シリカコア−シェル微粒子は、多孔質シリカシェルを、塩基性ｐＨ条件下において、シリカ前駆体から、混合界面活性剤溶液中に分散している非孔質シリカ粒子の表面上に成長させることによって製造する。粒子は、水中油型エマルジョン系中で水熱処理し、粒子をか焼して残留界面活性剤を除去する。場合によっては、粒子を塩基エッチングしてシリカシェル中の細孔の寸法を拡張することができる。規則配列メソ多孔質層を有するコア−シェルシリカ粒子が製造される。 （もっと読む）

本発明は、新規バクテリオシン、それを産生し得る微生物菌株、およびそのバクテリオシンおよび菌株の使用に関連する。そのバクテリオシンは、他の細菌を含めて、Ｃｌｏｓｔｒｉｄｉｕｍ ｄｉｆｆｉｃｉｌｅおよびＬｉｓｔｅｒｉａ ｍｏｎｏｃｙｔｏｇｅｎｅｓに対して有効である。またさらなる局面において、本発明は、２つのペプチド、Ｔｒｎ−αおよびＴｒｎ−βを含むツリシンＣＤ（ｔｈｕｒｉｃｉｎ ＣＤ）と呼ばれるバクテリオシンを提供し、Ｔｒｎ−αは約２７６３の分子量を有し、そしてＴｒｎ−βは約２８６１の分子量を有する。
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アルコールと水を含む混合溶媒系に溶解されたシリカ前駆体及び構造規定剤を含む前ゾル溶液の、アンモニウム触媒による加水分解及び縮合反応によりゾルを調製し、平均径が約５０μｍ以下のシリカのメソ多孔性粒子を作製する工程；粒子を熱水処理して細孔径を増加させる工程；粒子を処理して残留する構造規定剤を除去する工程；及び制御された溶解を用いて細孔径を更に増加させる工程、を含むメソ多孔性シリカ微粒子の合成方法。
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トランスミッタが信号を複数のチャネルに伝送し、それらがコヒーレントＷＤＭに従って波長多重化されている。受信信号の品質は、隣接するチャネルの相対位相をトランスミッタが光路の遅延特性に従って調整することにより大幅に改善される。一例では、奇数及び偶数のチャネル群について各データ信号とビート周波数信号間に１／４ビット周期の相対的遅延を付加して、ＡＭＺＩにより誘導されるレシーバ側の遅延を無効にする。これは、アイクロッシングが８０ＧＨｚビート信号の最小値に対応するようにトランスミッタを整合させることに対応する。隣接するチャネル間に安定な位相関係を得るために、８０ＧＨｚトーンを特定の値に設定する。如何なる高調波又は分調波も位相で同様に変化するので、位相安定化回路のエラー信号として用いることもできる。従って、トランスミッタの位相安定化回路は隣接するチャネル間に所望の安定した最適な位相整合を維持できる。
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高効率微小ＬＥＤ（１００）のアレイ及び製造方法を記載する。各微小ＬＥＤ（１００）はメサ部（１０５）の集積ダイオード構造であり、最適効率が得られるメサ形状及び発光領域（１０４）を選択する。単一の微小ＬＥＤ（１００）は基板（１０１）及び半導体層（１０２）上にメサ部（１０３）、発光層（１０４）及び電気接点（１０６）を有する。このデバイスの微小ＬＥＤは、その形状故に非常に高いＥＥを有する。光はその光が脱出する確率を強くする形状のメサ部内で発生する。非常に高いＥＥは、特に高いアスペクト比を有する準放物面メサ形状により達成される。メサ部の上部は発光層（ＬＥＬ）の上側で切頭化され、半導体メサ部の上に電気接点（１０６）のための平坦面が提供される。上部接点の反射率の値が良好な限り、効率が高いことが分かっている。また、接点（１０６）の占有面積が上部切頭メサ部表面積の１６％未満である場合に、効率が特に高いことが分かっている。この特徴は、デバイスがＬＥＤの場合に、指向性がより強いビームの実現を容易にする。
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金属酸化物粒子を合成するための方法は、プレゾル溶液を調整する過程と、プレゾル溶液を超臨界流体条件下で加水分解しかつ縮合して、規則的な孔構造を有する巨視的メソポーラス粒子を形成する過程とを含む。プレゾル溶液は、ＣＴＡＢ及びＰ１２３のような界面活性剤の混合物を含むことができる。超臨界流体はｓｃＣＯ_２とすることができる。メソポーラス粒子は、２〜１５ｎｍの範囲のメソ孔直径及び１〜５μｍの巨視的直径を有する球体とすることができる。この粒子はクロマトグラフィ及び他の用途に有用である。
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オープンベース半導体ダイオードデバイスは、エミッタ層、ベース層およびコレクタ層を有する。該デバイスが、（ｉ）正抵抗を有して電圧Ｖ_ｐｔから始まるパンチスルー領域と、それに続く、（ｉｉ）Ｖ_ｃｒｉｔおよびＩ_ｃｒｉｔにおける導電率変調から始まり抵抗Ｒ_ｃｒｉｔを有する正抵抗段階を含むアバランシェ領域と、を有するＩＶ特性を有するように各層が構成されドープされ、（ｉｉｉ）Ｖ_ｃｒｉｔ、Ｉ_ｃｒｉｔおよびＲ_ｃｒｉｔの値が各層の構成およびドーピングに従って設定される。デバイスはダブルベース構造を有し、アバランシェ現象によって導電率変調が発生する箇所の電流密度（Ｊ_ｃｒｉｔ）が増加するように低ドープベース領域の幅が最小限に抑えられる。一例として、デバイスはＮ−Ｎ＋ダブルエミッタまたはＰ−Ｐ＋ダブルエミッタを含む。Ｎ−層またはＰ−層の厚さが、通電容量が最大になりこの層のドーピングがデバイスの通電容量に影響を及ぼさないように最小限に抑えられる。
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クロマトグラフ相の合成、送達又は沈積又は局在化、特にクロマトグラフ分離又は固相抽出のための方法は、超臨界二酸化炭素のような超臨界流体を用いて、化学部分を支持体に導入する過程からなる。 （もっと読む）

