【課題】 優れた均一性及び低い抵抗率を有するＴｉＮ膜を堆積するための、経済的で高いスループットのプロセスを提供する。
【解決手段】 前駆体として塩化チタン（ＴｉＣｌ_４）及びアンモニア（ＮＨ_３）を用いて、バッチリアクター中で窒化チタン（ＴｉＮ）が形成される。ＴｉＣｌ_４は、時間的に分離されたパルスでリアクター内へフローされる。ＮＨ_３は、また、ＴｉＣｌ_４パルスと交互に時間的に間隔をおいたパルスでリアクター内へフローされ得るか、又はＴｉＣｌ_４がパルスで導入されるが、ＮＨ_３は連続的にリアクターへフローされ得る。生じるＴｉＮ膜は、低い抵抗率及び優れた均一性を示す。 （もっと読む）

【課題】処理された基板中に結晶スリップが最小限しか起こらず、基板バッチ中の個々の基板に一貫した処理結果を得られる基板処理方法および装置を提供する。
【解決手段】サセプタプレート１００の表面粗さを最小限にする。サセプタプレート１００のウェハ接触面１１０の表面粗さＲａ値を約０．６μｍまたはそれ以上にし、接触面を平坦に接触面から大きな突起をなくす。さらに、サセプタの透明度を低くして、サセプタの熱吸収特性と、支持されているウェハの熱吸収特性とをさらに等しくする。
【効果】（例えば１０００℃を超える）高温での半導体処理中に、ウェハを支持するためにこれらのサセプタを使用すると、結晶スリップラインは、ウェハ上に全く形成されないか、またはほんの少数しか形成されなくなる。 （もっと読む）

連続プロセスをバッチ反応チャンバ内で行って超高品質のシリコン含有化合物層、例えば窒化シリコン層を低温で形成する。反応速度制限条件化で、シラン前駆体としてトリシランを用いて基板上にシリコン層を堆積する（６９０）。トリシラン流を遮断する（６９２）。そしてシリコン層を窒素ラジカルで窒化することにより、例えばトリシランステップの後、プラズマ電力（リモートまたはインサイチュ）を律動的にオンすることより、窒化シリコン層を形成する（６９４）。窒素ラジカル供給を停止する（６９６）。場合によっては非活性化アンモニアも連続的にまたは間欠的に供給する。所望ならば、各トリシランおよびシリコン化合ステップの後、リアクタをパージして気相反応を回避し、各サイクルが約５〜７オングストロームの窒化シリコンを作製するプロセスを繰り返して厚さをより大きくする。
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集積回路中のデュアルダマシン（ｄｕａｌ ｄａｍａｓｃｅｎｅ）構造、特に多孔質材料中に形成された開口部のコンフォーマリティの裏張り（ｌｉｎｉｎｇ）のための方法及び構造が提供される。トレンチ（ｔｒｅｎｃｈ）及びコンタクトビア（ｃｏｎｔａｃｔ ｖｉａ）が絶縁層中に形成される。これらのトレンチ及びビアの側壁上のポアがブロックされ、次いでこの構造は、所望のライニング材料の単層を形成するために交互に化学物質に曝される。例示的なプロセスフローにおいて、シーリング層の化学または物理気相成長法（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｏｒ ｐｈｙｓｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）（ＣＶＤまたはＰＶＤ）により、不完全なコンフォーマリティに起因してポアをブロックする。交互のプロセスも、自己飽和（ｓｅｌｆ−ｓａｔｕｒａｔｉｎｇ）、自己制御（ｓｅｌｆ−ｌｉｍｉｔｉｎｇ）原子層堆積（ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）（ＡＬＤ）プロセスと比較して減少されたコンフォーマリティを達成するようなパルス間隔及びパルス幅の選択によって構成され得る。なお別の構成において、異方性多孔質構造を有する層が、上部表面を選択的に溶融することによってシールされ得る。次いで、自己制御、自己飽和原子層堆積（ＡＬＤ）反応により、有意にポアを充填することなくブロッキングが行われる。
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拡散バリア膜と金属膜との間の接着性を改善するための方法が提唱される。拡散バリア膜及び金属膜の両方は、いずれかのシークエンスで、半導体基板上へ堆積される。拡散バリア膜又は金属膜のいずれか一方である第一膜（第一膜は、基板の表面領域の少なくとも一部で暴露される）を有する基板は、酸素含有リアクタントに暴露され、第一膜の露出部分に酸素含有基又は酸素原子の約１の単層の表面終端を生成する。次いで、第二膜（これは、拡散バリア膜及び金属膜のうち他方である）が基板上に堆積される。さらに、酸素架橋構造が提唱され、該構造は、拡散バリア膜及び該拡散バリア膜との界面を有する金属膜を含む（ここで、界面は、酸素原子の単層を含有する）。
【課題】
【解決手段】
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【課題】カセット内のウェハの情報を収集するための画像センサを備える撮像システムを提供すること。
【解決手段】カセット内のウェハが、カセットを開放する必要なくマッピングされる。カセットは、特定のタイプの放射に対して少なくとも部分的に透過性である。放射源が、カセットの透過性または透明な部分を通ってカセット内に方向付けられ、前記放射に対して感受性の高い画像センサが、カセットの内部のウェハから反射された放射を検知する。第２の放射源および第２のカメラが、好ましくは、異なる角度から追加のウェハの画像のために提供される。これらの画像を処理することによって、ウェハの特定の方向おおよびカセットの装填状態を判定することができる。 （もっと読む）