一実施例において、フリップチップＬＥＤは、自身のｎ型層及びｐ型層の底面から延在している高密度の金のポストを備えて形成されている。前記金のポストは、サブマウント電極に結合されている。次いで、アンダーフィル材料が、前記ＬＥＤの底部と前記サブマウントとの間のボイドを充填するように成形される。前記アンダーフィルは、シリコーン成形コンパウンドベースと約７０―８０重量％のアルミナ（又は他の適切な材料）とを有する。アルミナは、典型的なシリコーンアンダーフィルの熱伝導率の約２５倍良好である熱伝導率を有し、大部分は、二酸化ケイ素である。前記アルミナは、白色の粉体である。前記アンダーフィルは、反射性を向上させるために約５―１０重量のＴｉＯ_２を有しても良い。ＬＥＤの光は、この反射性のアンダーフィルによって上方に反射され、前記アンダーフィルは、熱を前記サブマウントへ効率的に導く。前記アンダーフィルは、前記光散乱をランダム化し、光抽出を改良する。分配された前記金のポスト及びアンダーフィルは、成長基板のリフトオフ処理においてＬＥＤ層を支持する。
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【課題】活性領域に少なくとも１つのｐ型層を有するＩＩＩ族窒化物発光装置を提供する。
【解決手段】ｎ型層、ｐ型層、及び、ｐ型層とｎ型層との間で発光することができる活性領域を含むＩＩＩ族窒化物発光装置。活性領域は、少なくとも１つの付加的なｐ型層を含む。活性領域のｐ型層は、量子井戸層又はバリア層とすることができる。いくつかの実施形態では、活性領域の量子井戸層及びバリア層の両方ともｐ型である。いくつかの実施形態では、活性領域のｐ型層の平均転位密度は、約５×１０⁸ｃｍ^-2よりも小さい。 （もっと読む）

発光装置は、発光デバイス（ＬＥＤ）ダイ及び前記ＬＥＤダイ上の光学要素を含む。前記光学要素は、レンズ、ウィンドウ要素及び前記レンズ及び前記ウィンドウ要素の間に設けられた境界での結合部を含む。前記ウィンドウ要素は波長変換要素又は場合により平面プレートであり得る。前記ウィンドウ要素は前記レンズに直接結合されるか又は融合され得る。又は前記ウィンドウ要素は前記レンズへ１以上の中間的結合層により結合され得る。前記ウィンドウ要素及びレンズの間の結合部は、前記ウィンドウ要素、レンズ又はその両方と類似する屈折率を有する。
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ハウジング本体とレンズとを有するハウジングのアレイを形成するために、ハウジング本体106とレンズ102とを有するハウジングのアレイがモールド成形されるか、又はハウジング本体のアレイがレンズとモールド成形されて結合される。発光ダイオード（LED）116がアレイのハウジングに取り付けられる。ハウジングの背面に接続パッドを形成するために、金属パッド112のアレイがアレイの背面に結合されるか、又はハウジングのアレイとインサート・モールド成形される。個々のLEDモジュールを形成するために、アレイが切り離される。
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第１のピーク波長を有する第１の光を発することができる発光ダイオードが、提供される。前記発光ダイオードは、前記発光ダイオード上に蛍光体層を備えており、前記蛍光体層は、前記第１の光を吸収して、第２のピーク波長を有する第２の光を発することができる。前記蛍光体層は、前記第１のピーク波長を有する光が、前記蛍光体層により吸収されることなく、前記孔を通って出ることを可能にするように位置決めされている孔のパターンを含んでおり、前記孔は、前記第１のピークの波長を有する光が、前記第２のピーク波長を有する光よりも多く、前記孔の領域において前記蛍光体を出るのを容易にするように配されている。
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直列に接続された複数（Ｎ）のＬＥＤに対する過渡電圧抑制器回路が開示されている。１つのツェナーダイオードだけが、ＬＥＤの間の各ノードとの接続のために作られ、ツェナーダイオード対（「端部」ツェナーダイオード）が、一連の直列の２つのピン（アノード及びカソードパッド）と接続している。従って、Ｎ＋１個のツェナーダイオードだけが使われる。ツェナーダイオードがコモンｐ＋基板を共有しているので、端部ツェナーダイオード（Ｑ１及びＱｎ＋１）は、２つのピン間に効果的に背中合わせツェナーダイオードを作る。端部ツェナーダイオードＱ１及びＱｎ＋１のｎ＋領域は、最大降伏電圧要件を持ち、比較的離れて配置されなければならない。中間のツェナーダイオードの隣接するｎ＋領域は、非常に低い降伏電圧要件を持つので、より近づいて位置される。ツェナーダイオードが少なく、これらの間隔が小さくなるので、ツェナーダイオードは、非常に小さなフットプリント内に配置されるか、又はより良好な抑制パフォーマンスのために大きくできる。
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半導体構造が、n-タイプの領域22とp-タイプ領域26との間に配置されたIII族の窒化物の発光層24を有している。当該半導体構造は更に、第1の層23の上に成長した湾曲制御層25を有する。当該湾曲制御層は、n-タイプの領域と第1の層との間に配置される。湾曲制御層はGaNの理論的な格子定数よりも小さな理論的な格子定数をもつ。第1の層は実質的に単結晶の層である。
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【課題】半導体発光素子において、半導体界面の反射及び透過特性を有利に変更して、半導体から光を抽出する効率のよい方法を提供する。
【解決手段】ＬＥＤの任意の界面において周期的な規則的界面テキスチャを備え、第１のパス光の抽出が改善される。界面のパターン形成は、光の抽出のために素子内部における多重反射をしないで、より多くの光を外部に送り込めるように制御される。さらに、規則的なテキスチャ界面によって、光線が外部に脱出する場合のフレネル損失を減少させることが可能になる。テキスチャ特徴の形状及び寸法は、光の抽出が最適になるように選択される。 （もっと読む）

フリップチップ発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ１０のアレイがサブマウントウェハ１２に取り付けられる発光装置を作製する方法が、記載される。前記ＬＥＤダイの各々の上に、同時に成形されるのは、半球状の第１のシリコーン層である。予備成形された可撓性の蛍光体層３８は、シリコーン内に注入される蛍光体粉体を有し、前記半球状の第１のシリコーン層の外側表面に沿うように前記第１のシリコーン層上に積層される。次いで、シリコーンレンズ６６は、前記蛍光体層上に成形される。前記蛍光体層を予備成形することによって、前記蛍光体層は、非常に厳しい公差まで作られ、試験されることができる。成形された半球状のシリコーン層により前記ＬＥＤダイから前記蛍光体層を分離することによって、観察角度に対する色は一定であり、前記蛍光体は、熱によって分解しない。前記可撓性の蛍光体層は、複数の異なる蛍光体層を有することができ、リフレクタ又は他の層を有することができる。
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半導体構造が、ｎ型領域２０とｐ型領域２４との間に配された、発光層２２を含んでいる。ｐ側電極が、ｐ型領域の一部の上に配されている。ｐ側電極は、ｐ型領域の第１の部分と直接接触する反射性の第１の材料２６と、その第１の部分に隣接するｐ型領域の第２の部分と直接接触する第２の材料３０とを含んでいる。第１の材料２６および第２の材料３０は、同一の厚さのプラナー状の層として形成される。
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