ファブリ・ペロー(ＦＰ)レーザ装置(１)がＮ型基板(２)、アクティブ領域(３)、Ｐ型クラッディング(４)、絶縁体(５)及びコンタクト(６)を有する。クラッディング(４)は複数のスロット(８)を設けた突条部(７)を有する。スロットは光の部分的な長手方向反射を引き起こす。スロットの正確な位置は、出力光の選択した特定のモードが正確かつ予測可能な形で得られるように選択する。スロットパターンを設計する方法では、ピーク発光波長として特定のファブリ・ペローモードを優先的に選択すること及び任意の数の隣接するファブリ・ペローモードを抑制すること双方を行う。前記方法では、そのキャビティ内部の１組のファブリ・ペローモードを他のファブリ・ペローモードより優先的に選択する。このようにして前記方法は、ピークレイジング波長を予め決定すること及び温度変化に対するピークレイジング波長の安定性に関する半導体レーザの問題を解決する。前記方法により、独立した装置としての機能性及びより複雑な複数のセクション又は複数の要素からなる装置の構成部品としての機能性双方を向上させたマルチモード装置の製造が可能となる。 （もっと読む）

メソポーラス材料を調製するための方法は、ゾルを調製し、前記ゾル材料を超臨界流体条件下で処理する過程を有する。超臨界液体条件下での処理は、規則的なメソポーラス材料を形成する。前記ゾルを基板に塗布してメソポーラス膜を形成し、次に超臨界流体条件下で前記膜を処理することができる。別の実施例では、前記方法が、ゾルを超臨界流体条件下で直接処理して、メソポーラス粉末材料を形成する過程を有する。
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