【課題】シリコン基板のトレンチの底部のみに酸化シリコン等の膜を形成可能な方法を提供する。
【解決手段】トレンチ１１の底面１１ａ及び壁面１１ｂに熱酸化膜１２を形成し、底面の熱酸化膜１２ａだけをエッチングする。所定濃度のＯ_３とＴＥＯＳを含む成膜ガスを用い、所定の成膜温度下で、トレンチ内に酸化シリコン３１を成膜する。この酸化シリコン３１は、トレンチ底面のシリコン１１ａ’上には成長しやすく、壁面の熱酸化膜１２ｂ上には成長しにくい。成膜後、希フッ酸にて壁部の酸化シリコン３１ｂをエッチングする。 （もっと読む）

【課題】誘電率を低くするとともに、機械強度および電気特性を向上することができるシリカ系被膜等の被膜の形成方法を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明に係る被膜の形成方法は、被膜形成用組成物を基材に塗布する塗布工程と、上記基材に塗布した被膜形成用組成物を３００℃以下で乾燥する乾燥工程と、乾燥した被膜形成用組成物に対して、３５０℃以上で加熱しながら、紫外線を照射する照射工程とを包含している。 （もっと読む）

【課題】 ２．７より低い比誘電率を有する低誘電率絶縁膜及び４より低い比誘電率を有するバリア絶縁膜を化学気相成長法により成膜する方法を提供するものである。
【解決手段】 シリコン原子による５員環以上の環状構造を有し、かつ該シリコン原子によるシロキサン結合を有する第１のシリコン含有有機化合物と、シリコン原子による４員環以下の環状構造又は４以下のシリコン原子の鎖状構造を有し、かつ該シリコン原子によるシロキサン結合を有する第２のシリコン含有有機化合物とを含む成膜ガスのプラズマを生成し、反応させて基板３１上に絶縁膜３２を形成する。 （もっと読む）

【課題】 被処理基板が大型化した場合や複数の被処理基板を同時に処理する場合などに、被処理基板に紫外線を均一に照射することができる紫外線照射処理装置を提供するものである。
【解決手段】 処理室３と、処理室３内に設けられた、紫外線の照射処理を受ける基板９１を保持する基板保持具１０と、基板保持具１０の基板保持面１２に対向するように処理室３内に設けられた紫外線発生源１３と、紫外線発生源１３と基板保持面１２との間に設けられ、紫外線発生源１３からの紫外線の照射方向を変える反射板１５とを備え、反射板１５は紫外線の反射面を上下移動させ、或いは反射面の角度を変えることができるようになっている。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率（ｋ）が２．６以下であって、ヤング率の大きい層間絶縁膜及び比誘電率（ｋ）が４．０以下であって、銅の拡散を防止できる銅配線用拡散防止膜とそのソース材料並びにこれらの膜の形成方法と膜形成用プラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】 下記一般式（１）において、少なくとも１つ以上の水素原子が重水素原子で置換された化合物からなることを特徴とする低誘電率層間絶縁膜又は銅配線用拡散防止膜形成用ソース材料。
【化１】


（式中、Ｒ^１は、メチル基を表し、Ｒ^２〜Ｒ^４は、それぞれ独立的に、水素原子、フッ素原子、メチル基、又はメトキシ基を表す。）：低誘電率層間絶縁膜：銅配線用拡散防止膜：膜形成方法：膜形成用プラズマＣＶＤ装置。 （もっと読む）