【課題】本発明は、発光ダイオードなどのフリップチップ・アーキテクチャ半導体発光デバイスの実装に関する。
【解決手段】デバイスは、サブマウントと、該サブマウントの第１の面上の第１及び第２の導電領域上にフリップチップ・アーキテクチャ構成の状態で実装される半導体発光デバイスとを含む。サブマウントは、該サブマウントの第２の側に第３及び第４の導電領域を有する。第３及び第４の導電領域は、ワイヤボンドを使用することなく、基板などの構造体にサブマウントをハンダ付するために使用することができる。第１及び第３の導電領域は、第１の導電層によって電気的に接続され、第２及び第４の導電領域は、第２の導電層によって電気的に接続される。第１及び第２の導電層は、サブマウントの外側上に配置することができ、又はサブマウント内部に配置することができる。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤパッケージの位置合わせの精度を改善するシステム及び方法を提供する。
【解決手段】ＬＥＤパッケージが、該ＬＥＤパッケージの絶縁体の外側にあり、ヒートシンクに対して既知の固定関係を有する位置基準構成を含む。ＬＥＤダイは、該ＬＥＤダイがヒートシンクに対して固定関係を有するように、該ヒートシンクに取り付けられる。したがって、位置基準構成は、ＬＥＤパッケージ内のＬＥＤダイの位置にフレームの基準を提供する。位置基準構成は、ヒートシンクに取り付けることができ、又は該ヒートシンクから一体形成することができる。ピックアンドプレース・ヘッドは、例えば位置基準構成を位置合わせピンと係合させることによって、ＬＥＤパッケージを保持する。さらに、ＬＥＤパッケージは、絶縁体内に横方向に延び、ＬＥＤダイの方向に延びるリード線を含み、該リード線と該ＬＥＤダイとの間の垂直方向距離を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】 光源から物理的に分離された波長変換素子を使用することにより、高い輝度を生じる増大した電流で駆動できる、波長変換を用いた照明装置を提供する。
【解決手段】 照明装置は、１以上の発光ダイオード、キセノンランプまたは水銀ランプのような光源から物理的に分離された、フォスファー体層のような波長変換素子を使用する。波長変換素子は光源から光学的に分離され、該波長変換素子によって放出される変換光が光源に入射するのを防止するようになっている。従って、波長変換素子の温度制限は排除され、それによって高輝度を生じる増大した電流で光源を駆動することが可能になる。更に、波長変換素子を光源から光学的に分離することにより、当該装置野変換およびリサイクル効率が改善され、これも輝度を増大させる。 （もっと読む）

【課題】発光装置の光取り出し効率の改善を提供する。
【解決手段】光学部材に結合された発光半導体素子を含む装置。いくつかの実施形態では、光学部材は、活性領域によって放射された光の一部分を半導体発光素子及び光学部材の中心軸線と実質的に垂直な方向に向けるように伸長するか又は成形することができる。いくつかの実施形態においては、半導体発光素子及び光学部材は、反射器内又は光導体に隣接して配置される。光学部材は、光学部材と半導体発光素子との間に配置された境界面での結合部により、第１の半導体発光素子に結合することができる。いくつかの実施形態では、この結合部は、有機ベースの接着剤を実質的に含まない。 （もっと読む）

【課題】光散乱を強化した発光素子を提供する。
【解決手段】基板、基板の上に重なるテクスチャ加工層、テクスチャ加工層の上に重なる少なくとも１つのＩＩＩ族窒化物層、及び、実質的に平面の発光領域を含む発光素子。
散乱層を組み込んだ素子は、幾つかの異なる方法によって形成することができる。第１の方法では、エピタキシアル層が堆積され、次にエッチングしてテクスチャ加工層を形成する。第２の方法では、フォトマスクを堆積させ、フォトマスクに開口部を生成するためにパターン化する。次に、フォトマスクに形成した開口内にテクスチャ加工層が選択的に堆積される。第３の方法では、テクスチャ加工層は、三次元の成長に有利な条件下で堆積され、次に任意選択的に焼き鈍しされる。 （もっと読む）

【課題】蛍光体などの蛍光物質を適切に配置して、発光ダイオードによって放出された光の波長を適切に変換する照明システムを提供すること。
【解決手段】少なくとも２つの波長変換物質を備える波長変換型半導体発光素子において、該素子によって放出される混合可視光の等価輝度、演色指数、及び色域のうちの１つ又はそれ以上を最大にするために、該素子内の波長変換物質は、異なる波長変換物質間の相互作用を調整するように発光素子に対して及び互いに対して配置される。 （もっと読む）

【課題】光抽出率を改善するために厚いエピタキシャル層を有するＡｌＧａＩｎＮベースＬＥＤを提供する。
【解決手段】基板と、該基板に結合した多層エピタキシャル構造と、を含むＡｌＧａＩｎＮ発光ダイオード素子であって、
前記多層エピタキシャル構造が、上部ＡｌＧａＩｎＮ領域、活性領域及び下部ＡｌＧａＩｎＮ領域を含み、前記上部及び下部ＡｌＧａＩｎＮ領域はアルミニウム、ガリウム、インジウム及び窒素からなる群より選択した少なくとも１元素で作られた複数のエピタキシャル層を含み、前記多層エピタキシャル構造が少なくとも４μｍの厚みを持ち、
前記基板の、前記多層エピタキシャル構造と結合させる面がテクスチャをつけられた面であることを特徴とするＡｌＧａＩｎＮ発光ダイオード素子。 （もっと読む）

【課題】半導体発光装置のためのパッケージ、特に、厚い銅層を有する基板を含むパッケージを提供する。
【解決手段】半導体発光装置パッケージは、コア及びコアの上に重なる銅層を有する基板を含む。発光装置は、直接的又は配線基板を通じて間接的に基板に接続される。基板のコアは、例えば、セラミック、Ａｌ₂Ｏ₃、ＡｌＮ、アルミナ、窒化珪素、又はプリント回路基板とすることができる。銅層は、銅の直接結合又は活性金属蝋着のような処理によってコアに結合することができる。 （もっと読む）

【課題】蛍光材料及びＬＥＤを含む発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、少なくとも一つの第１特性に関する蛍光材料を含む複数の光学部材の各々を検査し、前記光学部材の各々を、前記少なくとも一つの第１特性に基づく複数の分類に分類し、第２特性を有する複数の発光素子を有するアセンブリを設け、前記第１特性と第２特性との組合せに基づいて選択された分類から選択光学部材を選択し、前記選択光学部材を前記アセンブリに固定する、方法を提供する。 （もっと読む）