（ａ）少なくとも１つのポリベンゾオキサゾール前躯体ポリマー、（ａ）少なくとも１つの可塑剤化合物、（ｂ）少なくとも１つの溶媒を含有し、前記組成物中に存在する前記可塑剤の量が、その後の基材の金属化において、撮像された物の急角度に起因するストレス障害を防ぐために、基材上のコーティングフィルムにおいて撮像されて硬化された物の側壁角を減少させるのに効果的な量であり、ポリベンゾオキサゾール前躯体ポリマーがポリマー内に光反応性部分を含まないポリベンゾオキサゾール前躯体ポリマーのみから構成される場合には（ｃ）少なくとも１つの光反応性化合物も組成物中に存在するという条件付きの、耐熱性ポジ型感光性ＰＢＯ前躯体組成物。
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（ａ）構造式ＶＩを有し、式中、Ｙは、Ｓ、Ｏ、ＮＲ²、（ＨＯＣＨ）_pからなる群から選択され、Ｒ¹は、それぞれ独立してＨ、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基又はハロゲンから選択され、Ｒ²は、それぞれ独立してＨ、ＳＨ、ＣＨ₃、Ｃ₂Ｈ₅及びチオール基を含む直鎖及び分岐鎖Ｃ₁−Ｃ₄アルキル基であり、Ｖ¹及びＶ²は、式中から独立して選択され、ｍは、独立して０〜４の整数であり、ただし、Ｙ＝ｎが１〜５の整数である場合のみｍは＝０となることができ、ｐは、１〜４の整数であり、Ｒ¹は、それぞれ上記に定義されている少なくとも１つの化合物、（ｂ）少なくとも１つの有機溶媒及び場合により、（ｃ）本組成物中に存在する構造式ＶＩの化合物量が、感光性組成物を基板上において被覆し、この被覆基板をその上に画像を形成するよう加工する場合の形成から生じる残留物を抑制する効果がある少なくとも１つの接着促進剤の前処理組成物。
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（ｄ）少なくとも１つのポリベンゾオキサゾール前駆体ポリマー、（ｅ）構造ＶＩ：Ｖ¹−Ｙ−Ｖ²、ここで、ＹはＳ、Ｏ、ＮＲ²、（ＨＯＣＨ）_p、及び式（Ａ）から選択され；Ｒ¹は、それぞれ、Ｈ、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基又はハロゲンから選択され、Ｒ²は、それぞれ、Ｈ、ＳＨ、ＣＨ₃、Ｃ₂Ｈ₅、及びチオール基を含有する直鎖状又は分枝鎖状Ｃ₁−Ｃ₄アルキル基から選択され；ｐは１から４までの整数であり、そしてＶ¹及びＶ²は、式（Ｂ）及び式（Ｃ）から成るグループから独立に選択され；ここで、ｍは独立に０から４までの整数であり、但し、Ｙが式（Ｄ）の場合はｍ＝０のみであり；ｎは１から５までの整数であり；そしてＲ¹はそれぞれ上記のように定義される；を有する少なくとも１つの化合物；及び（ｆ）少なくとも１つの溶媒；を含む感光性樹脂組成物であって、存在する構造ＶＩの化合物の量は、上記組成物が基板上に塗布され、塗布された基板が引き続き基板上に画像を形成するように処理された場合、残留物の形成を阻害するのに十分な量であり、但し、上記ポリベンゾオキサゾール前駆体ポリマーが、ポリマー中に光活性部分を含まないポリベンゾオキサゾール前駆体ポリマーのみから成る場合は、（ｄ）少なくとも１つの光活性化合物も、又、組成物中に存在する；感光性樹脂組成物が開示される。
【化１】

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酸に不安定な官能基を有するエンドキャップされたポリベンゾオキサゾール前駆体、そのポジ型感光性組成物および基板上に耐熱性レリーフ画像を作成するためにこの組成物を使用すること。 （もっと読む）

