【課題】波長変換発光デバイスを提供する。
【解決手段】半導体発光デバイスが、波長変換物質と組み合わされる。半導体発光デバイスは、第一ピーク波長の第一光を放出するように形成される。波長変換物質は、第一光の少なくとも一部を吸収し、且つ、第二ピーク波長の第二光を放出するように形成される。幾つかの実施形態では、第一の波長変換物質は、（Ｂａ_1-xＳｒ_x）_2-y-0.5zＳｉ₅Ｎ_8ーzＯ_z：Ｅｕ_y²⁺、ここに、０．２＜ｘ＜０．３、（Ｂａ_1-xＣａ_x）_2-y-0.5zＳｉ₅Ｎ_8ーzＯ_z：Ｅｕ_y²⁺、ここに、０．０１＜ｘ＜０．２、又は、Ｍ₂Ｓｉ_5-aＡ_aＮ_8ーaＯ_a：Ｅｕ²⁺、ここに、Ｍ＝Ｓｒ，Ｂａ，Ｃａ；Ａ＝Ａｌ，Ｂ，Ｇａ，Ｓｃ；且つ０．０１＜ａ＜０．２である。 （もっと読む）

【課題】特性および信頼性を低下させることなくＩＩＩ−Ｖ族発光デバイスを成長させるための基板を提供すること。
【解決手段】ホストおよび該ホストに接合されたシード層を含む基板が準備され、次いで、ｎ型領域およびｐ型領域の間に配置された発光層を含む半導体構造が、前記シード層上に成長される。幾つかの実施形態では、接合層が、前記ホストを前記シード層に結合させる。シード層は、前記シード層に形成される転位によって、または前記シード層と前記接合層の間、即ちこれら二つの層間の界面での滑りによって半導体構造における歪みが解除されるように、前記半導体構造における歪みの緩和のための臨界圧力よりも薄くすることができる。幾つかの実施形態において、前記ホストは、前記接合層をエッチング除去することにより前記半導体構造およびシード層から分離されてよい。 （もっと読む）

【課題】波長変換発光デバイスを提供する。
【解決手段】半導体発光デバイスが、波長変換物質と組み合わされる。半導体発光デバイスは、第一ピーク波長の第一光を放出するように形成される。波長変換物質は、第一光の少なくとも一部を吸収し、且つ、第二ピーク波長の第二光を放出するように形成される。幾つかの実施形態では、第一の波長変換物質は、（Ｂａ_1-xＳｒ_x）_2-y-0.5zＳｉ₅Ｎ_8ーzＯ_z：Ｅｕ_y²⁺、ここに、０．２＜ｘ＜０．３、（Ｂａ_1-xＣａ_x）_2-y-0.5zＳｉ₅Ｎ_8ーzＯ_z：Ｅｕ_y²⁺、ここに、０．０１＜ｘ＜０．２、又は、Ｍ₂Ｓｉ_5-aＡ_aＮ_8ーaＯ_a：Ｅｕ²⁺、ここに、Ｍ＝Ｓｒ，Ｂａ，Ｃａ；Ａ＝Ａｌ，Ｂ，Ｇａ，Ｓｃ；且つ０．０１＜ａ＜０．２である。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤパッケージの位置合わせの精度を改善するシステム及び方法を提供する。
【解決手段】ＬＥＤパッケージが、該ＬＥＤパッケージの絶縁体の外側にあり、ヒートシンクに対して既知の固定関係を有する位置基準構成を含む。ＬＥＤダイは、該ＬＥＤダイがヒートシンクに対して固定関係を有するように、該ヒートシンクに取り付けられる。したがって、位置基準構成は、ＬＥＤパッケージ内のＬＥＤダイの位置にフレームの基準を提供する。位置基準構成は、ヒートシンクに取り付けることができ、又は該ヒートシンクから一体形成することができる。ピックアンドプレース・ヘッドは、例えば位置基準構成を位置合わせピンと係合させることによって、ＬＥＤパッケージを保持する。さらに、ＬＥＤパッケージは、絶縁体内に横方向に延び、ＬＥＤダイの方向に延びるリード線を含み、該リード線と該ＬＥＤダイとの間の垂直方向距離を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】光の取出率を改善するために半導体発光素子の面に形成されたフレネルレンズ及びホログラフィックディフューザの一方又は両方を含む発光デバイス、このような発光デバイスを形成するための方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子の面に形成された光学エレメントは、反射損失及び全反射による損失を低減して、光の取出効率を改善する。フレネルレンズ、ホログラフィックディフューザは、化学的ウェットエッチング又はドライエッチング技術をリソグラフィー技術と共に用いて面上に形成できる。フレネルレンズ等の形成は、表面に削り加工等を行ってもできる。スタンピング工程を用いても、半導体発光素子の面にフレネルレンズやホログラフィックディフューザを形成できる。スタンピングは、所望の光学エレメントを逆にした形状及びパターンスタンピングブロックを発光ダイオードの面に対してプレスする工程を含む。 （もっと読む）

