フォトレジスト又は他の有機化合物を半導体ウエハから取り除くためのシステム及び方法が提供される。非フッ素化反応ガス（Ｏ₂，Ｈ₂，Ｈ₂Ｏ，Ｎ₂等）は、中圧表面波発射によって水晶管内で活性化される。プラズマジェットが基板上に作用するので、蒸発反応製品（Ｈ₂Ｏ，ＣＯまたは低分子量の炭化水素）を基板表面からフォトレジストを選択的に取り除く。また、この中圧力によっては、ウエハ上の反応領域内に効果的な熱源を与え、そして、エッチング速度を高め、さらに、イオン注入されたフォトレジストを取り除く実際の手段を与える高いガス温度を得ることができる。
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本発明は、分散したナノチューブを有するポリマーナノコンポジット、及びそれらを作製する方法を提供する。ポリマーは、ポリエーテルである場合がある。例えば、本発明は、単層ナノチューブ（ＳＷＮＴ）を、図５に示す通り、室温にて約０．０９重量％のＳＷＮＴで流体力学的浸透を及び約０．０３重量％のＳＷＮＴで電気的浸透を有するポリエチレンオキシド（ＰＥＯ）及びその低分子量類似体のポリエチレングリコール（ＰＥＧ）の両方に首尾よく分散させ、その結果ナノコンポジットをもたらす有効な方法を提供する。本方法は、界面活性剤を提供することを含む場合がある。最も注目すべきことに、本発明者等は、ナノチューブの存在によりポリマーの融点の低下及びポリマー結晶化の遅延を実現した。
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本発明は、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）／ポリマー複合材、すなわち、ナノ複合材に関する。ここでこのようなナノ複合材中の上記ＣＮＴは、ポリマーマトリクス中に高度に分散されており、ここで上記ナノ複合材は、上記ＣＮＴおよび上記ポリマーマトリクスの両方と相互作用する適合性界面活性剤を含む。本発明はまた、これらナノ複合材を作製する方法に関する。いくつかのこのような方法において、上記適合性界面活性剤は、初期ＣＮＴ分散およびその後のポリマーとの混合を提供する。本発明はまた、種々の用途においてこれらナノ複合材を使用する方法に関する。
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本発明は、カーボンナノチューブ−エラストマー複合体、かかるカーボンナノチューブ−エラストマー複合体の製造法及び、かかるカーボンナノチューブ−エラストマー複合体で製造した製品に関する。一般に、かかるカーボンナノチューブ−エラストマー(CNT-エラストマー)は、(もとのエラストマーよりも)優れた弾性率を示すが、その破断点歪みは大きく低下しない。 （もっと読む）