【課題】 ＨＩＧＨ−Ｋ誘電材料をエッチングする方法とシステム。
【解決手段】 プラズマを使用した、第１のプロセスと、第２のプロセスとの間での基板を加熱する方法は、記載されている。この加熱方法は、熱伝達ガスの裏面供給を取りやめ、クランプ力を取り除くこととによって基板ホルダ上の基板を熱的にアイソレートすることを具備する。さらにまた、希ガスのような不活性ガスは、プラズマ処理システムに導入され、プラズマは、点火される。基板は、第１の温度（すなわち、一般的に１００℃未満）から第２の温度（すなわち、一般的に４００℃オーダー）まで基板の温度を上昇させるのに十分な期間、不活性プラズマにさらされる。 （もっと読む）

【課題】占有スペースやコストを大幅に削減することができ、しかもスループットを向上させることが可能な被処理体の処理システムを提供する。
【解決手段】第１の大気圧搬送室４と、第１の大気圧搬送室内に設けられた第１の搬送機構２０と、第１の大気圧搬送室にロードロック室を介して直交するように設けた第１の真空搬送室６と、第１の真空搬送室内に設けた第２の搬送機構３６と、第１の大気圧搬送室に接続した大気圧バッファ搬送室８と、大気圧バッファ搬送室内に設けたバッファ用搬送機構４４と、大気圧バッファ搬室に直列に接続した第２の大気圧搬送室１０と、第２の大気圧搬送室内に設けた第３の搬送機構５４と、第１の真空搬送室に接続した真空処理室１２Ａ〜１２Ｃと、第２の大気圧搬送室にロードロック室を介して接続した真空処理室１２Ｄ、１２Ｅとを備えて処理システムを形成する。 （もっと読む）

【課題】 プロセスシステムヘルスインデックスとこれを使用する方法。
【解決手段】 半導体製造過程の間、基板を処理する処理システムをモニタする方法は、記載された。この方法は、複数の観測に対して処理システムからデータを取得することを具備する。それは、前記データから主成分分析（ＰＣＡ）モデルを構成することを更に備えおり、そこにおいて、重み因子は、取得されたデータの前記データ変数の少なくとも１つに適用される。ＰＣＡモードは、追加データの取得に関し利用され、少なくとも１つの統計量は、各々の追加の観測に対して決定される。処理システムに対してコントロールリミットを設定すると、少なくとも１つの統計量は、各々の追加の観測に対してコントロールリミットと比較され、コントロールリミットを上回るときに、処理システムのための不良は検出される。 （もっと読む）

【課題】 処理部材のためのバリア層およびそれと同じものを形成する方法。
【解決手段】 処理システム内でプロセスにさらされた処理部材の腐食と、その後の処理システム内の基板のなんらかのコンタミネーションとを軽減するために、プロセスにさらされる処理部材は、保護バリアで被覆される。この保護バリアは、プラズマによる腐食に耐性を有する保護層と、保護層の不良によるプロセスコンタミネーションの可能性を軽減するために処理部材への保護層の密着性を改良するボンディング層とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】処理容器の内側面を簡単かつ効果的に洗浄できるようにし、メンテナンス性や信頼性を向上させる。
【解決手段】回転カップ６０を洗浄するときは、基板Ｇの入っていない空のカップ本体６８に蓋体７０を被せた状態で、駆動部６６の回転駆動によりスピンチャック６２と回転カップ６０を適当な回転速度でスピン回転させる。そして、切換弁９０において回転支持軸６４側のポート９０ａを洗浄液供給源８８側のポート９０ｃに切り換えて、洗浄液供給源８８からの洗浄液を回転支持軸６４の流体通路６４ａを介してスピンチャック６２の流体通路９２に送り、スピンチャック６２の裏面側の洗浄液吐出口９４より回転カップ６０の内側面に向けて洗浄液を吐出させる。 （もっと読む）

半導体ウェーハ処理装置（１０）のチャンバ（１６）と、清掃されるべき表面にバイアス電圧を掛けることなくガス混合物中に高密度プラズマを生成するためのみのＩＣＰ電源と、に供給される、水素及び不活性ガスから成る清掃ガス混合物、例えば、水素含有量が体積で２０％から８０％の間にある混合物を使用する清掃方法が提供される。本発明の実施形態では、Ｓｉ及びＳｉＯ_２汚染物質又はＣＦｘ汚染物質は引き続く金属被着に先立ってシリコン・コンタクト（４６）から清掃される。本発明の別の実施形態では、基準酸化物エッチング速度を回復するために酸化物をエッチングする以前にシリコン残留物は内部チャンバ表面から清掃される。

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【課題】アレイ基板とＣＦ基板との貼り合わせにおいて，液晶とシール材との接触を防止する。
【解決手段】アレイ基板１の外周部に，二重の枠状の隔離壁３，４を形成する。隔離壁３，４の形成後，隔離壁３，４の外側にシール材Ｓを塗布し，隔離壁３，４の内側に液晶Ａを供給する。アレイ基板１とＣＦ基板２とを両面から押圧しながら貼り合わせ，隔離壁３の内側が液晶Ａで満たされ，余分な液晶Ａは，隔離壁３と隔離壁４との隙間に押し出される。こうして，液晶Ａとシール材Ｓとの接触が防止され，さらに隔離壁３の内側に気泡が残留することなく液晶Ａが封入される。 （もっと読む）

【課題】成膜装置において反応容器内に付着した薄膜をフッ素を含むクリーニングガスでクリーニングするにあたり、その後ウエハに対して成膜処理をおこなったときに薄膜へのフッ素の混入を抑えること。
【解決手段】反応容器内にクリーニングガスを供給しながら反応容器内の温度を検出し、クリーニングガスを供給する前の反応容器内の温度をＴ０とすると、温度検出値がピーク値Ｔｐに達したとき、あるいはその後Ｔ０＋０．５（Ｔｐ−Ｔ０）の値になるまでの間にクリーニングガスの供給を止める。この方法は温度検出値と設定値との比較により実施してもよいが、クリーニングガスの供給を開始してから設定温度になるまでの時間を予め求め、経過時間を管理することによりクリーニングガスの供給を止めるようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】 例えば５０〜６００℃程度の低温域での降温率を高くでき、熱処理のスループットを向上させることが可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】 被処理体Ｗに対して所定の熱処理を施す熱処理装置４０において、排気可能になされた筒体状の処理容器４２と、複数の前記被処理体を多段に保持して前記処理容器内へ挿脱される被処理体保持手段５８と、前記処理容器内へ所定の処理ガスを導入する処理ガス導入手段７８と、前記処理容器の内側に配置されて前記被処理体を加熱する加熱手段７６と、前記処理容器の壁面を冷却する容器冷却手段１１０と、を備える。これにより、全体としての熱容量が小さくなり、しかも、処理容器の壁面が冷たいので、低温域での降温率（降温速度）及び動特性を大幅に向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 異物の付着、反応ガスの発生を抑制することによって、割れ、変形を防止した半導体熱処理用反射板を提供する。
【解決手段】 円板状もしくはリング状の光透過性材料からなる板状体３内に、無機材料からなる板状体２を密閉配置した半導体熱処理用反射板１において、前記光透過性材料からなる板状体と接する無機材料からなる板状体の少なくとも一面２ａの表面粗さがＲａ０．１〜１０．０μｍであって、かつこの面に溝２ｃが形成されている。 （もっと読む）