観測者が種々の角度からレンズを観測するときにきらめきを生成する、ＬＥＤチップを囲む略半球状のレンズが記載される。該レンズは、１００乃至１００００個以上の小型レンズの相互接続されたアレイから形成される。各小型レンズは、該小型レンズの出射部において該ＬＥＤチップの像をフォーカスさせ、ここで該出射部における該ＬＥＤチップの像面積は、該ＬＥＤチップの面積の１／９よりも小さく、これにより、該レンズの外面において該ＬＥＤチップの略点光源の像を生成する。該ＬＥＤチップが通電されると、各小型レンズの形状は、該ＬＥＤチップの点光源の像を、種々の観測角において観測者により知覚されるようにし、観測者が該レンズに対して移動するにつれて、発せられるＬＥＤ光がちらつくように及びスペックルを呈するように見える。
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発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイは、第１導電型の層と発光層と第２導電型の層とを含むＬＥＤ層を形成することによって製造される。少なくとも部分的に第１導電型の層内まで達するトレンチがＬＥＤ層内に形成される。第１導電型の層の少なくともダイエッジに沿った部分内に、あるいは該部分に隣接して、電気絶縁領域が形成される。第１導電型の層に電気的に接触し且つＬＥＤダイ間の個片化ストリート上まで延在するように、第１導電型の接合パッド層が形成される。第２導電型の層に電気的に接触し且つＬＥＤダイ間の個片化ストリート及び第１導電型の層の電気絶縁部分の上まで延在するように、第２導電型の接合パッド層が形成される。ＬＥＤダイは、サブマウントにマウントされ、ＬＥＤダイ間の個片化ストリートに沿って個片化される。
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当該装置は、リフレクタと、リフレクタ上に配されている波長変換材料とを含んでいる。バックライトは、前記リフレクタと照明されるべき表面（例えば、、ＬＣＤ表示パネル）との間に配される。前記バックライトは、光源及び導波路を含んでいる。前記導波路は、前記光源からの大部分の光を前記リフレクタに向かって指向する。前記光の少なくとも一部は、前記波長変換材料によって変換され、前記リフレクタによって反射され、前記照明されるべき表面に入射する。
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発光ダイオード（LED）がウェーハ規模で製造される。製造方法は、切り離されたLEDをキャリヤ・ウェーハ又は伸縮性フィルム上に載置するステップと、LED間に隙間をつくるためにLEDの間隔を拡げるステップと、反射コーティングをLED上及びLED間の隙間に付加するステップと、LED間の隙間にある反射コーティングを、多少の反射コーティングがLEDの横方向の側面上に残留するよう破壊又は分離するステップと、を含む。LEDの横方向の側面上にある反射コーティングの部分が、エッジ発光を制御するのを助けることができる。
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ディスプレイ用のバックライトは複数の照明モジュールを有し、各照明モジュールは光源（１２）及び反射部材（１０）を有する。反射部材の一部（１４）は、光源（１２）の上に配置される。複数の照明モジュールの上には、液晶表示パネル（２６）が配置される。反射部材（１０）は、光源（１２）からの大部分の光が、液晶表示パネル（２６）に対する一様な照射を提供するよう液晶表示パネル（１２）と平行に向けられるように、構成される。幾つかの実施形態では、光源（１２）は少なくとも１つの半導体発光ダイオードである。
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半導体発光ダイオード６４のような光源６０が、ディスプレイにおける導波部として機能し得る透明部材５０における第１の開口５４に配置される。該透明部材は、該光源を囲む。該透明部材における第２の開口７０には、光源は配置されない。幾つかの実施例においては、該第１の開口は、光を該透明部材へと向けるような形状とされる。幾つかの実施例においては、該光源の上に反射器６６が配置される。該反射器は、平坦部分と成形部分６８とを含む。該成形部分は、該平坦部分から該光源に向かって延在する。
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【課題】ＬＥＤの発生光の外部への結合効率を効率的に改善する。
【解決手段】基板１１２上に堆積した半導体材料の第１の層１３と共にｐ−ｎダイオードを形成する前記半導体材料の第２の層１４と、第１と第２の層の間にあって、光を発生する発光領域１８と、第２の層に堆積した第１の電極１５と、第１の層に電気的に接続された第２の電極１６が含まれている。基板１１２の上部表面に、光を散乱または回折するための突出部１１８及び／または陥凹部１１９が設けられる。第２の層の上部表面の粗面化も用いることができる。 （もっと読む）

本発明の実施態様は、ＩＩＩ族窒化物半導体構造を含み、ｎ−タイプ領域（１４）及びｐ−タイプ領域との間に設けられる発光領域（１６）を含む。前記発光領域（１８）の少なくともひとつの層はＢ_ｘ（Ｉｎ_ｙＧａ_１−ｙ）_１−ｘＮである。いくつかの実施態様において、ｘは１４％未満である。いくつかの実施態様において、前記ＢＮ組成は、前記Ｂ_ｘ（Ｉｎ_ｙＧａ_１−ｙ）_１−ｘＮ層が、同等のＩｎＧａＮ層と同じバンドギャップエネルギを持ち、前記同等のＩｎＧａＮよ同じかより小さいバルク格子定数を持つ。
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コンプライアントなボンディング構造は、半導体装置とマウント４０との間に配される。幾つかの実施例において、当該装置は、発光装置である。前記半導体発光装置が、例えば、前記半導体発光装置に超音波エネルギを供給することによって、前記マウントに取り付けられる場合、前記コンプライアントなボンディング構造は、前記半導体発光装置と前記マウントとの間の空間を部分的に充填するように崩壊する。幾つかの実施例において、前記コンプライアントなボンディング構造は、ボンディングの間、塑性変形を経る複数金属バンプ３２である。幾つかの実施例において、前記コンプライアントなボンディング構造は、多孔性金属層４６である。
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発光ダイオード（ＬＥＤ）モジュール（６８）を形成する方法は、連結されたリードフレーム（４４）のアレイの上にレンズ支持フレーム（４２）のアレイを成形する。ＬＥＤ（２０、３０）は支持フレーム内でリードフレーム接点（１２、１４）に接合される。成形されたレンズ（４８）が次にそれぞれの支持フレームの上に貼り付けられ、リードフレームは個々のＬＥＤモジュール（６８）を作るために、さいの目状に切断される。他の実施形態では、レンズ（８０）は、単一のピースを作るよう支持フレーム（８２）と共に成形され、支持フレームは連結されたリードフレームのアレイ内のリードフレーム（７２）に貼り付けられる。他の実施形態では、レンズが使用されず、カップ（１５）がリードフレーム（１６）と共に成形されるので、ＬＥＤモジュール（３８）は単一のリードフレーム／カップおよびＬＥＤのみで形成される。それぞれのＬＥＤ同封物は、ただ１つまたは２つの別個のピースで形成され、モジュールはアレイスケールで製造されるので、モジュールを大変小さく簡単に作ることができる。
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