本発明は、（ａ）少なくとも１つのポリベンゾオキサゾール前躯体ポリマー；（ｂ）少なくとも１つの、構造ＶＩ、式中、ＶはＣＨ又はＮであり；ＹはＯ又はＮＲ³であり、ここで、Ｒ³は、Ｈ、ＣＨ₃又はＣ₂Ｈ₅であり；Ｒ¹及びＲ²は、それぞれ独立に、Ｈ、Ｃ₁−Ｃ₄アルキル基、Ｃ₁−Ｃ₄アルコキシ基、シクロペンチル又はシクロヘキシルであり；或いは、Ｒ¹及びＲ²は、縮合して置換又は非置換のベンゼン環を生成することができる；を有する化合物；及び（ｃ）少なくとも１つの溶媒；を含む感光性樹脂組成物であって、ここで、組成物中に存在する構造ＶＩの化合物の量は、組成物が基板に塗布され、引き続いて塗布された基板が基板上に画像を形成するように処理された場合、残留物の形成を阻害するのに有効な量であり、但し、ポリベンゾオキサゾール前躯体ポリマーが、単に、ポリマー中に光活性な部分を含有しないポリベンゾオキサゾール前躯体ポリマーのみから成る場合は、（ｄ）少なくとも１つの光活性な化合物も、又、組成物中に存在する；組成物に関する。本発明は、又、上記組成物を用いた、レリーフ・パターンを形成する方法及び電子部品に関する。
【化１】

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化学線による露光によりレリーフ・パターンをその上に形成させる基板を処理するための前処理組成物であって、（ａ）少なくとも１つの、構造（ＶＩ）、式中、Ｖは、ＣＨ及びＮから成るグループから選択され；Ｙは、Ｏ及びＮＲ³から成るグループから選択され、ここで、Ｒ³は、Ｈ、ＣＨ₃及びＣ₂Ｈ₅から成るグループから選択され；Ｒ¹及びＲ²は、それぞれ独立に、Ｈ、Ｃ₁−Ｃ₄アルキル基、Ｃ₁−Ｃ₄アルコキシ基、シクロペンチル、及びシクロヘキシルから成るグループから選択され；或いは、Ｒ¹及びＲ²は、置換基が電子吸引基ではない場合、縮合して置換又は無置換のベンゼン環を形成することができる；を有する化合物；（ｂ）少なくとも１つの有機溶媒；そして場合により、（ｃ）少なくとも１つの接着促進剤；を含む前処理組成物であって、ここで、組成物中に存在する構造ＶＩの化合物の量は、感光性組成物が基板に塗布され、引き続いて塗布された基板が基板上に画像を形成するように処理された場合、残留物の形成を阻害するのに有効である前処理組成物。基板の前処理の方法及び前処理した基板上にレリーフ画像を形成する方法が開示される。
【化１】

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ａ) それぞれ少なくとも１つの[−ＨＳｉＲ−Ｏ−]単位（ここで、Ｒ＝Ｃ₁−Ｃ₁₈直鎖、分枝もしくは環式アルキル、Ｃ₁−Ｃ₁₈直鎖、分枝もしくは環式アルコキシ、または置換されたもしくは非置換のアリール）を有する１つまたはそれ以上のオルガノヒドロシロキサン化合物；およびｂ) 式(１)Ｒ⁴Ｒ⁵Ｒ³Ｏ−ＨＲ²Ｒ¹に示した抗酸化化合物
【化１】


（ここで、抗酸化化合物は、フェノール系化合物であり、約１ppm〜約５０００ppmの濃度で存在し、そしてＲ¹〜Ｒ⁵は、それぞれ独立してＨ、ＯＨ、Ｃ₁−Ｃ₁₈直鎖、分枝もしくは環式アルキル、Ｃ₁−Ｃ₁₈直鎖、分枝もしくは環式アルコキシまたは置換されたもしくは非置換のアリールである）を含んでなるオルガノヒドロシロキサン組成物を提供する。
本発明の組成物は、安定性を示し、オルガノヒドロシロキサン生成物の貯蔵寿命が著しく延長され、化学プロセスまたは半導体製造においてこれらの生成物を取り扱う際に、より大きな柔軟性が得られる。シロキサンが安定化された結果、化学供給ラインまたはバルブ中で生成物の重合が完了する(すなわち凝固する)可能性が回避され、これにより装置のメインテナンスとコストが減り、機械が製造外にある時間が減少する。
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基板上に耐熱性レリーフ構造を作成する方法であって、この方法は、（ａ）基板を用意し；（ｂ）最初のコーティング段階で、ポリアミド酸およびガンマ−ブチロラクトンを含有する組成物によって基板をコートして少なくとも約０.５μｍの厚さをもつポリアミド酸の層を形成し；（ｃ）１４０℃またはそれ未満の温度でポリアミド酸の層をベーキングし；（ｄ）第２のコーティング段階で、ポリアミド酸の層上にフォトレジストの層をコーティングして二層コーティングを形成し；（ｅ）二層コーティングを＜２５０ｎｍの放射線に露光し；（ｆ）１つまたはそれ以上の水性のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド現像液によって二層コーティングを現像し；（ｇ）残留するフォトレジスト層を除去し；そして（ｈ）ポリアミド酸層を少なくとも約２００℃の温度で硬化してポリイミド構造をつくる段階を包含し、この場合ポリアミド酸は、水性のテトラメチルアンモニウム中に可溶でありまたフォトレジストに使用される溶媒中には可溶でない。 （もっと読む）