【課題】ｐ形ＧａＮ層に応用した場合に望ましい光学及び電気特性を呈する透光性接触部を形成する方法の提供。
【解決手段】オプトエレクトロニクス素子（１０）のｐ形ＧａＮ層（２０、３０）の表面上に、金属酸化物からなる透光性接触部を成膜技術によって形成する。透光性接触部は、所望の金属を成膜前又は成膜中に酸化して形成する。金属酸化物は、ＮｉＯ、ＩＩ属金属酸化物、遷移金属酸化物等から選択されて成る。透光性接触部には、更に貴金属が添加され得る。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤダイの上にレンズを形成する技術を提供する。
【解決手段】１以上のＬＥＤダイ１０が、サブマウントである支持構造体１２上に装着され、ＬＥＤダイは、サブマウント上のリードに予め電気接続される。モールド１４は、支持構造体上のＬＥＤダイの位置に対応する凹部１６を有し、凹部は、シリコーンのような液体の光学透明材料で充填される。凹部形状は、レンズの形状である。モールドとＬＥＤダイ／支持構造体が互いに合わせられ、モールドが次に加熱され、シリコーンを硬化する。モールドと支持構造体は次に分離され、各ＬＥＤダイの上にシリコーンレンズを残す。このオーバーモールド処理は、異なるモールドで反復することができ、レンズの同心シェルが作成される。各同心レンズは燐光体を含有し、特別な放射パターンをもたらし、異なる硬度値を有し、又は異なる技術で硬化可能であるなどの異なる特性を有することができる。 （もっと読む）

【課題】波長変換素子を有する半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体発光装置は、別々に作成された波長変換素子を用いて準備される。例えば燐光体及びガラスの波長変換素子は、シート状に生成され、これが個々の波長変換素子に分離されて発光装置に結合される。波長変換素子は、それらの波長変換特性に応じて分類して保管することができる。波長変換素子は、一次及び二次光の望ましい混合をもたらすために半導体発光装置と選択的に適合させることができる。 （もっと読む）

【課題】蛍光体などの蛍光物質を適切に配置して、発光ダイオードによって放出された光の波長を適切に変換する照明システムを提供すること。
【解決手段】少なくとも２つの波長変換物質を備える波長変換型半導体発光素子において、該素子によって放出される混合可視光の等価輝度、演色指数、及び色域のうちの１つ又はそれ以上を最大にするために、該素子内の波長変換物質は、異なる波長変換物質間の相互作用を調整するように発光素子に対して及び互いに対して配置される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光ダイオードなどのフリップチップ・アーキテクチャ半導体発光デバイスの実装に関する。
【解決手段】デバイスは、サブマウントと、該サブマウントの第１の面上の第１及び第２の導電領域上にフリップチップ・アーキテクチャ構成の状態で実装される半導体発光デバイスとを含む。サブマウントは、該サブマウントの第２の側に第３及び第４の導電領域を有する。第３及び第４の導電領域は、ワイヤボンドを使用することなく、基板などの構造体にサブマウントをハンダ付するために使用することができる。第１及び第３の導電領域は、第１の導電層によって電気的に接続され、第２及び第４の導電領域は、第２の導電層によって電気的に接続される。第１及び第２の導電層は、サブマウントの外側上に配置することができ、又はサブマウント内部に配置することができる。 （もっと読む）