【課題】ランプの寿命を延ばすことができるとともに、リフレフターの金メッキの劣化を防止できる真空処理装置を提供することにある。
【解決手段】被処理体を載置する載置台を有した処理チャンバ内の下部に前記載置台に照射して被処理体を加熱する複数のランプを備えたランプユニット４を設けた真空処理装置において、前記ランプユニット４は、軸受体１１と、この軸受体１１に回転自在に軸支されたシャフト１３と、このシャフト１３に設けられ前記載置台に照射して被処理体を加熱する複数のハロゲンランプ３と、前記軸受体１１とシャフト１３との摺動部１７に設けられ、シャフト１３側に吸熱面２１ａ、軸受体１１側に放熱面２１ｂを形成し、シャフト１３を介してランプ周辺部を冷却するサーモモジュール２１とから構成したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 正確な制御が可能であり、しかも効率良く基板を冷却することができる基板冷却方法および基板冷却装置を提供すること。
【解決手段】 温度が高められた基板に冷却媒体を直接接触させることにより基板を急冷して特定の温度レベルまで基板温度を急激に降下させ、次いで、その基板を冷却素子および／または冷却水を用いて冷却することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】ガス処理ユニットが他の処理ユニットに影響を及ぼすことがない処理装置を提供すること。
【解決手段】鉛直方向に沿って延在する搬送路21と、搬送路21の周囲に配置され、各々被処理体に対して所定の処理を施す複数の処理ユニットを鉛直方向に積層して構成される複数の処理部G1-G5と、搬送路21を移動するとともに、複数の処理部の各処理ユニットに対して被処理体Wを搬入出する搬送機構21と、搬送路22にダウンフローを形成するダウンフロー形成機構とにより処理装置が構成される。処理部G3は、加熱または冷却するための複数の熱的ユニット41-45と、ガス処理ユニット47と、装置外に対して被処理体の搬入出を行う搬送ユニット46とを有し、ガス処理ユニット47が熱的ユニット41-45および搬送ユニット46より下方位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】 載置台２１上に載置された基板Ｓの少なくとも片面との間にクリアランス４１Ａが形成されるように基板Ｓにカバー体４０を装着し、このクリアランス４１Ａ内に処理液を流通させるか、もしくは一時的に滞留させることにより、基板Ｓの表面に処理液を層状に供給して処理することを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】第１撮像手段によりプロ−ブカ−ドのプロ−ブ位置を座標として求め、退避可能なタ−ゲットにより第１撮像手段と第２撮像手段とを位置合わせして、第２撮像手段で基板の電極の位置を座標として求め、プロ−ブの位置に対する電極の位置を求めて、プロ−ブと電極との位置合わせを可能にしたプロ−ブ装置及びプロ−ブ方法を提供する。
【構成】プロ−ブカ−ド１のプロ−ブ２の位置を第１撮像手段３の撮像情報から座標として求め、この第１撮像手段３の位置と第２撮像手段４の位置とを合致させ、第２撮像手段４でウエハ５の電極５ａ位置を求め、プロ−ブ２の位置に対応するウエハ５の電極５ａの位置を算出し、プロ−ブ２と電極５ａとの位置合わせをして、ウエハ５の検査を行う。 （もっと読む）

【目的】 処理液のミストによる基板及び処理容器の汚染を防止して歩留まりの向上を図り、また、蓋体の開放を容易にしてスループットの向上を図る。
【構成】 基板Ｇを吸着保持するスピンチャック１０の上部及び外周部を回転カップ１２にて包囲し、この回転カップ１２の開口部１２ａに蓋体１６を開閉可能に被着する。スピンチャック１０の下方近傍位置にはスピンチャック１０と共に昇降可能な取付部材３４を取付け、この取付部材３４にＮ₂ガス供給ノズル３６を取付ける。これにより、レジスト液供給ノズル５０から基板Ｇ上に滴下されたレジスト液Ｂを、スピンチャック１０及び回転カップ１２の回転により拡散し、レジスト膜を整えた後、Ｎ2ガス供給ノズル３６から回転カップ１２内に供給されるＮ2ガスによって飛散したレジスト液のミストを排除することができる。また、回転カップ１２内の減圧状態を解除して蓋体１６の開放を容易にすることができる。 （もっと読む）