【課題】 ガードリングを深く拡散して耐圧を向上させる場合、ガードリングの横拡散によってガードリングに近いトランジスタセルのソース領域とガードリングが重畳する問題があった。
【解決手段】一導電型半導体層２と、一導電型半導体層２表面に設けられた逆導電型のチャネル層４と、一導電型半導体層２に設けられた複数のトレンチ７と、トレンチ７内に設けられた絶縁膜１１と、トレンチ７に埋設されたゲート電極１３と、チャネル層４表面に設けられた一導電型のソース領域１５と、チャネル層４の外側を囲んで一導電型半導体層２表面に設けられた高濃度の逆導電型不純物領域２５とを具備し、トレンチ７のうち少なくとも最外部のトレンチ７ｏは少なくとも一の側壁が逆導電型不純物領域２５と接し、ソース領域１５が配置されない構造とする。 （もっと読む）

【課題】放熱性が高い封止樹脂の構造を低コストで実現する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法では、モールド金型４０に、複数のキャビティ４６Ａ−４６Ｃが連通領域４８Ａ、４８Ｂを介して連通している。そして、熱伝導性に優れた樹脂シート５２を、キャビティ４６Ａ−４６Ｃおよび連通領域４８Ａ、４８Ｂに渡るように配置し、この樹脂シート５２によりアイランド１２の下面を被覆している。従って、単一の樹脂シート５２により、複数のユニット５６Ａ−５６Ｃが備えるアイランド１２の下面が被覆されるので、簡素化された工程により放熱性に優れた半導体装置を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】入力信号の振幅が大きく変化する場合であっても、適切にフィルタ係数の更新量を制御することが可能な適応フィルタを提供する。
【解決手段】
適応フィルタは、入力信号に対して設定されたフィルタ係数でフィルタ処理を施して出力信号として出力するフィルタと、出力信号の振幅と基準振幅との誤差を示す値を算出する算出部と、出力信号の振幅が所定振幅より大きい場合、第１定数をフィルタ係数を更新する際のパラメータとして出力し、出力信号の振幅が所定振幅より小さい場合、第２定数をパラメータとして出力する出力部と、誤差が小さくなるように、誤差を示す値及びパラメータに応じた更新量でフィルタ係数を更新する更新部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＰＷＭ制御では、高周波のノイズが発生する場合があり、必要に応じてＰＷＭモードを回避する。
【解決手段】直列接続された上側トランジスタＱＰ１、ＱＰ２と下側トランジスタＱＮ１、ＱＮ２からなるアームを２つ有し、両アームにおける上側および下側トランジスタの接続点を一対の出力端として、ここに接続されるコイルに順方向および逆方向の電流を供給するＨブリッジ駆動回路であって、ハイインピーダンス回路１０−１、１０−２の出力により、出力トランジスタＱＰ１，ＱＰ２をオンオフするＰＷＭモードと、オペアンプＯＰの出力により、出力端ＯＵＴ１、ＯＵＴ２の電圧を制御する定電圧モードを有し、切り換え信号ＳＴＢＢによってこれを切り換える。 （もっと読む）

【課題】早期にバックカメラ１０からの映像をＬＣＤパネル１６に表示する。
【解決手段】システムの起動時において、ディスプレイコントローラ１４は、メモリ２０から設定データによる設定を行い、セレクタ５４によりバックカメラ１０から直接供給されるビデオ信号を選択し、これを解像度変換したビデオ信号をＬＣＤパネル１６に供給する。一方、システムコントローラ１２が立ち上がった後に、セレクタ５４によりシステムコントローラ１２から供給されるビデオ信号を選択し、これをＬＣＤパネル１６に供給する。 （もっと読む）

【課題】より効果的なエッジ検出を行う。
【解決手段】ハイパスフィルタ１２により高周波成分を抽出し、これを減算器１６で減算することで高周波成分を減少する。また、エッジ検出部１４は、映像信号の変化量を所定のしきい値と比較してエッジを検出する。ゲイン調整部１８は、エッジ部において、前記ノイズ処理部における高周波成分の減少を抑制する。エッジ解析部２０により検出されたエッジの分布状態に基づいて、映像中のノイズの量を推定し、ノイズ量に応じてエッジ検出部１４におけるエッジ検出のしきい値を変更する。 （もっと読む）

