【課題】上面に回路素子が組み込まれた回路基板の裏面を薄く樹脂封止する樹脂封止工程を低コストで実現する回路装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明では、混成集積回路が組み込まれた回路基板１４の上面および側面をトランスファーモールドで形成される第１封止樹脂１８で被覆した後に、回路基板１４の下面、第１封止樹脂１８の下面および側面を第２封止樹脂２０で被覆している。更に、第２封止樹脂２０を形成する工程では、第１封止樹脂１８の上面を第２金型５０の内壁に当接させて位置を固定することで、安定したトランスファーモールドを実現している。 （もっと読む）

【課題】アイランドの表面に対して平行に半導体チップを固着して、半導体チップとリードのショートの回避を図ると共に、熱膨張による応力を起因としたクラック等の損傷の防止を図る。
【解決手段】アイランド１１の表面に複数の第１の導電突起体１４が配置されている。このアイランド１１上には、アイランド１１よりも大きな第１の半導体チップ２０が、第１の導電突起体１４に支持されて導電性ペースト１５を介して固着されている。アイランド１１上に固着された第１の半導体チップ２０は、ボンディングワイヤ１３及びリード１２の一部を覆う封止材１６により封止されている。この構成により、第１の半導体チップ２０は、第１の導電突起体１４の高さに応じて、アイランド１１の表面に対して平行に離間距離を保ち、また、リード１２の端との間でも、ショートを回避するのに十分な離間距離を保つ。 （もっと読む）

【課題】出力トランジスタの出力電流に精度良く比例した検出電流を得ることができる電流検出回路を提供する。
【解決手段】電流検出回路２０は、出力トランジスタＭＰ１の出力電流Ｉ１を検出する回路であって、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタからなる電流検出トランジスタＭＰ２、Ｐチャネル型のＭＯＳトランジスタＭＰ３、バイアス回路３０を含んで構成される。バイアス回路３０は、電流検出トランジスタＭＰ２のソース・ドレイン間電圧が、出力トランジスタＭＰ１のソース・ドレイン間電圧と同じになるように、第１のバイアス電圧ＶＢ１を第３のトランジスタＭＰ３のゲートに印加するように構成される。 （もっと読む）

【課題】駆動コイルにブレーキ電流が流れたとき、回生電流が電源に向かって供給されることによる電源電圧の上昇を抑え、電源の損傷やＩＣ等の耐圧破壊を防止する。
【解決手段】第１シンク側トランジスタ１４から第２ソース側トランジスタ１１の方向へ、又は、第２シンク側トランジスタ１３から第１ソース側トランジスタ１２の方向へ流れる逆方向電流を検出する検出回路と、検出回路が逆方向電流の検出を開始してから所定期間、検出回路の検出出力を無効にする無効回路と、検出回路が逆方向電流の検出を開始してから所定期間が経過した場合、検出回路の検出出力に従って同期整流を禁止する第１禁止回路と、第１又は第２シンク側トランジスタをオンするＰＷＭ信号の各オンデューティ期間が所定期間よりも短い場合、第１禁止回路の動作に関わらず、同期整流を禁止する第２禁止回路とを備える。 （もっと読む）

【課題】 ｐｎ接合ダイオードにおいて、逆回復時間ｔｒｒを短縮するために半導体基板（ｎ型半導体層およびｐ型半導体層）の全体に電子線を照射しライフタイムキラーを形成すると、リーク電流が増加し、逆方向電圧印加時の損失が増える問題があった。
【解決手段】 低濃度の一導電型半導体層２と高濃度の逆導電型半導体層５とによりｐｎ接合を形成する工程と、飛程距離のピーク位置が逆導電型半導体層５中に位置するように希ガスイオンを注入または照射して逆導電型半導体層５中に電荷捕獲層７を形成する工程と、逆導電型半導体層５と接続する第１電極８を形成する工程と、一導電型半導体層２と電気的に接続する第２電極１１を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】所望のブレークダウン電圧を確保し、大きな放電電流を流せるＥＳＤ保護特性の良好なＥＳＤ保護素子を実現する。
【解決手段】適切な不純物濃度のＮ＋型埋め込み層２とＰ＋型埋め込み層３で形成するＰＮ接合ダイオード３５と、Ｐ型拡散層６と接続するＰ＋型埋め込み層３ａをエミッタ、Ｎ−型エピタキシャル層４をベース、Ｐ＋型埋め込み層３をコレクタとする寄生ＰＮＰバイポーラトランジスタ３８とでＥＳＤ保護素子を構築する。Ｐ＋型埋め込み層３はアノード電極１０に接続され、Ｐ＋型拡散層６と、それを取り囲むＮ＋型拡散層７はカソード電極９に接続される。カソード電極９に正の大きな静電気が印加されるとＰＮ接合ダイオード３５がブレークダウンし、その放電電流Ｉ１によりＰ＋型埋め込み層３よりＮ−型エピタキシャル層４の電位が下がり寄生ＰＮＰバイポーラトランジスタ３８がオンし大きな放電電流Ｉ２が流れる。 （もっと読む）

