説明

ハー ツェー シュタルク ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングにより出願された特許

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【課題】長期間にわたり安定で、遊離ハロゲンの発生のない導電性ポリ3,4−エチレンジオキシチオフェンの製造方法を提供する。
【解決手段】2,5−ジハロゲン3,4−エチレンジオキシチオフェンと3,4−エチレンジオキシチオフェンとを溶媒中又は液相中で反応させることによる導電性ポリ3,4−エチレンジオキシチオフェンの製造方法を提供する。これらのポリチオフェンは、導電性、帯電防止性を付与するためのプラスチック又はラッカー添加剤として使用し得る。 (もっと読む)


【課題】高純度ジルコニウム、ハフニウム、タンタル及びニオブアルコキサイド(アルコレート)M(OR)の新規な製造方法、新規なタンタル及びニオブ化合物、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】(a)不純物として少なくとも0.05重量%の単核又は多核ハロゲン含有金属アルコキサイドを含む、ハロゲン含有量>200ppmの粗アルコキサイド生成物M(OR)を、(b)粗アルコキサイドの合計を基準に、多くとも30重量%のROH[RはC〜C12アルキル基]と混合し、(c)その後又は同時に、単核又は多核ハロゲン含有金属アルコキサイドを基準として過剰のアンモニアを配量する方法である。 (もっと読む)


【課題】従来技術の化合物が有する欠点のない、あるいは明らかな改良を少なくとももたらす、タンタル又はニオブ含有被覆形成用の新規前駆体化合物を提供する。
【解決手段】式:


(式中、Mは、Ta又はNbを表す。R1及びR2は、(シクロ)アルキル基、アリール基、1-、2-又は3-アルケニル、トリオルガノシリル基又はアミノ基を表す。R3は、(シクロ)アルキル基、アリール基、又はSiR3又は NR2を表す。R4は、ハロゲン、NH-R5、O-R6、-SiR3、BH4、アリル基又はインデニル基、ベンジル基、シクロペンタジエニル基、又は-NR-NR'R''(ヒドラジド(-1)、若しくはCH2SiMe3、偽ハライド又はシリルアミドを表す。R7及びR8は、水素、(シクロ)アルキル基又はアリール基を表す。)
で示される化合物。 (もっと読む)


【課題】低い等価直列抵抗(ESR)を有する固体電解コンデンサを製造する方法であって、良好なエッジ被覆を持つ密なポリマー外層を、簡単にかつ再現性よく製造できる方法を提供する。
【解決手段】電極物質の多孔質電極本体;電極物質の表面を覆う誘電体;および誘電体表面を完全にまたは部分的に覆う導電性材料を少なくとも含む固体電解質を少なくとも含むコンデンサ本体に、ポリアニリンおよび/またはポリチオフェンを含む導電性ポリマーの粒子b)、結合剤c)および分散剤d)を含む分散物a)を適用する工程;および導電性ポリマー外層の形成のために、分散剤d)を少なくとも部分的に除去し、かつ/または結合剤c)を硬化させる工程を含み、分散体a)中の700nm未満の粒径を有する導電性ポリマーの粒子b)の割合が、分散物の固形分の少なくとも5質量%である方法により電解質コンデンサを製造する。 (もっと読む)


【課題】 従来技術の欠点を有していない、窒化ジルコニウム被膜の新規な製造方法を提供する。
【解決手段】 基材表面上に、化学蒸着法により反応性ガスから窒化ジルコニウム被膜を製造する方法において、式:


(式中、R1及びR2は、同一又は異なって、直鎖又は分岐鎖のC1-C4-アルキル基を表す。)で示されるジルコニウムテトラキス(ジアルキルアミド)をジルコニウム前駆体として用い、式:


(式中、R3は、直鎖又は分岐鎖のC1-C4-アルキル基を表し、R4は、水素原子又はC1-C4-アルキル基を表す。)で示されるヒドラジン誘導体を反応性ガスとして用いる。 (もっと読む)


【課題】 縁部を良好に被覆する高密度ポリマー外層を、簡単に得ることができ、かつ確実に再現することができる、低い等価直列抵抗を有する固体電解質コンデンサの向上した製造法を提供する。
【解決手段】 電極物質の多孔質電極本体;電極物質の表面を覆う誘電体;および誘電体表面を導電性材料を少なくとも含む固体電解質を含むコンデンサ本体に、ポリアニリンおよび/またはポリチオフェンを含む導電性ポリマーの粒子b)を含む分散物a)を適用する工程;および導電性ポリマー外層の形成のために、分散剤d)を少なくとも部分的に除去し、かつ/または結合剤c)を硬化させる工程を含み、分散物a)中の導電性ポリマーの粒子b)が平均粒径70〜500nmを有する、固体電解質コンデンサの製造方法。 (もっと読む)


本発明は、導電性ポリマー製造用先駆物質と混合した場合に、重合工程の間に長い処理時間を示す特定酸化剤を製造する方法に関する。本発明は、該方法によって得られる酸化剤、この種の特定(遅延)酸化剤を含有する混合物、および固体電解質コンデンサーおよび導電層の製造におけるその使用にも関する。該酸化剤は、有機酸または有機基を有する無機酸の金属塩をイオン交換体で処理することによって製造される。
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【課題】タブレット型ラネー触媒に対して簡単に製造される代替物を提供することであり、この場合この連続的な水素化法は、経済的であることができる。
【解決手段】存在している活性のラネー金属が適当な支持体上に薄層を有することであり、この場合この層は、溶射法および冷間ガス溶射法によって製造される。 (もっと読む)


要約書:希釈塩の存在下でのアルカリ金属を用いた相応するバルブ金属化合物、例えばK2TaF7の還元によるバルブ金属粉末、特にタンタル粉末の製造であって、還元を、部分ずつ又は連続的にこの反応混合物に添加される粒子微細化剤、有利にはNa2SO4の存在下で実施する製造。 (もっと読む)


【課題】二次電池の正電極用活物質の製造に適している、ニッケル、コバルトおよびアルミニウムを含有する混合金属水酸化物を提供する。
【解決手段】金属のニッケル、コバルトおよびアルミニウムを含有する混合金属水酸化物が粉末状で存在し、この場合この粉末粒子は、ニッケル−コバルト水酸化物からなる核を有し、この核の表面が無定形の水酸化アルミニウムで被覆されている。
【効果】得られた混合金属水酸化物のD50値は、基礎材料のD50値に相当し、14.7μmであった。これは、被覆の際に水酸化アルミニウムの摩滅が生じなかったことを示す。 (もっと読む)


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