【課題】バッチ式リアクタ内の基板上にＴｉＮ及びシリコンをインサイチュに蒸着するための実行可能な方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハのバッチをプロセスチャンバに挿入するステップ１と、前記プロセスチャンバ内の前記ウェハ上に、チタン窒化物（ＴｉＮ）を蒸着するステップ２と、複数の前記蒸着するステップの間に、前記プロセスチャンバから前記ウェハを取り出すことなしに、前記プロセスチャンバ内の前記ウェハ上に、シリコンを蒸着する。好ましい実施形態では、ＴｉＮを蒸着する前記ステップ２およびシリコンを蒸着する前記ステップ３が両方とも、約４００〜５５０℃以内であり、且つ、両方の温度差が１００℃以内にある温度で行われる。 （もっと読む）

【課題】半導体リアクタの部品を、基板プロセスの間に損傷を受けないように保護するための手段を提供すること。
【解決手段】半導体プロセスリアクタを形成する部品２００の開口部２１０を内張りするために、挿入部材２６０が使用される。幾つかの実施の形態では、前記リアクタ部品はリアクタチャンバを画定する。前記リアクタ部品は、グラファイトで形成されていてもよい。シリコンカーバイドの層２３０が、前記リアクタ部品の前記開口部２１０の表面２４０、２４２、２５０に堆積され、前記挿入部材が前記開口部内に配置される。前記挿入部材は、穴２６２を有し、その穴は、熱電対２７０のような別のリアクタ部品を収容する。前記挿入部材は、前記開口部内に前記別のリアクタ部品を挿入することによって生じる磨耗から、前記開口部の前記壁を保護する。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤモードとＣＶＤモードの利点を組み合わせる方法を提供すること。
【解決手段】原子層堆積法（ＡＬＤ）により１つの層を堆積し、パルス化学気相堆積法（ＣＶＤ）により別の層を堆積する。ＡＬＤ部分では、反応物の逐次的かつ交互のパルスを流す。パルスＣＶＤ部分では、２つのＣＶＤ反応物を流す。少なくとも第１のＣＶＤ反応物はパルスとして流され、このパルスは第２のＣＶＤ反応物のフローと少なくとも部分的にオーバーラップする。本発明により、例えばナノラミネート膜を形成することができる。好ましくは、第１ＣＶＤ反応物より長い合計持続時間の間、第２ＣＶＤ反応物を反応チャンバへ流すことによって高品質の層が形成される。いくつかの実施形態では、第３反応物のパルスは、パルスの長さの少なくとも約１．７５倍の持続時間によって分離されている。好ましくは、第１ＣＶＤ反応物１パルス当たり約８分子層未満の材料が堆積される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置におけるスループットの低下を最小限にする。
【解決手段】半導体基板処理装置に、フロントエンド１０２を備え、当該フロントエンドに、基板カセット１０を処理装置のハウジング内外に搬入出するための入出力ポート４１ａ、４１ｂを２つの垂直方向の高さ位置に備える。２つの垂直方向の高さ位置の入出力ポート同士の間に、少なくとも１つの高さ位置の蓄積位置４３を設ける。蓄積位置と入出力ポートとを、それぞれ、垂直方向の２つの別の高さ位置に２つずつ設けることで、全部で８つのカセットを処理装置のフロントエンドに収容し得る。処理装置のハウジング１０３内に、内部蓄積位置を、ウエハハンドリングチャンバに隣接させ、かつハウジングカセット用の回転式プラットフォームを有するカセット蓄積部から間隔をおいて、設ける。単一のカセットハンドラを使用して、各入出力ポートと内部蓄積位置とにおいてカセットにアクセスし得る。 （もっと読む）

