【課題】ゼロクロス検知回路及びマイコンを用いることなく部分スイッチング方式のＰＦＣ制御を行うことが可能な電源回路を提供する。
【解決手段】電源回路１０は、整流回路２０と、整流電圧が印加されるインダクタ４０と、トランジスタ４１と、ダイオード４２と、コンデンサ４３と、インダクタ電流を検出する検出回路３４と、直流電圧に応じた帰還電圧及び検出されたインダクタ電流が入力され、検出されたインダクタ電流が帰還電圧に応じた基準電流より小さい場合、直流電圧のレベルが目的レベルとなるとともにインダクタ電流が基準電流となるようトランジスタのスイッチングを行い、検出されたインダクタ電流が基準電流より大きい場合、トランジスタのスイッチングを停止するスイッチング制御回路２４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 ＭＯＳＦＥＴの素子領域の外側の周辺領域において、ドレイン‐ソース間にｐｎ接合ダイオードを形成し、逆起電力による電流の経路を確保してアバランシェ破壊を防止している。しかし、チップサイズの小型化や素子領域の面積の拡大を目的として周辺領域の面積を縮小した場合、ｐｎ接合ダイオードの配置領域が縮小し、電流経路が少なくなるためアバランシェ破壊に弱くなる問題があった。
【解決手段】 ゲート引き出し配線８で区画される周辺ゲート領域２５において、ｐ＋型不純物領域２４とソース電極１７を接続する第２コンタクト部１０の単位面積当たりの合計面積を、素子領域２０のソース領域１５とソース電極１７とを接続する第１コンタクト部９の単位面積当たりの合計面積より大きくする。周辺領域の面積を縮小した場合であっても逆起電力による電流の経路を確保できアバランシェ耐量の劣化を防げる。 （もっと読む）

【課題】 ＭＯＳＦＥＴのゲート電極を基板の周囲において引き出すゲート引き出し配線の引き出し部は、素子領域内と同等の効率で機能するＭＯＳＦＥＴのトランジスタセルＣを配置することができない非動作領域となる。つまり、ゲート引き出し配線を、例えばチップの４辺に沿って配置すると、非動作領域が増加し、素子領域の面積拡大や、チップ面積の縮小に限界があった。
【解決手段】 ゲート引き出し配線と、ゲート引き出し配線と保護ダイオードとを接続する導電体とを、チップの同一辺に沿って曲折しない一直線状に配置する。又これらの上に重畳して延在し、これらと保護ダイオードを接続する第１ゲート電極層の曲折部を１以下とする。更に保護ダイオードを導電体またはゲート引き出し配線と隣接して配置し、保護ダイオードの一部をゲートパッド部に近接して配置する。 （もっと読む）

【課題】回路規模の増大を抑制しながら、給電線に印加される規定外の高電圧から内部回路を保護する技術を提供する。
【解決手段】第１分圧回路は、外部電源から内部回路に給電するための給電線と固定電位との間に接続され、給電線の電圧を分圧する。第１コンパレータＣＰ１は、第１分圧回路により分圧された分圧電圧と参照電圧とを比較し、当該分圧電圧が当該参照電圧を超えたとき、給電線に挿入された電源スイッチ１１をオフさせるための信号を出力する。第１トランジスタＴ１は、第１分圧回路により分圧された分圧電圧が生成される第１ノードＮｂと、固定電位との間に接続され、第１ノードＮｂの電圧が設定電圧を超えるとオンする。 （もっと読む）

