半導体発光装置は、ｎ型領域７１とｐ型領域７３との間に配された発光層７２を含むウルツ鉱ＩＩＩ族窒化物半導体構造を含んでいる。テンプレート層１８及び転位曲げ層２０は、発光層７２の前に成長される。テンプレート層１８は、前記テンプレート層内の前記転位の少なくとも７０％がエッジ転位２９、３０、３１、３２であるように、成長される。前記テンプレート層内のエッジ転位２９、３０、３１、３２の少なくとも一部は、前記転位曲げ層内まで続いている。転位曲げ層２０は、テンプレート層１８とは異なる大きさの歪みを有するように成長される。テンプレート層１８と転位曲げ層２０との間の界面における歪みの変化は、前記テンプレート層のエッジ転位２９、３０、３１、３２の少なくとも一部を、前記転位曲げ層内の異なる方位に曲げさせる。曲げエッジ転位３３よりも上方に成長される半導体材料は、減少された歪みを呈し得る。
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ｎ型領域とｐ型領域との間に配される光放射層と、半導体構造の面内又は面上に形成される光子結晶４０４とを含む前記半導体構造４０２が、前記光放射層により放射される光の通路に配されるセラミック層４０８と組み合わされる。前記セラミック層は、蛍光体のような波長変換物質からなるか、又は当該物質を含む。
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発光ダイオード（ＬＥＤ）は、前記ＬＥＤをサブマウントに取り付ける前に、前記ＬＥＤ又は前記サブマウントの何れかに堆積されるアンダーフィル層を使用して作製される。前記ＬＥＤを前記サブマウントに取り付ける前における前記アンダーフィル層の堆積は、より均一でボイドがない支持体を提供し、改善された熱特性を可能にするためのアンダーフィル材料の選択肢を増大させる。前記アンダーフィル層は、前記ＬＥＤを前記サブマウントに取り付ける前における前記成長基板の取り除きの間の薄く脆いＬＥＤ層のための支持体として使用されることができる。更に、前記アンダーフィル層は、前記ＬＥＤ及び／又はサブマウントの接触領域のみが露出するように、パターンニングされる及び／又は研磨されて戻されることができる。前記アンダーフィルのパターニングは、更に、当該デバイスを単離するのを助けるガイドとして使用されることもできる。
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【課題】光の取出率を改善するために半導体発光素子の面に形成されたフレネルレンズ及びホログラフィックディフューザの一方又は両方を含む発光デバイス、このような発光デバイスを形成するための方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子の面に形成された光学エレメントは、反射損失及び全反射による損失を低減して、光の取出効率を改善する。フレネルレンズ、ホログラフィックディフューザは、化学的ウェットエッチング又はドライエッチング技術をリソグラフィー技術と共に用いて面上に形成できる。フレネルレンズ等の形成は、表面に削り加工等を行ってもできる。スタンピング工程を用いても、半導体発光素子の面にフレネルレンズやホログラフィックディフューザを形成できる。スタンピングは、所望の光学エレメントを逆にした形状及びパターンスタンピングブロックを発光ダイオードの面に対してプレスする工程を含む。 （もっと読む）

遠隔オブジェクトを照射する照明器具は、反射ベース面３８及び反射側壁４０をもつキャビティと、前記キャビティ内に取り付けられた複数の発光ダイオード１０とを有し、前記キャビティ３６は、ＬＥＤよりも多い複数の光放射孔４４を含む、前記反射ベース面３８と向かい合う平面反射光出力面４２をもち、前記孔４４は、前記キャビティ３６の上面の全表面エリアの少なくとも１０％を占め、実質的な各孔４４の近くの当該照明器具により放射された光は、光輝度が角度内のピーク輝度の２分の１となる角度の尺度で、約４５〜９０度の制御された分散角をもち、前記キャビティが５ｃｍよりも小さい深さをもち、当該照明器具により放射された光は、当該照明器具の前記平面反射光出力面から離れた特定の距離の平面オブジェクトの実質的に均一な照射を供給する。
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標準的な無半田のコネクタ36、38が、少なくとも一つの高出力のLEDチップ28を支持している型成形されたパッケージ本体42から延在している。当該パッケージ26は、パッケージ本体42全体に延在する比較的大きな金属の小片44を含む。LEDチップ28は、当該LEDチップ28と金属の小片44との間を電気的に絶縁しているセラミックのサブマウント30と共に、金属の小片44の上面に取り付けられている。サブマウント30上の電極32、34は、パッケージのコネクタ36、38に接続されている。ネジ用の開口部52、54などの無半田の固定手段が、パッケージを熱伝導性のある取付け基板上に確実に固定するために、パッケージ26に供される。パッケージにある小片は、LEDからの熱を放散するために、取り付け基板に熱的に接触している。パッケージ内にある位置合わせ用の構造（例えば空孔）48、50は、パッケージを基板上の対応する位置合わせ構造に正確に定置させる。型成形された本体を使用しない複数の他のパッケージが説明されている。
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照明された対象物に対して点光源として現れることはない、カメラ用の非常に薄いフラッシュ・モジュールが説明されている。これ故、当該フラッシュは、対象物に対してより好ましい。ある実施例では、発光面積は、約10mm x 5mmの大きさである。固体のライトガイドに光学的に結合された、薄型で側面発光型のLEDは、2mmよりも薄いフラッシュ・モジュールを可能にする。当該フラッシュ・モジュールは、ビデオ録画用に連続的に点灯されることもできる。当該モジュールは、携帯電話用カメラ及び他の薄型カメラに特に役に立つ。
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照明装置は、１つ以上の発光ダイオードなどの光源１０２と、不透明な支持構造体１１２に取り付けられる波長変換素子１１０とを含む。前記支持構造体は、開口部１１４を含み、前記波長変換素子は、変換光が前記開口部を通して放射されるように前記開口部と位置合わせされる。前記波長変換素子は、発光セラミックなどの硬い構造体であってもよく、前記開口部は、前記支持構造体を通る穴であってもよい。前記支持構造体は、前記波長変換素子を、前記波長変換素子が前記光源から物理的に分離されるように保持してもよく、又は他の例においては、前記支持構造体は、前記波長変換素子を前記光源と物理的に接触させてもよい。
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【課題】発光領域とｐ型領域とｎ型領域とを有する半導体構造体を含むデバイスを提供すること。
【解決手段】半導体構造体が、発光領域と、該発光領域の第１の側に配置されたｐ型領域と、該発光領域の第２の側に配置されたｎ型領域とを含む。発光領域の第１の側にある半導体構造体の厚さの少なくとも１０％は、インジウムを含む。こうした半導体発光デバイスの幾つかの例は、ｎ型領域を成長させ、ｐ型領域を成長させ、ｎ型領域とｐ型領域との間に配置された発光層を成長させることによって、形成することができる。Ｎ型領域の一部の成長温度とｐ型領域の一部の成長温度との間の温度差は、少なくとも１４０℃である。 （もっと読む）

【課題】半導体発光デバイスを実装するために前処理する方法を提供する。
【解決手段】発光デバイスは、サブマウントへの実装のための実装面を有する。本方法は、実装面以外の発光デバイスの少なくとも１つの表面を、その少なくとも１つの表面の表面エネルギーを低下させるように処理する段階を含み、これにより、発光デバイスが実装されるときに、実装面とサブマウントとの間に施工されるアンダーフィル材料が、少なくとも１つの表面を汚染しないようにされる。 （もっと読む）