【目的】 従来に較べてさらに高い選択比を得ることができ、シリコン層に損傷を与えることなく、目的とする薄膜のエッチングを行うことのできるエッチング方法を提供する。
【構成】 排気機構１５で真空排気を実施することにより、処理チャンバ２内を所定の真空度に保持しつつ、上部電極３の多数の細孔から半導体ウエハ５に向けて、Ａｒ供給源７、ＣＨＦ₃ 供給源８、ＣＦ₄ 供給源９、ＣＯ供給源１０ａ、１０ｂからのガスを供給し、これとともに、高周波電源１３から電力を供給してエッチング処理を行う。 （もっと読む）

［目的］処理ガスを均一な濃度および均一な流れで被処理体へ吹き付けて、均一に成膜する。
［構成］ガス室２４の内側には、垂直方向に所定の間隔をおいて３つの仕切り板３２，３４，３６が配設され、ほぼ同一の流路面積を有する３段のガス流制御室４４，４６，４８が画成される。ガス供給管２８，３０よりガス導入室２６内に導入されたＷＦ6,Ｎ2 ガスおよびＨ2 ガスは、いっしょに最上段のガス流制御室４４へ導かれここで均一に混合される。混合処理ガス（ＷＦ6,Ｎ2 ，Ｈ2 ）は、中段のガス流制御室４６に入り、この室４６の底の第２の仕切り板３４によって半径方向に均一な濃度および均一な流れのガス流に整流され、次に下段のガス流制御室４８を比較的早い流速で通り抜けて、第３の仕切り板３６の各通気孔３６ａよりきめ細かなガス流として半導体ウエハ１２へ吹きつけられる。 （もっと読む）

【目的】カップに付着した塗布液を、少量の洗浄液で均一にかつ短時間で効率よく洗浄除去でき、しかも装置の構造を簡素化する。
【構成】洗浄液供給ノズル４０から導入口３３を通じて洗浄治具３０内に洗浄液Ｌを供給すると共に、スピンチャック２０により洗浄治具３０を回転する。この回転による遠心力により洗浄液Ｌは貯留部３５に集まり、貯留部３５に形成された吐出孔３６より外カップ２３及び内カップ２４に向けて噴射する。 （もっと読む）

【目的】 被処理基板に衝撃を与えたり、気泡を発生させること無く、短時間で迅速に所定の処理液を被処理基板に塗布することができ、少量の液体で効率良く良好な処理を実施することのできる処理液塗布方法を提供する。
【構成】 スピンチャック２上部に設けられた半導体ウエハ１に、近接対向する如く液体供給ノズル３を配置する。液体供給ノズル３は、矩形容器状の液体収容部４と、この液体収容部４の底部に設けられた多数の細孔６とを具備している。そして、現像液供給配管９から所定圧力で液体収容部４内に所定の現像液を供給し、多数の細孔６から滲み出させるようにして現像液を半導体ウエハ１に供給するとともに、スピンチャック２によって半導体ウエハ１を１／２回転回転させ、液体供給ノズル３によって現像液を押し広げるようにして塗布を行う。 （もっと読む）