【課題】デュアルダマシンメタライゼーションにおいて、Ｃｕ配線構造のバリア材料を絶縁層の表面上のみに選択的に形成し、接続構造部のエレクトロマイグレーションを抑制するとともに、下層導電層との接続抵抗を低減する選択的堆積方法を提供する。
【解決手段】Ｃｕ層２０上の絶縁層１４，１５をエッチングしてトレンチとビアを開孔する。ビア底部のＣｕ層の表面１０に原子層成長（ＡＬＤ）ブロック層を形成する。この後、原子層成長（ＡＬＤ）法を用いてＴｉＮバリア材料２６を絶縁層表面１２、１３に堆積する。ブロック層により、ビア底部のＣｕ層の表面にはバリアは形成されないため、ビア底部のＣｕは露出した状態のままである。開口部内にＣｕ１８を充填するとＣｕ層に直接接続することが出来る。 （もっと読む）

【課題】均一なガスフローパターンにより均一な堆積フィルムを生じる半導体処理システムを提供する。
【解決手段】 半導体基板を処理するために、リモートコントロールされ、基板ホルダのスロット内に挿入されたセンサシステム１００が、リアクター等のバッチリアクター内において、ウェハボート等の基板ホルダのアライメントを測定するために用いられる。センサシステム１００は、コントローラと通信するためのトランシーバと、プロセスチャンバ外部のデータ収集ユニットとを備える。さらに、センサシステム１００は、センサからプロセスチャンバの壁まで距離を測定するための距離センサ１２０を備える。センサは、プロセスチャンバの周囲３６０°に渡る範囲の測定を得るために回転される。プロセスチャンバ内の基板ホルダのアライメントは、回転角と、測定された距離又は距離センサ１２０によって受信された信号との関係に基づいて決定される。 （もっと読む）

【課題】ガスの膨張による爆発および粒子による汚染を起こしにくいペデスタルを提供する。
【解決手段】ペデスタルは、内部から処理室１６内へガスを排出するための開口部１４２を有する。開口部１４２には、開口部１４２を覆って管１２２内に密閉された被焼結セラミックまたはガラスディスクの形態のフィルタ１３０を設けて、ペデスタル内に存在する粒子の通過を妨げる。フィルタが粒子を濾過することにより汚染源が取り除かれるので、処理室内においてウエハに高品質の処理を行い得る。 （もっと読む）

【課題】不飽和の配位を有する気相反応物の同種の他の分子と結合又はリアクタ壁への接着を防止する。
【解決手段】気相堆積プロセス（２つ以上の反応物が該反応チャンバに供給される）によって反応チャンバ中の基板上の膜の堆積を改良するための方法であって、以下：
揮発性中性配位リガンドを該反応チャンバに供給すること（ここで、該リガンドは、（ｉ）該反応物の１つ及び（ｉｉ）該膜堆積プロセスの間に該チャンバ中に形成される反応副生成物、の少なくとも１つに配位することが出来る）；
を含む方法を提供すること。 （もっと読む）

【課題】プロセスガスに依る半導体処理に使用されるドアプレートの提供。
【解決手段】縦型炉のプロセス室は、上側及び下側のドアプレートを備える閉鎖部またはドアを装備している。上側のドアプレートはその中央に近接してガス排出開口を有し、これによりプロセスガスのプロセス室を介してガス排出開口へ入る対称性の流れが可能となる。上側のドアプレートは下側のドアプレートから離隔されることでシール室を形成し、シール室が不活性ガスでパージされる。任意選択として、ガス排出開口及びシール室は、共に上側のドアプレートの内部に形成されるガス排出チャネルに繋がる。ガス排出チャネルは、炉からガスを排出する排出口へ通じ、腐食性のプロセスガスの流路を、比較的腐食しやすい金属によって製造される可能性のある下側のドアプレートの表面から分離する。 （もっと読む）

【課題】基板上に貴金属を含む薄膜を化学気相成長法を用いて安定的に堆積する方法を提供する。
【解決手段】反応チャンバ中の基板上に貴金属を含む薄膜を堆積するための方法であって、該方法は、以下を含む： 該基板を水素ハライド又は金属ハライドの気体ハライド又は有機金属化合物を用いて処理すること；及び 貴金属反応物及び酸素含有反応物からの該貴金属を含む薄膜を、気相堆積プロセスである原子層堆積プロセスを用いて堆積すること。 （もっと読む）