個人が、投影形式で、リアルタイムに、昼又は夜に、要求に応じて他の個人と情報を収集、共有及び利用することを可能にする小さな携帯型の「ポケットペンサイズ」プロジェクタ／画像取り込み装置。超高密度ＭＥＭＳミラーディスプレイアレイは、１０２４×７６８のラインの投影ディスプレイを提供する。軸上の５１２×３８４のカラーＣＣＤ画像化装置も、含められ、その結果、デジタル的に調整された画像取り込み及び重ね合わせ表示機能が得られる。順次アドレス指定される３つのカラーチップレーザー及び低コストのプラスチック光学系は、グループでの閲覧のためにフルカラー高解像度の明るいディスプレイを提供する。３Ｄカラー画像化は、３次元画像の取り込みを可能にする,装置への双眼鏡アタッチメントによって提供される。 （もっと読む）

３つのＭＭＩＣデバイスを含むＧａＡｓのＥ帯域無線送受信機フロントエンド・チップセットを提供する。第１デバイスには、基底帯域でデータを受信し、Ｅ帯域周波数を有するＬＯ信号とデータを混合し、得られたデータストリームをアップコンバートされたＥ帯域周波数で送信するための回路と、Ｅ帯域周波数を有するデータを受信し、Ｅ帯域周波数を有するＬＯ信号と受信データを混合し、得られた混合受信信号をＩＦにダウンコンバートするための回路と、Ｅ帯域周波数で受信ＬＯ信号を分割し、送信及び受信回路にＬＯ信号を伝達するための回路と、が含まれる。第２デバイスには、基準周波数でＬＯ信号を受信し、ＬＯ信号をＥ帯域周波数に逓倍するための回路が含まれる。第３デバイスには、ＬＯ信号と混合受信ＩＦ信号を混合し、得られた混合受信信号を基底帯域周波数にダウンコンバートするための回路と、ＬＯ信号を生成し、ＬＯ信号を第２デバイスに伝達し、ＬＯ信号を結合し、結合されたＬＯ信号を分割し、分割されたＬＯ信号を第２ダウンコンバート回路に伝達するための回路と、が含まれる。第１及び第２デバイスは、ｐ−ＨＥＭＴプロセスによって製造でき、第３デバイスは、ＭＥＳＦＥＴプロセスによって製造される。また、上記チップセットを利用するＥ帯域通信システムを提供する。
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光検出器、コントローラ、圧電変換器、バッテリ及び再帰反射テープを備える光学タグに関する。光検出器は所定波長の光エネルギーに応答し、コントローラは光検出器の出力へ接続されている。コントローラへ接続されている圧電変換器は、光検出器が光エネルギーに応答するときにはバッテリへも接続されている。再帰反射テープは圧電変換器の上に直に装着されている。圧電変換器とバッテリとの間の接続が確立されるとき、パルスが発生され、再帰反射テープに加えられる。したがって、再帰反射テープに入射する光エネルギーはパルスにより変調され、再帰反射テープにより再帰反射される。
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基板の誘電率を変化させフィルタの周波数応答を任意にシフトさせるために、予め焼成されたＬＴＣＣ基板を、基板の最初の焼成プロファイル期間に生成される温度よりも所定の比較的小さい温度だけ高い温度まで再焼成することにより、低温混合焼成セラミック基板（ＣＴＣＣ）のような、しかしそれに限定されない、セラミック基板に埋設又は形成されたフィルタの周波数応答を調整する方法。
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単一基板水素・マイクロ波吸収体（２０）が金属集積マイクロ波アセンブリ（１０、１０' ）内のスプリアスマイクロ波信号を減衰させ、集積マイクロ波アセンブリ（１０、１０' ）内に実装される、水素に反応しやすい部品の水素による汚染を低減する。単一基板水素・マイクロ波吸収体（２０）は、チタン基板（３０）を含み、その中にチャネル（３２）が互いから所定の距離だけ離隔して配置される。マイクロ波吸収材料（３４）の層がチャネル（３２）間にあるチタン基板（３０）の部分（３５）の上に形成され、水素吸着材料（３６）の層がチタン基板（３０）のチャネル（３２）内に形成される。
