半導体発光装置34は、ｎ型領域とｐ型領域の間に配置される発光層を含む半導体発光装置を含む。前記発光層は第１ピーク波長を有する第１光を発するように適合される。第１波長変換材料38は、前記第１光を吸収し、第２ピーク波長を有する第２光を発するように適合される。第２波長変換材料36は、前記第１光又は前記第２光を吸収し、第３ピーク波長を有する第３光を発するように適合される。フィルタ40は、第４ピーク波長を有する第４光を反射する。前記第４光は、前記第２光の一部又は前記第３光の一部である。当該フィルタは、前記第４波長より長い又は短いピーク波長を有する光を透過させるように適合される。当該フィルタは、前記第１、第２、及び第３光の少なくとも一部の経路における前記発光装置にわたり配置される。
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当該装置は、ｎ型領域４４、４９とｐ型領域４６との間に配された発光層４８を有する半導体構造を含んでいる。前記半導体構造は、窓層４０と光指向構造４４との間に配されている。前記光指向構造は、前記窓層に向かって光を指向するように構成されており、適切な光指向構造の例は、多孔性半導体層及びフォトニック結晶を含む。ｎ型コンタクト５８、６４は、前記ｎ型領域に対する電気的に接続されており、ｐ型コンタクト６０、６２は前記ｐ型領域に電気的に接続されている。ｐ型コンタクトは、前記半導体構造内に形成される開口５４内に配されている。
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傾斜した組成の１又はそれ以上の領域は、デバイス中の界面と関連したV_fを削減するために、III-P発光デバイスに含まれる。本発明の実施形態によれば、半導体構造体は、n型領域とp型領域との間に配置されたIII-P発光層を有する。傾斜領域は、p型領域とGaP窓層との間に配置される。アルミニウム組成は、傾斜領域において傾斜される。傾斜領域は、少なくとも150nmの厚さをもつ。幾つかの実施形態において、p型領域とGaP窓層との間の傾斜領域に加えて又はこれの代わりに、アルミニウム組成は、エッチング停止層とn型領域との間に配置された傾斜領域において傾斜される。
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発光装置は、ｎ型領域及びp型領域の間に配置される発光層を含む半導体構造を含む。コンタクト部は、半導体構造において形成され、前記コンタクト部は、半導体構造と直接接触にある反射的金属、及び、反射的金属内に配置される追加的な金属又は半金属、を含む。特定の実施例において、追加的な金属又は半金属は反射的金属より高い電気陰性度を有する。コンタクト部における高い電気陰性度の存在は、コンタクト部の全体電気陰性度を増加させ得、装置のフォワード電圧を低下させ得る。特定の実施例において、酸素収集材料がコンタクト部に含まれる。
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少なくとも２つのピン１１、１２を持つパッケージ１０が提案される。該パッケージは、第１の機能を持つ半導体構造２０と、第２の機能を持つ少なくとも１つの回路素子を有する電気回路３０と、を有する。構造２０及び回路３０は、ピン１１、１２に電気的に接続される。更に、該パッケージは、ピン１１、１２を通る第１の動作信号６０及び第２の動作信号７０を時間多重化することにより、該第１及び第２の機能を実行するように動作可能である。最後に、該第１の機能は照明機能であり、該第２の機能は感知機能である。本発明は、ＬＥＤ又はレーザダイオードを有する、コスト効率が良く汎用性の高い小型化された発光パッケージを提供するため、特に有利である。
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構造は、視射入射角において発された光の抽出を増大させることができる半導体発光装置内に組み込まれている。幾つかの実施例において、当該装置は、全内面反射によって、前記金属コンタクトから外方に前記光を指向する低屈折率材料を含んでいる。幾つかの実施例において、当該装置は、視射角光を直接的に抽出することができる又は前記視射角光を当該装置から更に容易に抽出されるより小さい入射角に指向することができる半導体構造内のキャビティのような、抽出フィーチャを含んでいる。 （もっと読む）

提案されるのは、半導体発光装置１０及び熱スイッチ２０を有する発光モジュール１である。熱スイッチ２０は、装置１０を過熱から保護するように配されている。上昇された温度で、装置１０の前記接合部は、前記装置の破局的な故障を生じる臨界的なレベルに到達し得る。本発明によれば、前記熱スイッチは、前記半導体発光装置を分路するように配される。このことは、熱スイッチ２０によって提供される熱保護が、装置１０の前記（接合部の）温度に直接的に関連するので、特に有利である。
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本発明の幾つかの実施の形態では、透明基板AlInGaPデバイスは、普通のエッチング停止層より吸収を少なくすることができるエッチング停止層を含んでいる。本発明の幾つかの実施の形態では、透明基板AlInGaPデバイスは、普通の結合界面より低い順方向電圧を与えるように構成することができる結合界面を含む。デバイス内の吸収及び／または順方向電圧を低下させると、デバイスの効率が改善することができる。 （もっと読む）

平行化された光ビームを供給する構造は、第１のピーク波長を有する光を放出するように構成されている光源と、光源を出る光の少なくとも一部分を光源のトップ表面に実質的に垂直な方向に導き、別の部分を反射させるように構成されている構造のグループとの組合せを含む。幾つかの実施の形態では、光源から放出される光の経路内に波長変換要素が位置決めされ、この波長変換要素は、第１のピーク波長を有する光の少なくとも一部分を吸収して第２のピーク波長を有する光を放出するように構成されている。上記構造のグループは、波長変換要素が構造のグループと光源との間に配置されるように、波長変換要素上に形成させることができる。 （もっと読む）

AlGaInP発光デバイスが、薄いフリップチップデバイスとして形成される。デバイスは、ｎ型領域（２２）とｐ型領域（２６）との間に配置されたAlGaInP発光層（２４）を含む半導体構造を含む。ｎ及びｐ型領域に電気的に接続されたｎ及びｐ両コンタクト（３４、３２）は、半導体構造の同一側に形成される。半導体構造は、コンタクトを介してマウント（４０）に接続される。デバイス内の半導体層の合計の厚みが、幾つかの実施の形態では15μｍより小さく、幾つかの実施の形態では10μｍより小さくなるように、成長基板が半導体構造から除去され、厚い透明基板が省略されている。半導体構造のトップ側はテクスチャを付けることができる。
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