【課題】回路規模の増大を抑制しながら、接続されたアクセサリ機器の種類を的確に認識する。
【解決手段】電源検出回路１２は、電源端子への外部からの給電を検出する。制御部１５は、識別端子電圧検出回路１３による検出結果および電源検出回路１２による検出結果とをもとに、コネクタ２０に接続されるアクセサリ機器を識別する。識別端子電圧検出回路１３は、電源検出回路１２により検出される給電の有無により、アクセサリ機器候補を絞り込むことができる。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤのちらつきを抑制する。
【解決手段】トライアック調光器１２は、交流電源からの交流波形を制御信号に応じた割合でゲートして、波形の一部が欠けたトライアックパルスを出力する。トライアックパルスを全波整流ＬＥＤ列１６に印加し、ＬＥＤ列１６に流れる駆動電流を電検出抵抗２２で検出する。コンパレータ２６で駆動電流値と所定値とを比較しその比較結果に応じて前記制御トランジスタをオフする。そして、トライアックパルスをＤＣ電圧信号に変換し、得られたＤＣ電圧信号に応じて、前記コンパレータ２６入力される、前記駆動電流値または前記所定値を変更する。また、トライアックパルスに代えて外部から供給されるＰＷＭパルスを利用することもできる。 （もっと読む）

【課題】寄生トランジスタが発生する場合であっても、目的レベルの出力電圧を生成できるチャージポンプ回路を提供する。
【解決手段】入力電圧に応じた出力電圧を生成するチャージポンプ回路は、入力電圧を積分した積分電圧を出力する積分回路と、積分電圧が印加される入力電極及び基板電極を有するＮＭＯＳトランジスタと、ＮＭＯＳトランジスタに直列接続され、ＮＭＯＳトランジスタと相補的にオンオフされるＰＭＯＳトランジスタと、ＮＭＯＳトランジスタがオンされている場合に、クロック信号に基づいて充電され、ＰＭＯＳトランジスタがオンされている場合に、クロック信号に基づいて放電される第１コンデンサと、ＰＭＯＳトランジスタがオンされている場合に第１コンデンサから放電された電荷が充電され、出力電圧を生成する第２コンデンサと、を備えることを特徴とするチャージポンプ回路。 （もっと読む）

【課題】レーザートリミングの際に半導体基板のダメージを極力抑えながら導電体を溶断することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上にＬＯＣＯＳ絶縁膜１１を覆う第１の絶縁膜１２が形成され、第１の絶縁膜１２上には、ＬＯＣＯＳ絶縁膜１１の平坦部１１Ｆ上を通って、レーザートリミングにより溶断される導電体２０が形成されている。第１の絶縁膜１２及び導電体２０を覆って、ＬＯＣＯＳ絶縁膜１１の平坦部１１Ｆと重畳する領域内に凸レンズ状の凸部１３Ｃを有した第２の絶縁膜１３が形成されている。レーザートリミングの際、ＬＯＣＯＳ絶縁膜１１の平坦部１１Ｆの両側の傾斜部１１Ｓでは、レーザー光が半導体基板１０の表面に斜めに入射するように反射されるため、半導体基板１０のダメージを回避できる。また、第２の絶縁膜１３の凸部１３Ｃは、レーザー光を屈折させて導電体２０に集光させる。 （もっと読む）

【課題】コネクタに接続されるビデオケーブルの有無を的確に検出し、ビデオ信号の外部出力を的確に制御する。
【解決手段】識別端子電圧検出回路１３は識別端子の電圧を検出する。ビデオスイッチは、内部回路に含まれるビデオ回路５１と識別端子とを接続する信号線に挿入される。制御部１５は、コネクタ２０にビデオケーブルが接続されたことを示す電圧が検出され、その後、ビデオケーブルが規定のインピーダンスで終端されたことを示す電圧が検出されると、ビデオスイッチをオンする。 （もっと読む）

【課題】回路規模の増大を抑制しながら、コネクタに接続されたチャージャーの種類を的確に認識する。
【解決手段】電源検出回路１２は、ＶＢＵＳ端子への外部からの給電を検出する。チャージャー検出回路１４は、ＤＰ端子およびＤＭ端子の電圧を検出することにより、チャージャーの種類を特定する。チャージャー検出回路１４は、ＤＰ端子およびＤＭ端子の少なくとも一方のオープン、プルアップ、プルダウンまたは両端子間のショートを検出する。 （もっと読む）