【課題】画素の開口率低下の防止並びに液晶パネルでの画像記憶による省電力化の効果増を図った液晶表示装置を提供する。
【解決手段】表示領域１１を除く領域１１’にメモリ１４を設けたことで、画素が簡素化され、開口率低下を防止することができる。また、制御回路１５が、送信された小画像を表示し、メモリ１４に記憶させ、記憶させた小画像を再び表示することで、同じ小画像を送信の度に表示する場合よりも消費電力を低くすることができる。また、小画像なので、大画像の場合よりも消費電力を低くすることができる。 （もっと読む）

【課題】駆動回路素子を同一基板上に一体的に有する液晶表示装置において、表示コントラストの劣化を抑えつつ駆動回路の安定動作を図る。
【解決手段】アレイ基板１０は、表示領域Ｒ１及び駆動回路領域Ｒ２に区画された透明基板１２と、前記表示領域Ｒ１に形成され表示領域Ｒ１にマトリクス状に配置された画素電極４４を駆動する第１薄膜トランジスタ２０と、前記透明基板１２の前記駆動回路領域Ｒ２に形成され前記第１薄膜トランジスタ２０に駆動信号を供給する第２薄膜トランジスタ５０と、前記第１薄膜トランジスタ２０の下層側に設けられた導電性の第１遮光膜１４と、前記第２薄膜トランジスタ５０の下層側に設けられた導電性の第２遮光膜４４と、を備え、前記第１遮光膜１４がアース接続され接地電位に設定され、前記第２遮光膜４４が前記第２薄膜トランジスタ５０のゲート電極５６と電気接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】正面から見た場合でも階調反転が生じない液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶パネル１２の中央部分での黒レベル表示電圧を最小輝度電圧と略等しく設定し、液晶パネル１２の周辺部分での最小輝度電圧を前記黒表示電圧より大きくし、液晶パネルの中央部分における液晶層の厚みを周辺部分よりも薄くしたものである。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコンからなるＴＦＴを用いた液晶表示装置において、ＴＦＴの下方に遮光層を設けた場合であってもリーク電流が発生しにくく表示のコントラスト等を劣化しにくい表示装置を提供する。
【解決手段】透明基板１２上に積層する下部遮光層１４と、ＬＤＤ領域３０及びソース／ドレイン領域３２、３４を有するポリシリコン半導体層２２からなり絶縁層１６を介して前記下部遮光層１４上に形成された薄膜トランジスタ２０とを備えた表示装置１の製造方法において、前記絶縁層１６上に形成したアモルファスシリコン半導体層にレーザ照射領域Ｄの長辺に対して垂直な方向に所定ピッチＰごとに間欠移動させてレーザ光を照射して、前記アモルファスシリコン半導体層を多結晶化し、前記薄膜トランジスタのチャネル領域２８及び前記ＬＤＤ領域３０を前記下部遮光層１４端部より前記所定ピッチＰ以上内側に配設していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】全ての液晶画素の残留電圧を速やかに除去する。
【解決手段】液晶表示装置は略マトリクス状に配置され各々画素電極ＰＥおよび共通電極ＣＥ間に液晶を挟持した複数の液晶画素ＰＸ、複数の液晶画素ＰＸの行に沿って配置される複数の走査線Ｙ、複数の液晶画素ＰＸの列に沿って配置される複数の信号線Ｘ、および複数の走査線Ｙおよび複数の信号線Ｘとの交差位置近傍に配置され各々対応走査線Ｙを介して駆動され対応信号線Ｘの電位を対応液晶画素ＰＸの画素電極ＰＥに設定する複数の画素スイッチング素子Ｗを含む液晶表示パネルＤＰと、液晶表示パネルＤＰを制御する表示制御回路ＣＮＴとを備える。表示制御回路ＣＮＴは複数の走査線Ｙの全てを一緒に駆動し、この状態で複数の信号線Ｘの電位を共通電極ＣＥの電位に略等しい値に遷移させ、この遷移に要する所定時間の経過を待って電源を遮断するように構成される。 （もっと読む）

【課題】高画質表示を実現することが困難である。
【解決手段】入力された映像信号を集計し、データ和を求める。ホワイトバランスを維持できるように、基準電流倍率を異ならせる。ｄｕｔｙ比制御は、データ和／最大値が１／１０以上１／１の範囲で実施する。また、基準電流の倍率変化（単位トランジスタ４８４の出力電流変化）は、データ和／最大値が１／１０以上１／１０００の範囲で実施する。基準電流制御とｄｕｔｙ比制御はオーバーラップしないようにすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】電源オフシーケンスを実行できなくても画像を早期に消去できる画像液晶表示装置を提供する。
【解決手段】時刻ｔ０のパネル駆動回路２で、例えば不意に電池や電源ケーブルが抜かれた場合、それまでＨだった電源オフ通知信号ＯＥＶＥが次第に低下するのだが、電源オフ通知信号ＯＥＶＥは、それをプルダウンする抵抗１６１により早期に低下する（図９（ａ））。よって、電源オフシーケンスと同じシーケンスが実行されることとなり、早期に画像が消去される。 （もっと読む）

【課題】 工数を増加することなく特性に優れたＭＯＳ型半導体素子（例えばポリシリコンＴＦＴ）を実現可能とする。
【解決手段】 ポリシリコン膜１を選択的に酸化するに際し、窒化シリコン膜６，１１をマスクとして用い、高圧水蒸気アニールにより酸化を行う。例えば、酸化によりポリシリコン膜１を素子分離し、マスクとして用いた窒化シリコン膜６をゲート絶縁膜として利用する。エッチングストッパ層として酸化シリコン膜８をポリシリコン膜１の上に形成し、この上に窒化シリコン膜６を形成してもよい。あるいは、酸化によりポリシリコン膜１のゲート部分を酸化してゲート絶縁膜１２を形成し、マスクとして用いた窒化シリコン膜１１を層間絶縁膜として利用する。 （もっと読む）

【課題】表示品位も良好な液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 マトリクス状の画素によって構成されたアクティブエリアＤＳＰ及びアクティブエリアを囲む遮光エリアＳＬＤを有する液晶表示装置であって、
各画素に画素電極ＥＰを備えたアレイ基板ＡＲと、
アクティブエリアから遮光エリアの少なくとも一部のエリアにわたって延在する対向電極ＥＴを備えた対向基板ＣＴと、
アレイ基板と対向基板との間に保持された液晶層ＬＱと、を備え、
アクティブエリアの一端辺に沿った列の画素に配置された第１画素電極ＥＰ１は、アクティブエリアにおける他の列の画素に配置された第２画素電極ＥＰ２とは異なる形状を有するとともに第２画素電極よりも大きな面積を有し、且つ、遮光エリア側に延在した延在部を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表示品位を低下させることがない液晶セルを提供する。
【解決手段】液晶セルを酸性溶液で満たされた溶液槽２２に垂直に配置し、特定箇所１８より上部領域にあるスペーサ１６の配置密度を下部領域にあるスペーサ１６の配置密度の１／３としたものである。 （もっと読む）