【課題】所望のブレークダウン電圧を確保し、大きな放電電流を流せるＥＳＤ保護特性の良好なＥＳＤ保護素子を実現する。
【解決手段】適切な不純物濃度のＮ＋型埋め込み層２とＰ＋型埋め込み層３からなるＰＮ接合ダイオード３５と、Ｐ＋型拡散層６と繋がるＰ＋型引き出し層５ａをエミッタ、Ｎ−型エピタキシャル層４をベース、Ｐ型半導体基板１をコレクタとする寄生ＰＮＰバイポーラトランジスタ３８とでＥＳＤ保護素子を構成する。Ｐ＋型埋め込み層３はアノード電極１０に接続され、Ｐ＋型拡散層６と、それと接続され、取り囲むＮ＋型拡散層７とはカソード電極９に接続される。カソード電極９に正の大きな静電気が印加されるとＰＮ接合ダイオード３５がブレークダウンし、そのときの放電電流Ｉ１によりＰ＋型引き出し層５ａよりＮ−型エピタキシャル層４の電位が下がり寄生ＰＮＰバイポーラトランジスタ３８がオンし、大きな放電電流Ｉ２が流れる。 （もっと読む）

【課題】 位置検知手段を用いることなく、衝突状態でロータが停止するか回転するかによらず衝突状態を検出して、光ピックアップの半径位置を確定する。
【解決手段】 ステッピングモータの駆動コイルに、非通電期間を挟んで、駆動電流を供給するための制御信号を生成する制御信号生成回路と、制御信号に応じて、駆動コイルに駆動電流を供給する出力回路と、非通電期間に、駆動コイルに発生する電圧を閾値電圧と比較して誘起電圧を検知する誘起電圧検知回路と、閾値電圧を設定する閾値電圧設定回路と、誘起電圧検知回路の検知結果に基づいて、光ピックアップが衝突状態であるか否かを判定する判定回路と、を有し、閾値電圧は、衝突状態でステッピングモータの回転子が停止または回転する場合に、非通電期間に駆動コイルに発生する電圧と、衝突状態でない場合に、非通電期間に駆動コイルに発生する電圧と、の間の電圧に設定される。 （もっと読む）

【課題】所望のブレークダウン電圧が確保でき、大きな放電電流を流すことが可能なＥＳＤ保護特性のすぐれたＥＳＤ保護素子を実現する。
【解決手段】適切な不純物濃度のＮ＋型埋め込み層２とＰ＋型埋め込み層３でＰＮ接合ダイオード３５を形成する。Ｐ＋型埋め込み層３はＰ＋型引き出し層５と一体となりＮ−型エピタキシャル層４を貫通させアノード電極１０と接続される。Ｐ＋型埋め込み層３等で囲まれたＮ−型エピタキシャル層４にＮ＋型拡散層７と該Ｎ＋型拡散層７と接続され、これを取り囲むＰ＋型拡散層６を形成する。Ｎ＋型拡散層７、Ｐ＋型拡散層６はカソード電極９に接続される。Ｐ＋型拡散層６をエミッタ、Ｎ−型エピタキシャル層４をベース、Ｐ＋型引き出し層５等をコレクタとする寄生ＰＮＰバイポーラトランジスタ３８とＰＮ接合ダイオード３５でＥＳＤ保護素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】モータ駆動制御用の駆動周波数を任意に変更して所望の操作感覚でサーボ装置を操縦すること。
【解決手段】受信機２０を介して送信機１０から制御信号として周波数設定信号を受信すると、予め記憶した駆動周波数設定情報のうち、受信した周波数設定信号に応じた情報を選択する。また、送信機１０から制御信号である操縦信号を入力すると、選択された駆動周波数設定情報に基づき、パルス幅比較部３４ｂから差分データタイミング信号に同期して取り込んだ差分データ信号を、選択された駆動周波数に対応するように周波数変換処理する。そして、得られた差分データ変換信号を周波数処理情報に基づき所定のカウント範囲まで使用して駆動信号を生成し、駆動機構３２の駆動制御を行う。 （もっと読む）