【課題】波長４０５ｎｍ以下の窒化ガリウム系発光装置の発光出力を増大させる。
【解決手段】基板１０上にバッファ層１２，１４を形成する工程と、バッファ層１４上にｎ−コンタクト層１６を形成する工程と、ｎ−コンタクト層１６上にｎ−クラッド層１８を形成する工程と、ｎ−クラッド層１８上にｎ−ブロック層２０を形成する工程と、ｎ−ブロック層２０上に活性層２２を形成する工程と、活性層２２上にｐ−ブロック層２４を形成する工程と、ｐ−ブロック層２４上にｐ−クラッド層２６を形成する工程と、ｐ−クラッド層２６上にｐ−コンタクト層２６を形成する工程とを有し、ｎ−コンタクト層１６を形成する工程は、Ｓｉ層とｕ−Ａｌ_xＩｎ_yＧａ_1-x-yＮ層を交互に積層する工程からなる。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系半導体を用いた発光装置において、光取出効率を増大させる。
【解決手段】サファイア基板１０の表面にナノインプリントプロセス及びＲＩＥでナノ寸法の凹凸構造を形成し、その上にＧａＮ層１４、ｎ型ＧａＮ層１６、活性層１８、ｐ型ＧａＮ層２０を形成する。凹凸構造により活性層１８からの光の反射を抑制する。サファイア基板１０とＧａＮ層１４との界面にＳｉＯ_２あるいは金属を蒸着してもよい。ｐ型ＧａＮ層２０の外表面にナノ寸法の凹凸構造を形成してもよい。 （もっと読む）

【課題】より効率的に発光でき得る発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置は、紫外線光を照射するＵＶ−ＬＥＤと、このＵＶ−ＬＥＤから照射された紫外線光を受けて互いに異なる有色可視光を発する三種類の蛍光体３０（赤色蛍光体３０ｒ、緑色蛍光体３０ｇ、青色蛍光体３０ｂ）を同一平面にモザイク状に配設することで構成された蛍光体群１８と、を備えている。互いに隣接する蛍光体３０の厚みは異なっており、そのため、蛍光体群１８全体としての表面は、非平坦面となっている。 （もっと読む）

【課題】より均一な輝度で可視光発光が可能な発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１０は、複数のＵＶ−ＬＥＤ１２と、当該ＵＶ−ＬＥＤ１２から照射された紫外線光を全反射させる反射体１６と、反射体１６で反射された紫外線光を受けて可視光発光する蛍光体を備えたフィルタ部材２２と、を備える。この構成によれば、ＵＶ−ＬＥＤ１２から照射された紫外線光の光路長は、反射体１６を介在させない場合に比べて長くなる。そして、紫外線光の光束は、光路長が長くなるにつれ、徐々に広がり拡散され、その強度が均一化される。つまり、この構成によれば、均一な強度でフィルタ部材を紫外線照射することができ、均一な輝度で可視光発光が可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＵＶＬＥＤを用いて装飾効果を一層高める。
【解決手段】紫外光により励起されて発光する蛍光体を分散させたＵＶキャップ１２をＵＶＬＥＤ１０に被覆する。複数種類の蛍光体１００ａ〜１００ｃを積層状に偏在させることで視認する方向により異なる色を発光させる。すなわち、側面Ｖ１から視認すると３つの色Ｃ１〜Ｃ３が視認され、真上Ｖ２から視認すると混色Ｃ４が視認される。蛍光体１００ａ〜１００ｃの積層順序を変更可能とすることでＣ４の色を変化させ、イルミネーション効果を高める。 （もっと読む）

【課題】装飾効果に優れたコースターを提供する。
【解決手段】コースター１の本体７の表面に円形の凹部１０を形成し、同心円上に複数のＵＶＬＥＤ１２を内蔵する。ビアジョッキ等が載置面１１に載置されると、圧力センサ１４がこれを検出し、ＵＶＬＥＤ１２を駆動して紫外光を射出させる。ＵＶＬＥＤ１２からの紫外光はビアジョッキの側面内部を伝搬し、ビアジョッキの側面に塗布された蛍光体を励起して発光させる。紫外光はビアジョッキの側面内部を伝搬するため、ビール等の非透明液体の影響を受けることなく蛍光体を励起できる。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系化合物半導体装置において、転位密度を低減する。
【解決手段】サファイア基板１０の表面にイオンエッチングで溝を形成し、その上にＧａＩｎＮＰバッファ層１２及びＡｌＧａＮ層１４を成長させ、さらに発光デバイス構造を成長させる。サファイア基板１０の表面上に形成された溝によりＡｌＧａＮ層１４の転位密度が低減する。ＡｌＧａＮ層１４のＡｌ組成は１０％以下が好ましく、波長３４５ｎｍ以上が好ましい。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤを用いた交流電源用発光装置において駆動電圧の脈動分によるフリッカを抑制する。
【解決手段】商用交流電源１０をダイオードブリッジ回路１２で全波整流し直列接続されたＬＥＤ群１４に供給する。ＬＥＤ群１４には並列にキャパシタ１６が接続される。キャパシタ１６は、駆動電圧の変動成分を平滑化する作用があり、、キャパシタ１６によりフリッカを抑制することが出来る。なお、ダイオードブリッジ回路１２、ＬＥＤ群１４及びキャパシタ１６は同一基板上に集積形成される。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系化合物半導体装置において、ＧａＮ系層の転位密度を低減する。
【解決手段】基板１０上に順次ＧａＮバッファ層１１、ＧａＮ層１２、ＧａＮとＧａＮＰとからなる量子井戸層（ＭＱＷ）層１４、ＧａＮ層１６を順次成長させる。ＧａＮＰ層のＰ原子が転位の位置に選択的に取り込まれて、転位をそこで終端させ、ＧａＮ層の転位密度を低減させる。このように、ＧａＮ系化合物半導体装置において、ＧａＮ系層間にＧａＮとＧａＮＰとからなる量子井戸層（ＭＱＷ）層を挿入することでＧａＮ層の転位密度を低減させる。 （もっと読む）

【課題】高い駆動電圧、低い駆動電流で動作できる発光装置を提供する。
【解決手段】サファイア等の絶縁基板１０上に複数のＬＥＤ１を二次元的にモノリシック形成し、複数のＬＥＤを直列接続してＬＥＤアレイとする。２組のＬＥＤアレイを互いに逆極性で電極３２に接続する。ＬＥＤ１の間及びＬＥＤ１と電極３２間はエアブリッジ配線２８とする。ＬＥＤアレイをシグザグ状に配置することで多数のＬＥＤ１を形成し、高い駆動電圧と低い駆動電流を得る。２つのＬＥＤアレイは逆極性であるため、電源として交流電源を使用できる。２組のＬＥＤのいくつかは負電極を共有して電気的に接続される。 （もっと読む）