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高温で同時焼成されたセラミック（ＨＴＣＣ）材料の代わりに低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ）材料を利用し，プロセス中に，金属リングフレームとは対照的なセラミックフレームを形成することも含む複数のラミネート化工程の組合せを利用する，送信／受信（Ｔ／Ｒ）モジュールを製造する方法。鑞付け金属被覆は，ピンコネクタと共にヒートシンクと蓋を取り付けるためにも利用される。ピンコネクタは，側面印刷工程でＴ／Ｒモジュールの側面に形成される。 （もっと読む）

電気回路が形成されているウェハ上にアクティブ・バイアス（１０）が形成され、電気回路に追加的に印加される入力信号に印加されるバイアス電圧（Ｖｏｕｔ）を生成する。具体的には、アクティブ・バイアス（１０）は、少なくとも１つのトランジスタを備え、電気回路に影響を及ぼすウェハ・ロット変動がアクティブ・バイアスの特性に対し相応して影響を及ぼすように、電気回路を形成するトランジスタ（１０）と同型であることが好ましい。アクティブ・バイアス（１０）は、ドレインが電気回路の出力に電気的に接続された１つの電界効果トランジスタ（１０）を備える。加えて、ドレインはトランジスタのゲートに電気的に接続される。この点において、トランジスタ（１０）を流れる電流は、トランジスタ（１０）のドレインおよびトランジスタのゲートにそれぞれ電圧（Ｖｏｕｔ）を生成する。この電圧（Ｖｏｕｔ）は次いで、電気回路にバイアス電圧として印加される。この回路で、トランジスタ（１０）を流れる電流はウェハ・ロット変動のため変動し、その結果、電気回路に印加されるバイアス電圧（Ｖｏｕｔ）が相応して変化する。アクティブ・バイアス（１０）はさらに追加トランジスタを備えることができ、各トランジスタ（１０）のチャネルは他のトランジスタのゲートに電気的に接続される。この点において、トランジスタを流れる電流は、トランジスタが流れる電流を過度に増減させるのを防止するために相互に調整される。
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電熱フィードバックを利用して、熱放射線センサアセンブリ中の画素のボロメーター形検出要素と環境の間の、その要素の機械的支持構造体と電気インタコネクタによる熱伝導をゼロにして、主として光子線による熱伝導を制限する。バイポーラトランジスタ増幅器の回路の加熱作用によって中間ステージの温度を調節して、機械的支持構造体と電気インタコネクト構造体を通過する温度をゼロにして、電磁線センサの断熱、応答度及び感度を大きく改善する電熱フィードバックによって、機械的支持構造体と電気読み出しインタコネクト構造体に関連する熱伝導をゼロにすることができる。
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光ヘッドが自由空間光通信システムのために提供されている。光ヘッドは、変調された赤外線レーザビームを送受信するために使用される。光ヘッドは、光増幅器、サーキュレータ、極微ステアリング素子、微ステアリング素子、粗ステアリング素子、および微追跡センサを含んでいる。更に、空中ホストプラットフォームとリンクプラットフォームの間の空中自由空間光通信を容易にするための方法が提供されている。各プラットフォームは、変調された赤外線レーザビームを介してデータを送受信する光ヘッドを有しており、前記ホストは、縦続三段ステアリング素子アーキテクチャに構成された微、粗、及び極微ステアリング素子を有する光ヘッドを少なくとも含んでいる。
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付属物として航空機に外側から装着されるようにした密着型防空（ＣＡＤ）システムを提供する。ＣＡＤシステムは、航空機対アダプタ・インターフェースと上部アダプタ側面とを有する密着型取付アダプタを含む。アダプタ・インターフェースと取付側面を有し、アダプタ・インターフェースが、上部アダプタ側面に装着される取付構造体を提供する。ミサイル防衛手段システムは、取付構造体の取付側面に取付けられる。さらに、カバーは防衛手段システムを事実上、閉じ込め、カバーは取付構造体の取付側面に取外し可能に固着される。
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