【課題】 液晶駆動回路の消費電流および回路基板の実装面積を同時に抑える。
【解決手段】 第１の電位と前記第１の電位より低い第２の電位との間に直列に接続される複数の抵抗と、前記複数の抵抗の接続点に発生する、前記第１の電位と前記第２の電位との間の１つ以上の中間電位をそれぞれインピーダンス変換して出力する１つ以上の電圧フォロワ回路と、それぞれ所定の順序で、前記第１の電位、前記第２の電位、または前記中間電位を取るコモン信号を液晶パネルのコモン電極に供給するコモン信号出力回路と、前記コモン信号に応じて、前記第１の電位、前記第２の電位、または前記中間電位を取るセグメント信号を前記液晶パネルのセグメント電極に供給するセグメント信号出力回路と、を有し、前記セグメント信号出力回路は、前記セグメント信号の電位を切り替える場合に、第１の期間だけ前記セグメント信号のインピーダンスを増加させる。 （もっと読む）

【課題】音声信号に対するノイズを除去しつつ、音質の良い音声信号を出力することが可能な音声信号処理回路を提供する。
【解決手段】音声信号処理回路は、放送信号を受信するチューナからの出力に基づいて生成される音声信号に対するノイズの有無を検出するノイズ検出部と、所定の位相特性を有し、所定周波数より低い帯域の音声信号を通過させる低域通過フィルタと、所定の位相特性を有し、所定周波数より高い帯域の音声信号を通過させる高域通過フィルタと、低域通過フィルタから出力される信号を第１の係数倍して出力する第１出力部と、高域通過フィルタから出力される信号を第２の係数倍して出力する第２出力部と、第１及び第２出力部のそれぞれから出力される信号を加算する加算部と、ノイズが有ることをノイズ検出部が検出すると、第２の係数が第１の係数より小さくなるよう第２の係数を減少させる係数制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 素子領域の金属電極層上を保護膜で覆い、該保護膜を開口して電極パッド部を形成し、電極パッド部に導電性接着材を供給して金属接続板を接続する半導体装置において、金属接続板の固着時に溶融した導電性接着材が電極パッド部から外側に広がり、半導体基板（チップ）の端部に達してショートする問題があった。
【解決手段】 一主面に素子領域２が設けられた半導体基板１と、素子領域２上に設けられた金属電極層４と、金属電極層４上を覆う保護膜５と、保護膜５の一部を開口して設けられた電極パッド部８と、電極パッド部８と電極パッド部８に直近の半導体基板１の端部との間の保護膜５に設けられた溝部９とを具備する。電極パッド部８に供給された導電性固着材１１が溶融し電極パッド部８から外側に広がった場合であっても、導電性固着材１１は溝部９に埋め込まれることで溝部９の外側への広がりが規制され、半導体基板１の端部に達することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】任意の範囲の温度検出出力を得る。
【解決手段】バンドギャップ回路１０は、異なる電流密度の電流を流すトランジスタのベースエミッタ間電圧（ＶＢＥ）の差ΔＶＢＥと、トランジスタのＶＢＥの温度特性が反対であることを利用し、αを所定の定数として、温度特性の補償されたバンドギャップ電圧ＶＢＧＲ＝ＶＢＥ＋ΔＶＢＥ・αを出力する。電圧シフト回路（Ｒ３，Ｒ４）は前記バンドギャップ電圧ＶＢＧＲから、予め定めた温度ＴｒｅｆにおけるΔＶＢＥ・αであるΔＶＢＥ・α＠Ｔｒｅｆを減算した電圧ＶＢＧＲ−ΔＶＢＥ・α＠Ｔｒｅｆを出力する。差分手段は、電圧シフト回路の出力ＶＢＧＲ−ΔＶＢＥ・α＠Ｔｒｅｆから、前記バンドギャップ回路から取り出した、ＶＢＥを減算し、ΔＶＢＥ・α−ΔＶＢＥ・α＠Ｔｒｅｆを取り出す。これによって、ΔＶＢＥ・α＠Ｔｒｅｆに対応する温度を基準点として、温度により変化する検出温度出力を得る。 （もっと読む）

