するエッチング選択性が高く、ポリマーの付着やサイドエッチングを抑制可能で、かつポーラスＬｏｗ−ｋ膜へのダメージや表面荒れが抑制されたプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置の処理室内で、被エッチング膜１０２と、該被エッチング膜１０２より上層に形成されたポーラスＬｏｗ−ｋ１０４膜とを有する被処理体を、炭素とフッ素とから構成され、炭素数が２以下のフルオロカーボン化合物と、ＣＯ_２とを含み、炭素とフッ素と水素とから構成されるハイドロフルオロカーボン化合物を含まない処理ガスを用いてプラズマエッチング処理する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ等を載置する載置台に、クリーニングガスに対して耐腐食性の大きな耐腐食性材料を用いることによって、クリーニング処理時の装置の不稼働時間を最小限にしてスループットを向上させる載置台構造を提供する。
【解決手段】処理容器４内にてハロゲン系の成膜ガスを用いて被処理体Ｗに対して所定のプロセス温度にて成膜処理を施すために被処理体を載置する載置台３４と、載置台を処理容器の底部より起立させて支持する支柱３２とを有する載置台構造において、載置台内に通電により熱を発生するカーボンワイヤヒータ４０を収容すると共に、載置台自体又は載置台の表面を、載置台に堆積した不要な薄膜を除去するクリーニングガスに対して耐腐食性の大きい耐腐食性材料により形成する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の周縁部に付着する塗布液の除去を確実にすると共に、処理時間の短縮が図れ、かつ、塗布液の被処理基板への再付着の防止を図れるようにした基板処理方法及びその装置を提供すること。
【解決手段】スピンチャック１０によって回転保持される半導体ウエハＷの表面にレジスト塗布ノズル２０からレジストを滴下してレジストを塗布し、ウエハに塗布されたレジストが乾燥する前に、ベベル洗浄ノズル３０からウエハＷの周縁部におけるベベル部４の近傍に洗浄液を供給してベベル部に付着するレジストを除去し、その後、ウエハ表面のレジスト膜を乾燥する。 （もっと読む）

【課題】化学機械研磨のような高負荷プロセスを経ることなく、均一かつ高精度な塗布膜の平坦化を図れるようにした塗布膜の成膜方法及びその装置を提供すること。
【解決手段】表面に凹凸を有する被処理基板である半導体ウエハＷに対して塗布液を供給し、ウエハの表面に塗布膜を成膜する成膜方法において、塗布液の塗布膜Ｔが形成されたウエハＷを、溶剤ガス雰囲気下におくと共に、溶剤ガス雰囲気を吸引し、塗布膜の溶媒濃度と補充用の選択塗布液の濃度が一致した後に、ウエハＷと選択塗布液供給用ノズル１０を相対的に平行移動し、予め記憶されたウエハＷにおける塗布液の補充が必要な凹部にノズル１０から選択塗布液を供給する。 （もっと読む）