【課題】 減圧処理室から未反応の原料ガスや反応副生成物ガスを排気するための真空ポンプの安定稼動を保証するとともに、反応副生成物を効率良く回収して資源の有効利用およびランニングコストの低減をはかること。
【解決手段】 この減圧ＣＶＤ装置は、減圧ＣＶＤ法によって銅の成膜を行うための処理室１０と、この処理室１０に原料ガスとして有機銅化合物たとえばＣｕ（I）ｈｆａｃＴＭＶＳを供給するための原料ガス供給部１２と、処理室１０を真空引きして排気するための真空排気部１４とで構成されている。真空排気部１４は、真空ポンプ２６と、その前段および後段にそれぞれ設けられた高温トラップ装置２８および低温トラップ装置３０とで構成されている。高温トラップ装置２８では処理室１０からの排気ガスに含まれている未反応のＣｕ（I）ｈｆａｃＴＭＶＳが分解して金属銅がトラップされ、低温トラップ装置３０では反応副生成物のＣｕ（II）（ｈｆａｃ）2がトラップされる。 （もっと読む）

【課題】 レジストパタ−ン形成の際の、基板の回路形成領域の外側の周辺領域の露光工程にて、光源の電力を大きくさせずに露光時間の短縮を図ること。
【解決手段】 レジストが塗布され、所定のパタ−ンマスクを用いて露光された基板に対して、回路形成領域の外側の周縁領域のレジストを現像によって溶解するために当該周辺領域を露光する場合に、前記回路形成領域の外縁をＸ方向又はＹ方向に沿って形成すると共に、露光部を四角形のリング状の露光領域を形成するように構成し、前記露光領域の辺と回路形成領域の外縁とをほぼ平行にした状態で、露光部を基板に対して面方向に相対的に連続的にＸ又はＹ方向に移動させながら露光を行う。露光領域をリング状に構成すると発光領域が狭くなるので、発光させるために必要な電力の消費量が低減し、また露光部と基板と相対的に連続的に移動させているので、露光処理に必要な時間が短縮される。 （もっと読む）

【課題】 ティーチング基準位置における位置合わせを、精度良く且つ効率的に行なうことができる搬送システムの搬送位置合わせ方法を提供する。
【解決手段】 被搬送体Ｗを保持するフォーク４８を有する搬送アーム部２０と、この搬送アーム部を移動させる移動機構３０と、搬送アーム部の移動エリア内に配置された少なくとも１つ以上の容器載置台２４と、被搬送体の偏心量と偏心方向と切り欠き目印６４の回転位置を光学的センサ６２により検出する方向位置決め装置３６と、全体の動作を制御する制御部７２とを備えて位置合わせを行なう搬送システムの搬送位置合わせ方法において、マニュアルにより被搬送体を正確に位置合わせして載置したり、被搬送体を受け取りに行き、これを方向位置決め装置に搬送してその偏心量或いは切り欠き目印の回転誤差を求めることにより真に正しい適正位置座標を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 絶縁性に優れた、しかも、非常に薄い成膜でも膜厚の制御性が良好なシリコンナイトライド膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】 被処理体の表面に、ＳｉＣｌ₄ とＮＨ₃ を原料ガスとして熱ＣＶＤ法によりシリコンナイトライド膜を成膜する。これにより、絶縁性に優れた、しかも、非常に薄い成膜でも膜厚の制御性が良好なシリコンナイトライド膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】 直径が５〜１５μｍであるカーボンファイバーを複数本束ねたカーボンファイバー束を複数本用いてワイヤー形状やテープ形状のような縦長形状に編み込み，その含有不純物量を灰分で１０ｐｐｍ以下としたヒータ部材（１１，１１１，１２１…１６１，２１２，２２２，４１１，５１５，６１２）を具備することを特徴とするカーボンヒータ。 （もっと読む）

【課題】 例えばプリヒ−トを行ってから成膜する場合に、プリヒ−ト時間を短縮すること。
【解決手段】 プリヒ−ト時と成膜時との間で主電磁コイル２６及び補助電磁コイル２７の電流値を変えることにより、得られる磁界の形状を変化させ、成膜時は均一性が大きいが磁束密度が小さい磁界、プリヒ−ト時は均一性は小さいが磁束密度が大きい磁界とする。この結果成膜時はウエハＷの面内においてほぼ均一なプラズマが発生するので均一な成膜処理を行うことができる。一方プリヒ−ト時は均一性は悪いもののプラズマ密度が成膜時よりも大きいプラズマが発生するのでウエハＷへの入熱量が成膜時よりも多くなり、プリヒ−ト時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】 洗浄処理液を交換する時の被処理体の待機時間をなくし、洗浄処理のスループットを向上させる。
【解決手段】 予め設定された洗浄処理液Ｌの交換開始時期であっても、現時点から洗浄処理液Ｌの交換を開始するまでの時間ａ及びウエハＷの洗浄処理に要する時間ｃと、現時点からウエハＷを洗浄槽３０に投入するまでの時間ｂ及び洗浄槽３０内に貯留された洗浄処理液Ｌの交換に要する時間ｔを考慮して、交換中にウエハＷが洗浄槽３０に投入されている状態、あるいは、ウエハＷの洗浄処理中に洗浄槽３０内の洗浄処理液Ｌが交換される状態にある、と判断される場合には、洗浄処理液Ｌの交換開始時期をずらすようにする。 （もっと読む）