【課題】信号の平均化値のずれを抑制した信号平均化回路を提供する。
【解決手段】キャパシタＣａ１の正端子に接続され、キャパシタＣａ１への信号の入力を制御するスイッチング素子Ｓ９と、キャパシタＣａ２の正端子に接続され、キャパシタＣａ２への信号の入力を制御するスイッチング素子Ｓ１０と、キャパシタＣａ１とキャパシタＣａ２の正端子同士とを接続する平均化スイッチ素子Ｓ１３と、を備え、パワーオフ期間後にキャパシタＣａ１に信号を入力することにより充電を行うプリチャージ期間と、プリチャージ期間後に、キャパシタＣａ２に信号を入力することにより充電を行う第１サンプリング期間と、第１サンプリング期間後にキャパシタＣａ１に信号を入力することにより再充電を行う第２サンプリング期間と、前記第２サンプリング期間後にキャパシタＣａ１，Ｃａ２の正端子同士を接続した状態とする平均化期間と、を設ける。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置の製造方法では、製造工程中に複数枚の保護シートを用いていたため、材料コストや製造コストを低減し難いという問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法では、半導体ウエハ１と支持基板２とを貼り合せた後、支持基板２にポリイミドを基材とする保護シート８を貼り合せ、バックグラインド工程を行う。そして、保護シート８は、耐熱性や耐薬液性に優れることで、少なくともバックグラインド工程からその後の配線層の形成工程や絶縁層の形成工程まで連続して用いることが可能となる。この製造方法により、保護シートの使用枚数やその貼り替え作業も低減し、材料コストや製造コストも低減される。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置の製造方法では、製造工程上にのみ用いる粘着シートを用いていたため、製造コストを低減し難いという問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法では、リードフレーム２の裏面に樹脂シート１を貼り合せた後、ダイボンディング工程、ワイヤーボンディング工程、樹脂モールド工程、樹脂パッケージの個片化工程を行う。そして、樹脂シート１は、樹脂モールドされた樹脂と一体化し、樹脂パッケージの一部として用いられる。この製造方法により、樹脂シート１は破棄されることはなく、製造コストが低減され、また、樹脂パッケージの薄型化も実現される。 （もっと読む）

【課題】金属接続板を用いて半導体素子とリードを接続する実装構造において、各ユニットごとに金属電極板が固着する半導体素子の電極上およびリードの接続部上に半田を供給する方法では、半田供給量のばらつきが大きくなったり、半田供給量が制御しにくい問題があった。
【解決手段】 半導体素子１２およびリード２０の接続部２６とそれぞれ接続し、一主面に導電性固着層４１、４２が設けられた固着部を両端に有する金属接続板１６Ａを準備する工程と、アイランド１４の一主面に接合材２８を介して半導体素子１２を載置する工程と、半導体素子１２の電極３１上とリード２０の接続部２６上に導電性固着層４１、４２を重畳させて前記金属接続板１６Ａを固着する工程とを有する半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 ガードリングを深く拡散して耐圧を向上させる場合、ガードリングの横拡散によってガードリングに近いトランジスタセルのソース領域とガードリングが重畳する問題があった。
【解決手段】一導電型半導体層２と、一導電型半導体層２表面に設けられた逆導電型のチャネル層４と、一導電型半導体層２に設けられた複数のトレンチ７と、トレンチ７内に設けられた絶縁膜１１と、トレンチ７に埋設されたゲート電極１３と、チャネル層４表面に設けられた一導電型のソース領域１５と、チャネル層４の外側を囲んで一導電型半導体層２表面に設けられた高濃度の逆導電型不純物領域２５とを具備し、トレンチ７のうち少なくとも最外部のトレンチ７ｏは少なくとも一の側壁が逆導電型不純物領域２５と接し、ソース領域１５が配置されない構造とする。 （もっと読む）

【課題】 オン抵抗の極めて低い半導体装置を量産でき、さらに装置の小型化が実現する実装構造を提供する。
【解決手段】第１のフレーム材料により形成されたアイランド２とアイランド２から延在する第１リード３ａと、アイランド２に固着され上面に第１電極５および第２電極２０が設けられた半導体チップ１と、第２のフレーム材料により形成され第１電極５に固着される電極当接部６と電極当接部６から延在する第２リード３ｂと、第２のフレーム材料により形成され第２電極１０と電気的に接続されるポスト８とポスト８から延在する第３リード３ｃと、アイランド２、電極当接部６、ポスト８および半導体チップ１と、第１?第３リード３ａ?３ｃのそれぞれの一部とを一体に被覆する絶縁樹脂層とを具備し、ポスト８とアイランド２とを第１および第２のフレーム材料の打ち抜き加工に必要な離間距離より近接して対向配置する。 （もっと読む）