【課題】Ｆｉｎｇｅｒ形状のソース電極、ドレイン電極と接続される各Ｎ＋型ソース層、Ｎ＋型ドレイン層を取り囲むようにＰ＋型コンタクト層が構成される場合でも、サージ電圧印加時に各Ｆｉｎｇｅｒ部の寄生バイポーラトランジスタが均一にオンする。
【解決手段】互いに平行に延在する複数のＮ＋型ソース層９、Ｎ＋型ドレイン層８を取り囲むようにＰ＋型コンタクト層１０を形成する。Ｎ＋型ソース層９上、Ｎ＋型ドレイン層８上及びＮ＋型ソース層９が延在する方向と垂直方向に延在するＰ＋型コンタクト層１０上にそれぞれ金属シリサイド層９ａ、８ａ、１０ａを形成する。金属シリサイド層９ａ、８ａ、１０ａ上に堆積された層間絶縁膜１３に形成されたコンタクトホール１４を介して、該各金属シリサイド層と接続するＦｉｎｇｅｒ形状のソース電極１５、ドレイン電極１６及び該Ｆｉｎｇｅｒ形状の各電極を取り囲むＰ＋型コンタクト電極１７を形成する。 （もっと読む）

【課題】動作トランジスタのエミッタ電圧の温度依存性を抑制する。
【解決手段】動作トランジスタＱ８にベースには、バイアス電流Ｉｂが第１抵抗Ｒ３，Ｒ４、第１トランジスタＱ７を介し供給される。少なくとも１つのカレントミラー回路を含み、バイアス電流Ｉｂに応じた対応電流Ｉｂ’が第２トランジスタＱ３に流れる。第３トランジスタＱ２は、第１トランジスタとベースが共通接続され、対応電流Ｉｂ’を流し、第２抵抗Ｒ２は、前記第１抵抗Ｒ３における電圧降下に対応する電圧降下を得る。第４トランジスタＱ１はエミッタ側に基準電圧Ｖｒｅｆを受け、ベースが前記第３トランジスタＱ２のエミッタ側に接続される。動作トランジスタＱ８の１ＶＢＥを第４トランジスタＱ１の１ＶＢＥで相殺し、第２トランジスタＱ７の１ＶＢＥを前記第３トランジスタＱ２の１ＶＢＥで相殺することによって、基準電圧Ｖｒｅｆを動作トランジスタＱ８のエミッタ側に設定する。 （もっと読む）

【課題】 素子領域端部の基板表面にガードリングが設けられ、ガードリング上にゲート接続ポリシリコン層が設けられ、更にその上にゲート金属配線層が形成されるＭＯＳＦＥＴにおいて、ゲート金属配線層が環状でなく、２つの端部を有するように切り離されたパターンの場合、ガードリング上方に、ゲート金属配線層、ソース電極、ゲート接続ポリシリコン層のいずれも配置されない領域が発生し、耐圧不良やリーク電流が発生する問題があった。
【解決手段】 ガードリング上でゲート金属配線層またはソース電極が配置されない領域において、ガードリング上を完全に覆うようにゲート接続ポリシリコン層を拡張する。拡張したゲート接続ポリシリコン層はフィールドプレートとして働き、耐圧不良やリーク電流の発生を防止できる。 （もっと読む）

【課題】完全差動型オペアンプの動作の安定度を向上し、高速動作を可能にする。
【解決手段】差動増幅部は、第１ステージの第１の差動増幅回路と、第２ステージの第２の差動増幅回路２から構成される。位相補償回路５は、第２の差動増幅回路２の差動入力端子と差動出力端子との間に接続されている。第１のＣＭＦＢ回路３は、第１ステージの差動増幅回路１の差動出力電圧ＶＰ，ＶＮの第１の同相電圧ＶＣ１が第１の基準電圧になるように、第１の差動増幅回路１をフィードバック制御する。第２のＣＭＦＢ回路４は、第２の差動増幅回路２の差動出力電圧ＶＯＵＴＰ，ＶＯＵＴＮの第２の同相電圧ＶＣ２が第２の基準電圧になるように、第２の差動増幅回路２をフィードバック制御する。 （もっと読む）