【課題】低収縮かつ低応力である絶縁膜を製造することができる方法の提供。
【解決手段】基板表面にポリシラザン組成物を塗布して塗膜を形成させ、引き続き前記塗膜を過酸化水素雰囲気下、５０〜２００℃で加熱することを含んでなることを特徴とする、二酸化ケイ素膜の製造方法。この二酸化ケイ素膜の製造方法によって各種絶縁膜などのアイソレーション構造を形成させることができる。 （もっと読む）

【課題】均一で高い充填密度を有し、かつ欠陥が少ない絶縁膜を形成することができる方法の提供。
【解決手段】基板表面に、二酸化ケイ素微粒子と、ポリマーと、界面活性剤と、分散媒とを含む二酸化ケイ素分散液を塗布し、次いでポリシラザン組成物を塗布した後、加熱して絶縁膜を形成させる、絶縁膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチング耐性の高い微細パターンを形成させるための組成物の提供。
【解決手段】シラザン結合を有する繰り返し単位を含んでなる樹脂と、溶剤とを含んでなる微細パターン形成用組成物とそれを用いた微細パターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】高耐熱性、高屈折率、高透過率を同時に満足するシリカ質膜と、それを製造するためのポリマーの提供。
【解決手段】スルホン化フェニル基を有するシルセスキアザンを構成単位に含むシルセスキアザンポリマー。構成単位として非置換フェニル基を有するシルセスキアザンを含んでもよい。さらに、このポリマーを含む組成物を基材に塗布し、焼成することにより、高屈折率の被膜を形成することができる。 （もっと読む）