説明

東京エレクトロン株式会社により出願された特許

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【目的】 高微細なプラズマ処理加工を実施する上において、比較的簡素な平行平板形式の装置構成を採りつつプラズマの拡散を抑えて、プラズマ密度および所定密度のプラズマを得るための電力の向上を図り、処理容器内にある部材へのデポの付着を防止する。
【構成】 サセプタ5上のウエハWよりも下方でかつ処理容器2に設けた排気口41よりも上方に、処理容器2内壁と同電位でかつ多数の透孔を形成した、プラズマ漏出防止体51を設置し、サセプタ5周囲空間の上方を覆う。前記透孔の大きさは、プラズマを通過させない大きさとする。
【効果】 処理容器2内のプラズマは、プラズマ漏出防止体51よりも下方に拡散しないので、その分プラズマ密度が向上し、排気口41にデポが付着することもない。 (もっと読む)



【目的】 比較的長い共通搬送室を用いて多数の真空処理室を連結することができる集合処理装置を提供する。
【構成】 真空引き可能になされた比較的長い共通搬送室4の一側に複数の真空処理室6A〜6Eを連結し、この長手方向に沿って移動する移動体28に搬送アーム30を設ける。この移動体を移動させ且つ搬送アームを伸縮するために共通搬送室の底壁の下方側に磁気的な移動体駆動手段32を設ける。これにより、モータ等のパーティクル発生源を室内に収容することなく被処理体の搬送を可能にする。 (もっと読む)



【目的】 プラズマ発生のために誘導結合型方式を採用することによりプラズマ密度を高めることができるプラズマアッシング装置を提供する。
【構成】 処理容器42の載置台44に載置された被処理体Wの表面に形成されているレジスト膜106をプラズマによりアッシングするプラズマアッシング装置36A,36Bにおいて、前記プラズマの発生エネルギを供給するために前記載置台に対向する位置に高周波電源84に接続されたアンテナ部材82を設ける。そして、アンテナ部材から放射される電磁波の誘導作用により処理容器内にアッシング用の高密度なプラズマを発生させる。 (もっと読む)



【目的】 アンテナ部材のインダクタンスによる誘導結合と、アンテナ部材と処理容器或いはサセプタとの間の容量結合とを組み合わせることにより1×10-3Torr以下の低圧力でもプラズマを発生させることができるプラズマ処理装置を提供することにある。
【構成】 気密な処理容器4内にてサセプタ20上に載置された被処理体Wに対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記処理容器内に、前記サセプタと対向する位置にアンテナ部材6を配置し、このアンテナ部材にプラズマ発生用の高周波電源8を接続するように構成する。これにより、1×10-6Torrの高真空下においてもプラズマを発生させることができ、異方性の高いプラズマ処理を行うことができる。しかも、アンテナ部材とサセプタとの間も小さくできるのでプラズマ発生効率を高めることができる。 (もっと読む)


【目的】 プローブ装置のプローブと被検査体の電極パッドとを正確に接触させて高精度な電気的測定を行うこと。
【構成】 X、Yステージ上に設けられたZ移動部6に第1撮像手段6とこの撮像手段6の合焦面に対して進退自在なターゲット63を設け、プローブカードとウエハ載置台41との間に横方向に移動自在な第2撮像手段7を設ける。先ずターゲット63により第1、第2撮像手段6、7の焦点合わせを行う。そして第2撮像手段7によりウエハW上の例えば中心及び周方向に等分された4点の合計5点の位置を認識し、更に第1撮像手段6によりプローブ針50を認識する。焦点合わせ、特定点、プローブ針の認識時の制御系上の各座標位置に基づいて電極パッドとプローブ針との位置合わせを行う。 (もっと読む)


【目的】 プラズマ生成用の高周波電源を間欠運転することにより、プラズマ中でのガス分子の解離反応を抑制し、エッチングあるいはCVDの工程の特性を良好なものとすることができるプラズマ発生装置を提供すること。
【構成】 チャンバ10内にプラズマを発生させ、チャンバ内に載置された被処理体にプラズマを用いて所定の処理を施すプラズマ発生装置において、チャンバ内の上記被処理体に対向してチャンバ10の外に配置された高周波コイル16,17と、被処理体が載置される載置台に設けられた下部電極13と、高周波コイル及び下部電極に供給する高周波電源を間欠的に供給する電源部22とから構成される。 (もっと読む)


【目的】 アンテナ部材のインダクタンスによる誘導結合とアンテナ部材と処理容器との間の容量結合とを組み合わせることにより1×10-3Torr以下の低圧力でもプラズマを発生させることができるプラズマ処理装置を提供する。
【構成】 処理容器4内においてサセプタ26上に載置した被処理体Wに対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、上記処理容器を例えばステンレス等の導電性材料により形成し、上記サセプタと対向させて処理容器内或いは処理容器外に渦巻き状のアンテナ部材6を配置する。このアンテナ部材と上記処理容器またはサセプタとの間にプラズマ発生用の高周波電源8を接続し、アンテナ部材のインダクタンスによる誘導結合と、アンテナ部材と処理容器との間の容量結合によりプラズマを発生させる。 (もっと読む)


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