本発明は、一次反射体１０６と熱的に連通する一次半導体光源１０４を有する電球１０２に関する。ここで、一次反射体１０６は、反射的、透明及び／又は半透明である。一次反射体１０６は、動作の間に一次半導体光源１０４により生成された熱を一次半導体光源１０４から離れる方に伝達するように構成される。結果として、本発明の電球１０２は、電球１０２に含まれる部品の数を効果的に削減し、これにより、電球１０２を製造するコストを低減する。
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波長変換材料１４を含む可撓性フィルム１４、１６が、光源の上に位置付けられる。前記可撓性フィルムは、所定の形状に適合される。幾つかの実施例において、前記光源は、支持基板１２に取り付けられる発光ダイオード１０である。前記ダイオードは、前記可撓性フィルムが、前記支持基板と前記鋳型との間に配置されるように、鋳型２０のくぼみと位置合わせされる。前記支持基板と前記鋳型との間には透明な成形材料が配置される。前記支持基板と前記鋳型とは、前記成形材料を前記くぼみに充填させるよう押し付けられる。前記可撓性フィルムは、前記光源又は前記鋳型の形状に適合する。
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波長変換材料３２の層は、エネルギが、粒子３８を表面１５に付着させるように、波長変換材料の粒子３８にエネルギ５０、５４、５８を供給し、前記粒子３８を表面１５と接触させることによって、形成される。幾つかの実施例においては、前記波長変換材料３２は、蛍光体であり、前記表面１５は、半導体発光装置の表面である。
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成長基板の上面の上で半導体構造１４、１６、１８が成長させられる。前記半導体構造は、ｎ型領域とｐ型領域との間に配置されるＩＩＩ族窒化物発光層を有する。 湾曲制御層１０が、前記成長基板１２と直接接触して配置される。前記成長基板１２は、GaNの熱膨張係数より小さい熱膨張係数を持ち、 前記湾曲制御層１０は、GaNの熱膨張係数より大きい熱膨張係数を持つ。
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本発明の実施例に従う方法は、ホスト基板部、及び、ホスト基板部へ接合されるシード層、を含む基板を提供するステップを含む。シード層は複数の領域を有する。ｎ型領域及びｐ型領域との間に配置される発光層を含む半導体構造は基板において成長させられる。シード層に成長させられる半導体構造の上部表面は、複数のシード層領域のそれぞれよりも大きい横方向の拡がりの度合いを有する。
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本発明の実施例は、基板であって、ホスト基板部、及び前記ホスト基板部へ接合されるシード層、を含む基板と、前記シード層において成長させられる半導体構造であって、ｎ型領域及びｐ型領域との間に配置される発光層を含む半導体構造と、を含む。前記半導体構造の成長方向に直交する方向における屈折率の変化は、前記ホスト基板部及び前記発光層の間に配置され得る。
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【課題】放射ソースと、燐光体を含む蛍光材料とを備えたイルミネーションシステムを提供する。
【解決手段】第１の光を放出することのできる放射ソースと、前記第１の光を吸収すると共に、前記第１の光とは異なる波長の第２の光を放出することのできる第１の蛍光材料であって、式（Ｌｕ_0.495Ｙ_0.495Ｃｅ_0.01）₃Ａｌ₅Ｏ₁₂を有する燐光体である第１の蛍光材料とを含むシステム。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤパッケージの位置合わせの精度を改善するシステム及び方法を提供する。
【解決手段】ＬＥＤパッケージが、該ＬＥＤパッケージの絶縁体の外側にあり、ヒートシンクに対して既知の固定関係を有する位置基準構成を含む。ＬＥＤダイは、該ＬＥＤダイがヒートシンクに対して固定関係を有するように、該ヒートシンクに取り付けられる。したがって、位置基準構成は、ＬＥＤパッケージ内のＬＥＤダイの位置にフレームの基準を提供する。位置基準構成は、ヒートシンクに取り付けることができ、又は該ヒートシンクから一体形成することができる。ピックアンドプレース・ヘッドは、例えば位置基準構成を位置合わせピンと係合させることによって、ＬＥＤパッケージを保持する。さらに、ＬＥＤパッケージは、絶縁体内に横方向に延び、ＬＥＤダイの方向に延びるリード線を含み、該リード線と該ＬＥＤダイとの間の垂直方向距離を減少させることができる。 （もっと読む）

装置は、ｎ型領域及びｐ型領域の間に配置される発光層を含む半導体構造50を含む。発光性材料58a・58bは、前記発光層によって発される光の経路に位置される。熱的結合材料56は、透明材料60内に配置される。前記熱的結合材料は、前記透明材料の熱伝導率よりも大きい熱伝導率を有する。前記熱的結合材料は、前記発光性材料から熱を排出するように位置される。
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n型領域及びp型領域の間に配置されたIII族窒化物の発光層を含む半導体構造を含むデバイス。透明な導電性の非III族窒化物材料はn型領域と直接接触して配置される。発光層及び透明な導電性の非III族窒化物材料の間の半導体材料の総厚は1μm未満である。 （もっと読む）