プラズマインピーダンスを測定するためのプラズマプロセスシステム、方法及びコンピュータにより読み込み可能な媒体。このシステムは、プラズマを中に有するように構成され、内部の領域の中にチャックを有しているチャンバと、支持面及び底面を有するチャックと、チャンバの外部でチャンバと電源との間のＲＦ伝送線に位置している第１の位置の第１の電圧―電流プローブとを有している。このシステムは、また、第１の電圧―電流プローブに接続され、この第１の電圧―電流プローブから伝送された測定値に基づいて、第１の位置とチャンバの中に位置している第２の位置との間のＲＦ伝送線のＲＦモデルを解くように構成されている、シミュレーションモジュールを有している。
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【課題】半導体製造プロセスにおいて第１の原理シミュレーションを用いたシステム及び方法を提供することである。
【解決手段】半導体処理ツールによって実行されるプロセスを容易にする方法、システム及びコンピュータ可読媒体。前記方法は、前記半導体処理ツールによって実行されるプロセスに関連するデータを入力することと、前記半導体処理ツールに関連する第１の原理物理的モデルを入力することとを含む。第一原理シミュレーションは、入力データを使用して実行され、プロセスに関する仮想センサ測定を提供する物理モデルは、半導体処理ツールによって実行され、および仮想センサ測定は、半導体処理ツールによって実行されるプロセスを容易にするように使用される。 （もっと読む）

【課題】 シーケンシャル流量堆積を使用して金属層を堆積させる方法を提供することである。
【解決手段】 シーケンシャル流量堆積を使用して良好な表面モホロジを有する金属層を堆積させる方法は、処理チャンバ内の基板を交互に金属−カルボニル前駆ガスと、還元ガスとに曝すことを含む。金属−カルボニルプリカーサガスにさらされる間、薄い金属層は、熱分解によって基板上に堆積され、その後の還元ガスに金属層を曝すことは、金属層から反応副生成物の除去するのを助ける。所望の厚さを有する金属層が達成されるまで、金属−カルボニルプリカーサガスと、還元ガスとの曝露ステップは、繰り返されることができる。 （もっと読む）

処理システム（１００）は、基板ホルダ（１３０）と電極（１２５）とを有する処理チャンバ（１２０）を含む。処理システムは、圧力制御システムとガス供給系とモニタ装置（１６０）とを含む。電極（１２５）には、単一可変素子を有する整合回路（１１５）を介して、マルチ周波数ＲＦ電源（１１０）が接続される。マルチ周波数ＲＦ電源は、プラズマを点火するように第１の周波数に設定され、プラズマを維持するように第２の周波数に設定される。 （もっと読む）

【課題】 使用者の不注意による、携帯機器、火器等の落下又は異常な取り扱いによって引き起こされる機器の破壊、データの消失、火器の落下、衝撃により引き起こされる暴発等を予防すること。
【解決手段】 本体が落下する時に、落下を検知する落下検知手段を有し、該手段からの落下検知信号により、機器の状態を安全な状態に変更するよう制御する。前記落下検知手段は、加速度センサーと、該センサーからの出力に基づいて加速度を計算する手段と、無重力状態を予め定めた所定値と比較し、これより大きい時に落下と判断し信号を出力する落下判断手段とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ｈｉｇｈ−ｋゲート誘電体プロセスインテグレーションのための界面酸化プロセスの提供。
【解決手段】 界面酸化層を有した微細構造物を形成する方法は、この微細構造物内のｈｉｇｈ−ｋ層の形成と関係した基板の酸化特性を制御するように拡散フィルタ層を使用することにより提供される。拡散フィルタ層は、表面の酸化を制御する。界面酸化層は、拡散フィルタ層上へのｈｉｇｈ−ｋ層の堆積の後に実行される酸化プロセス中に、または拡散フィルタ層上へのｈｉｇｈ−ｋ層の堆積中に、形成されることができる。 （もっと読む）

【課題】バッチタイプ処理システムにおいて順次ガス露出処理によって基板上に金属含有膜を形成するための方法を提供する。
【解決手段】バッチタイプ処理システムの処理チャンバーに基板を供給し、基板を加熱し、金属含有前駆体ガスのパルスと反応ガスのパルスを処理チャンバーに順に流し、これらの流し処理を所望の膜特性を有する金属含有膜が基板上に形成されるまで繰り返す。この方法によって、ＨｆＯ_２やＺｒＯ_２などの酸化金属膜、Ｈｆ_ｘＯ_ｚＮ_ｗやＨｆ_ｘＯ_ｚＮ_ｗなどの酸窒化金属膜、Ｈｆ_ｘＳｉ_ｙＯ_ｚやＺｒ_ｘＳｉ_ｙＯ_ｚなどのケイ酸金属膜、Ｈｆ_ｘＳｉ_ｙＯ_ｚＮ_ｗやＺｒ_ｘＳｉ_ｙＯ_ｚＮなどの窒素含有ケイ酸金属が形成できる。 （もっと読む）

本発明においては、半導体ウェハ処理装置（１０）のチャンバ（１１）内にチャンバシールドを設置することにより、装置内におけるパーティクルの剥離を低減する。シールドアセンブリは、複数のシールド（４１，４２，４３，４４）を備えている。これらシールドは、互いに接触しないような位置関係でもって配置され、さらには、熱的な膨張や収縮を起こしたときでも、アークの発生を回避し得るのに十分なギャップ（５２，５６）の分だけ互いに離間した位置関係でもって配置される。シールド上のおよびチャンバ壁上の位置合わせ特徴物が、シールドどうしを互いに同心的に位置合わせし、ギャップを維持する。
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【課題】 基板を乾燥させる方法およびシステムの提供。
【解決手段】 液浸リソグラフィ後の基板上の薄膜を乾燥させる方法およびシステムは、開示される。薄膜から浸漬液を取り除くように薄膜を乾燥させることは、薄膜をベーキングする前に実行される。そして、それによってベーキングプロセスと浸漬液との相互作用に対して起こりうるフードを低下させる。この相互作用は、現像プロセス後の薄膜において形成されるパターンに対して限界寸法の不均一性が生じることを示している。 （もっと読む）

シャワーベース（４１）、ガス拡散板（４２）、シャワープレート（４３）を積み重ねて構成され、ガス拡散板（４２）の両面に形成された第１ガス拡散部（４２ａ）、第２ガス拡散部（４２ｂ）、およびシャワープレート（４３）に形成され第１ガス拡散空間（４２ｃ）に連通する第１ガス吐出口（４３ａ）、第２ガス拡散空間（４２ｄ）に連通する第２ガス吐出口（４３ｂ）を介して載置台（５）上のウエハＷに原料ガスおよび酸化剤ガスを供給するシャワーヘッド（４０）において、第１ガス拡散部（４２ａ）内にシャワーベース（４１）の下面に密着する複数の伝熱柱（４２ｅ）を設けてその間の部分が第１ガス拡散空間（４２ｃ）となるようにし、この伝熱柱４２ｅにより載置台５から受ける輻射熱をシャワーヘッド（４０）の厚さ方向に伝達する。 （もっと読む）