高温に耐えるレリーフ画像を形成するのに使用するための、非−ＮＭＰ溶媒中の接着促進剤を伴う安定な非感光性ポリイミド前駆体組成物およびこの画像を作成する方法。この非感光性ポリイミド前駆体組成物は、ａ）ガンマ−ブチロラクトン（ＧＢＬ）中に可溶な１つまたはそれ以上のポリアミド酸および水性のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド、ただしポリアミド酸は、ポリイミド前駆体組成物が併用されるべき感光性組成物中に使用される溶媒に対しても耐性があるものとする；ｂ）ガンマ−ブチロラクトンを含む溶媒；およびｃ）式Ｉ〜ＶＩ（式中、Ｒ¹はＨ、Ｃ₁〜Ｃ₁₀の線状、環状または分枝状のアルキル、フェニルもしくはハロフェニルまたはアルキル置換フェニルであり、Ｒ²はＣ₁〜Ｃ₁₀の線状、環状もしくは分枝状のアルキル、フェニル、ハロフェニルもしくはアルキル置換フェニルまたは以下のＶＩＩ、ＶＩＩＩまたはＩＸ（式中、Ｒ³はＣ₁〜Ｃ₄の線状もしくは分枝状のアルキル基またはＣ₁〜Ｃ₄の線状もしくは分枝状のアルコキシ基であり、Ｒ⁴、Ｒ⁵およびＲ⁶は独立にＣ₁〜Ｃ₄の線状もしくは分枝状のアルキル基であり、ｍは１から大体４の整数であり、またｎは１から大体５の整数である）の部分構造の１つである）によって表される構造から選択される１つまたはそれ以上の接着促進剤を含有する。
を含む。
【化１】

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多層画像形成系においてリソグラフプロセス中に生じた間違い、例えば不正確な膜厚、好ましくないコーティング品質、および不正確な特徴寸法の解決方法を提供する。製造効率を最適化するには、下部層(アンダーコートすなわち下層)を除去、再コートおよび通常、硬化することなしに上部層(画像形成層)を除去できることが望ましい。基板スタックから画像形成層を除去するための再処理方法は、このような方法である。スタックは、基板、基板に隣接する下層および下層に隣接するケイ素を含んでいる画像形成層からなる。方法は、(ａ) 基板スタックを画像形成層除去溶媒と接触させ；(ｂ) 画像形成層除去溶媒を用いて画像形成層を除去し、それによって基板／下層スタックを形成し、その際、画像形成層除去溶媒は、グリコールエーテル、ケトン、エステル、ラクテート、ジメチルスルホキシド(ＤＭＳＯ)、ジメチルホルムアミド(ＤＭＦ)、テトラヒドロフラン(ＴＨＦ)、メチルテトラヒドロフラン、ジオキサン、テトラヒドロピラン、エチルテトラヒドロピラン−４−アセテート、メチルテトラヒドロピラン−４−メタノール、テトラヒドロピラン−４−オン、ｎ−ブチルアセテート、ｎ−アミルアセテートおよびそれらのいずれかの組み合わせからなる群より選ばれ；そして(ｃ) 画像形成層を除去した後、画像形成層除去溶媒を基板／下層スタックから除去する：工程からなる。
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