処理容器内部を真空引きした状態で運転を停止していた場合などにおいて、運転を再開しようとしても、プラズマが容易に着火しない現象が生じる問題を解決する。
処理容器（２１）中に酸素を含むガスを流通させ、前記処理容器（２１）内部を排気しながら前記酸素を含むガスに紫外光を照射する。その後、リモートプラズマ源（２６）を駆動して、プラズマを着火させる。 （もっと読む）

【課題】 堆積された誘電体膜上の現像後のフォトレジスト形状を改善する方法を提供することである。
【解決手段】 堆積された誘電体膜上の現像後のフォトレジスト形状を改善するための方法と装置。この方法は、プラズマ増強化学蒸着プロセスを使用して基板上に、調整可能な光学的特性およびエッチング耐性特性を有するＴＥＲＡ膜を堆積させることと、プラズマプロセスを使用してＴＥＲＡ膜を後処理することとを包含する。この装置は、第１のＲＦ電源に結合された上部電極および第２のＲＦ電源に結合された基板ホルダを有するチャンバと、複数のプリカーサおよびプロセスガスを供給するシャワーヘッドとを含む。 （もっと読む）

【課題】 改良されたバッフル板に対する方法および装置を提供することである。
【解決手段】 プラズマ処理システムの基板ホルダに組み合わせられるように構成されたバッフル板アセンブリは、ガスの通過を可能にする１つ以上の開口を有するバッフル板を具備し、基板ホルダにバッフル板を組み合わせることは、プラズマ処理システムのバッフル板の自動−センタリングを容易にする。例えば、基板ホルダにマウントされたセンタリングリングは、バッフル板上の嵌合形態で組み合わせるように構成されたセンタリング形態を有することができる。プラズマ処理システムの初期アセンブリの後、バッフル板は、基板ホルダの分解および再アセンブリが無しで、プラズマ処理システム内で交換およびセンタリングされることができる。 （もっと読む）

本発明は、有機シランガスを用いたプラズマＣＶＤ法により成膜される絶縁膜の低誘電率化と、機械的な強度の維持を可能とすることを目的としている。
そのため、本発明では、被処理基板に有機シランガスを含む第１の処理ガスを供給してプラズマを励起することで、当該被処理基板上に絶縁膜を成膜する成膜工程と、前記成膜工程の後、前記被処理基板にＨ₂ガスを含む第２の処理ガスを供給してプラズマ励起することで、当該絶縁膜の処理を行う後処理工程と、を有する基板処理方法であって、前記後処理工程のプラズマ励起は、マイクロ波プラズマアンテナにより行われることを特徴とする基板処理方法を用いている。 （もっと読む）

本発明は、プラズマ処理装置の処理ガス供給部の冷却効率を向上させ、当該処理ガス供給部の温度上昇を抑制することを課題としている。
そのため、本発明では、被処理基板を保持する保持台を備えた処理容器と、前記処理容器上に、被処理基板に対面するように設けられたマイクロ波アンテナと、前記保持台上の被処理基板と前記マイクロ波アンテナとの間に、前記被処理基板に対面するように設けられた処理ガス供給部とを備えたプラズマ処理装置であって、前記処理ガス供給部は、前記処理容器内に形成されたプラズマを通過させる複数の第１の開口部と、処理ガス源に接続可能な処理ガス通路と、前記処理ガス通路に連通した複数の第２の開口部と、当該処理ガス供給部を冷却する冷却媒体が流れる冷却媒体通路を備え、前記冷却媒体はミストを含むことを特徴とするプラズマ処理装置を用いている。 （もっと読む）

所定時間内にネットワークから受信したパケットの数を検出する。パケットの数が所定値を超えているときに、端末装置をネットワークから論理的に切り離す。所定の時間の経過後に、端末装置をネットワークに再接続する。以上により、端末装置で受信するパケット量が異常に増大した際に、当該端末装置をネットワークから切り離して受信パケットに関連する処理以外の処理を引き続き行なうことのできる端末装置を提供する。
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改良されたシール手段を有する処理チャンバーを開示する。処理チャンバーは下部要素と上部要素とシール付勢器とを有する。シール付勢器は処理空間を維持するために下部要素に対して上部要素を維持するように構成されている。シール付勢器はさらに処理空間内で発生する処理圧力に対して非線形に変化するシール付勢空洞内のシール圧力を発生させるように構成されている。一つの実施形態において、シール付勢器は上部要素および下部要素の一方に対して負ではない最終的な力を閾値以上において最小化するように構成されている。Ｐ１がシール圧力であり、Ｐ２が処理圧力であり、Ａ１がシール付勢空洞の断面積であり、Ａ２が処理空間の断面積であるとした場合に、最終的な力は、式Ｐ１＊Ａ１−Ｐ２＊Ａ２に従う。
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【課題】誘電体膜を処理するための方法とシステムを提供する。
【解決手段】誘電体膜を処理するための方法とシステムは、誘電体膜の少なくとも一つの表面をＣ_ｘＨ_ｙ含有材料に露出することを有する。ｘとｙはそれぞれ１以上の整数である。エッチプロセスすなわちアッシングの結果、誘電体膜に形成された形態の露出表面は、ダメージを受けるか活性化するかして、汚染物質の保留・湿気の吸収・誘電率の上昇などを引き起こし得る。ダメージを受けた表面は、少なくとも、表面を修復して例えば誘電率を復活させる（すなわち誘電率を減少させる）か、表面を洗浄して汚染物質や湿気や残渣を取り去るかして処理する。さらに、膜中の形態のバリア層とメタリゼーションのための準備は、形態の側壁表面を被覆して、露出した空孔を閉じ、またバリア膜堆積用の表面を提供する処理を含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】ヘキサクロロシランからのシリコン含有膜の堆積を提供する。
【解決手段】処理システムの低圧堆積プロセスによってシリコン含有膜と基板を堆積するための方法を提供する。シリコン含有膜は、処理システムの処理チャンバーに基板を供給し、基板を加熱し、基板にヘキサクロロシラン（ＨＣＤ）処理ガスを露出することによって、基板上に形成できる。この方法は、基板のシリコン表面上にエピタキシャルシリコン含有膜を選択的に堆積するか、基板上にシリコン含有膜を非選択的に堆積するかすることができる。ＨＣＤ処理ガスを使用してシリコン含有膜を基板上に形成するための処理システムを含んでいる処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】半導体製造プロセスを容易にする第１の原理シミュレーションを用いたシステム及び方法を提供。
【解決手段】半導体処理ツールによって実行されるプロセスを容易にする方法、システム及びコンピュータ可読媒体。前記方法は、前記半導体処理ツールによって実行されるプロセスに関連するデータを入力することと、前記半導体処理ツールに関連する第１の原理の物理的モデルを入力することとを含む。そして、第１の原理シミュレーションが、前記入力データ及び前記物理的モデルを用いて実行されて、第１の原理シミュレーション結果が生成され、前記第１の原理シミュレーション結果は、前記半導体処理ツールによって実行されるプロセスを容易にするのに用いられる。 （もっと読む）