発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージ（３００）は、アクティブ領域を含む半導体レイヤのスタックを有するＬＥＤダイと、ＬＥＤダイ上の波長変換素子とを有する。波長変換素子は、所望の角度色分布パターンを生成する２又はそれ以上の非平坦放射面を有する。
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蛍光物質層（３０）を備えるＬＥＤ（１０）のアレイを設けたサブマウントウェハ（３６）が凹部（４２）のアレイを有するモールド（４０）に対して位置合わせされる。シリコンと１０〜５０重量％のＴｉＯ_２との混合物（４４）が前記ウェハと前記凹部との間に分配され、モールドされた実質的反射性材料を作り出す。前記モールドされた混合物は、前記ＬＥＤの側壁を覆う反射壁（４６）を形成する。それから、前記反射性材料が硬化され、前記側壁を覆う前記反射性材料が、前記ＬＥＤから発せられる光を閉じ込めるように、前記サブマウントウェハが、前記モールドから分離される。前記サブマウントウェハはダイシングされる。一片（例えばリフレクター（５０）や支持ブラケット（７６）等）は前記サブマウント（２２）に固定され、前記ＬＥＤが前記一片の中央孔（５４）を貫通して突き出るようにする。前記一片の内縁部が、前記ＬＥＤの頂面（３２）より高くても又は低くても、どのような高さに置かれても良いように容易に形成される。
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本発明の実施例によるデバイスは、第1の透明材料の部分から通常は形成される光導波路6を含む。光源8が当該光導波路の底面のすぐ近くに配置される。光源は、半導体発光ダイオード12と、半導体発光ダイオードと光導波路との間に配置された第2の透明材料の部分と、を有する。第2の透明材料の部分の側壁18は反射性である。照明されねばならない面が、光導波路の上面のすぐ近くに配置されている。幾つかの実施例では、光導波路の縁部は湾曲している。
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ＬＥＤのためのアンダーフィルの形成の技術は、サブマウントウェハ上に取り付けられるＬＥＤダイをカプセル化する一方で、前記サブマウントウェハ上のアンダーフィル材料の反射層を形成するために、反射性アンダーフィル材料を成形する。次いで、前記アンダーフィル材料は、例えば、硬化処理によって、硬くされる。前記ＬＥＤダイの上部にわたる硬化された前記アンダーフィル材料は、マイクロビーズブラストを使用して除去される一方で、前記サブマウント表面上に前記反射層を残す。次いで、露出された前記成長基板が、全ての前記ＬＥＤダイから除去され、蛍光体層は、露出された前記ＬＥＤ表面にわたって成形される。次いで、レンズが、前記ＬＥＤ上に及び一部の前記反射層上に成形される。次いで、前記サブマウントウェハが単体化される。前記反射層は、如何なる更なる処理ステップも伴わずに、前記ＬＥＤ装置の効率を向上させ、前記サブマウントによる光吸収を低減する。
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デバイスは、ｎ型領域とｐ型領域との間に配置された少なくとも１つのＩＩＩ−Ｐ発光層を有する半導体構造を含む。該半導体構造は更に、ｘ＜０．４５であるＧａＡｓ_ｘＰ_１−ｘのｐコンタクト層を含んでいる。第１のメタルコンタクトが、前記ＧａＡｓ_ｘＰ_１−ｘのｐコンタクト層と直接的に接触する。第２のメタルコンタクトが前記ｎ型領域に電気的に接続される。第１及び第２の金属コンタクトは、前記半導体構造の同一面に形成される。
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デバイスは、ｎ型領域とｐ型領域との間に配置されたIII族窒化物発光層２６と、ｎ型領域及びｐ型領域のうち一方の中に配置された複数の層対とを有する半導体構造体を含む。各層対は、ＩｎＧａＮ層２０ａ，２０ｂ，２０ｃとＩｎＧａＮ層と直接接触するピット充填層２２ａ，２２ｂ，２２ｃとを含む。ピット充填層は、ＩｎＧａＮ層に形成されたピットを埋め得る。
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本発明の実施形態は、ｎ型領域とｐ型領域との間に配置されたIII族窒化物発光層を有する半導体構造体を含む。ｐ型領域上に配置された接点は、ｐ型領域と直接接触する透明導電材料、反射金属層、透明導電層と反射金属層との間に配置された透明絶縁材料を含む。透明絶縁材料内の複数の開口部において、透明導電材料は、反射金属層と直接接触する。
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デバイスは、ｎ型領域（２２）とｐ型領域（２６）との間に配置された発光層（２４）を有する半導体構造を含む。該半導体構造は、ｎコンタクト領域（２３）及びｐコンタクト領域（２５）を含む。ｎコンタクト領域（２３）の断面は、発光層（２４）及びｐ型領域（２６）の部分が除去されてｎ型領域（２２）が露出された複数の第１の領域（２８）を有する。複数の第１の領域（２８）は、発光層（２４）及びｐ型領域（２６）が当該デバイス内に残存する複数の第２の領域（２７）によって離隔される。当該デバイスは更に、ｐコンタクト領域（２５）内で半導体構造上に形成された第１の金属コンタクト（４０）と、ｎコンタクト領域（２３）内で半導体構造上に形成された第２の金属コンタクト（３８）とを含む。第２の金属コンタクト（３８）は、ｎコンタクト領域（２３）の第２の領域（２７）のうちの少なくとも１つと電気的に接触する。
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光を放出するものであるデバイスは、サブマウント（１２）に取り付けられたフリップ−チップの光を放出するものであるダイオード（ＬＥＤ）のダイを具備する。サブマウントの上部の表面は、反射性の層を有する。ＬＥＤのダイの上に成形されたものは、半球状の第一の透明な層（３６）である。そして低い屈折率の層（６８）は、蛍燐光体の光のＴＩＲを提供するための第一の透明な層の上に提供されたものである。そして半球状の蛍燐光体の層（７０）は、低い屈折率の層の上に提供されたものである。そしてレンズ（７２）は、蛍燐光体の層の上に成形されたものである。高い屈折率の蛍燐光体の層及び下にあるものである低い屈折率の層の界面におけるＴＩＲと組み合わせられた、反射性のサブマウントの層によって達成された反射は、大いにランプの効率を改善する。他の材料は、使用されたものであることがある。低い屈折率の層は、空気のギャップ（４６）又は成形された層（６８）であることがある。低い屈折率の層の代わりに、分布させられたブラッグ反射体（７６）は、第一の透明な層の上にスパッタリングされたものであることがある。
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ｎ型領域とｐ型領域との間に配置された発光層を有する半導体構造が形成される。ｎ型領域の一部上に第１のメタルコンタクトが形成され、ｐ型領域の一部上に第２のメタルコンタクトが形成される。第１及び第２のメタルコンタクトは半導体構造の同一面上に形成される。第１のメタルコンタクトと第２のメタルコンタクトとの間の誘電体材料が配置される。該誘電体材料は、半導体構造の一部、第１のメタルコンタクトの一部、及び第２のメタルコンタクトの一部と直接的に接触する。第１のメタルコンタクトの表面と、第２のメタルコンタクトの表面と、該誘電体材料の表面とを含む平坦面が形成される。
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