説明

マックス プランク ゲゼルシャフト ツゥアー フェデルゥン デル ヴィッセンシャフテン エー フォーにより出願された特許

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【課題】非熱的プラズマを生成するため電極列を改良する。
【解決手段】本発明は非熱プラズマを生成するための電極列1に関するものであり、この電極列1は、導電性材料で作製された層状の第一電極2と、導電性材料で作製され第一電極2から電気的に絶縁された層状の第二電極4と、第一電極2と第二電極4との間に配置された誘電体バリア3とを備えており、これにより、誘電体バリア放電によって非熱プラズマが生成される。本発明の電極列は、第一電極2及び第二電極4のうち少なくとも一が、電極上に分布されている複数の孔を備えている。 (もっと読む)


【課題】手をインビボで滅菌するのに好適な装置を提供する。
【解決手段】本発明は、非熱プラズマで患者の身体部分を治療するための装置1、特に人の手を滅菌するための装置1に関するものである。この装置1は、治療中に身体部分を一時的に受け入れるための筐体2であって、内部で身体部分にプラズマを印加するための筐体2と、この筐体2内に配置された入口側開口部3であって、内部に身体部分を挿入して筐体2内に入れるための入口側開口部3とを備えている。 (もっと読む)


【課題】プラズマの滅菌効果を高め、プラズマ療法における創傷の治癒を促進する。
【解決手段】本発明は表面を治療するため、特に創傷1を治療するための、非熱的プラズマに関するものであり、プラズマは部分的イオン化搬送気体と、治療表面に対する滅菌効果を有することが好ましく及び/又は創傷1の治癒を促進する少なくとも一の添加物とを備える。さらに、本発明は対応する装置及び方法に関するものである。 (もっと読む)


本発明は、AXL受容体ファミリーの受容体チロシンキナーゼの阻害剤である新規な化合物に関する。これら化合物は、AXLファミリーの受容体の機能亢進に関連する疾患、AXLファミリーの受容体の機能亢進に伴う疾患又はAXLファミリーの受容体の機能亢進を原因とする疾患の治療又は予防に適している。本化合物は、例えば癌、特に癌転移等の過剰増殖性疾患の治療に適している。
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【課題】従来の冷却技術の欠点を解消する。
【解決手段】サンプル1の冷却に適した超急速冷凍装置100は、基板チップ10と、少なくとも一のサンプル担持体20と、を備える。基板チップ10は、サンプル1の冷却に適している。少なくとも一のサンプル担持体20は、サンプル1の収容に適していると共に少なくとも一の加熱可能支持体21を備える。少なくとも一のサンプル担持体20は、基板チップ10に少なくとも一の加熱可能支持体21を通じて取り付けられている。好ましくは、少なくとも一のサンプル担持体20は、懸架状態で基板チップ10に取り付けられている。さらに、サンプル1を超急速冷凍する方法が記載される。少なくとも一のサンプル担持体20を、基板チップ10に対して温度勾配が形成される加熱状態と、基板チップ10に対して熱平衡が形成される冷却状態との間で切り替え可能である。 (もっと読む)


【課題】アバランシェフォトダイオードを改良する。
【解決手段】アバランシェフォトダイオード1は、上部ダイオード層15と下部ダイオード層16との間に配置される電子なだれ領域と、半導体基板11の下側10に連絡形成層12と、半導体基板11において下部ダイオード層16と連絡形成層12との間に配置された横方向制限クエンチング抵抗層18と、横方向制限下部ダイオード層16に沿って横方向に配置された空乏電極15を備える。検出される照射は、電子なだれ領域において電子なだれ降伏を引き起こす。クエンチング抵抗層18は、電子なだれ領域において照射生成された電子なだれ降伏を急速に抑制する。空乏電極15は、横方向制限下部ダイオード層16に沿って横方向に配置された半導体基板11を空乏状態にする。クエンチング抵抗層18は、下部ダイオード層16によって空乏電極15から遮られるので、空乏状態とされない。 (もっと読む)


【課題】ビームコレクタ内の電子ビームを制御するため、励起電力の分布制御を行う。
【解決手段】磁気によるジャイロトロン装置のビームコレクタ230内の電子ビーム1を制御するためのコレクタ掃引方法であって、ビームコレクタ230の長手方向zに対して垂直な磁場成分を有する水平方向掃引磁場に電子ビーム1を当て、電子ビーム1の傾斜し、回転する交差領域3をビームコレクタ230内に設ける工程と、水平方向掃引磁場を変調することによって交差領域3の長手方向の位置及び傾斜角の内少なくとも一を変動させる工程を含む。またこれらを実現するコレクタ掃引装置100及びマイクロ波発振器200も開示する。 (もっと読む)


【課題】レーザパルスのキャリアエンベロープ位相を安定化させる。
【課題手段】レーザ装置100を用いて生成されるレーザパルスのキャリアエンベロープ位相を安定化させる方法であって、光源部10を用いてレーザパルスを生成する工程と、増幅器20を用いてレーザパルスを増幅させる工程と、増幅器20を用いて増幅されたレーザパルスから得られた増幅器出力信号を生成する工程と、増幅器出力信号に基づき増幅器のループ50を用いてレーザパルスのキャリアエンベロープ位相を制御する工程とを含む。該制御工程は増幅器出力信号に従って増幅部20の光路を調整する工程を含む。該調整工程は増幅部20の光路内に分散性物質を位置させることを含む。さらにレーザパルスのキャリアエンベロープ位相を安定化させるための安定化装置と共に、少なくとも一の安定化装置からなるレーザ装置についても記述されている。 (もっと読む)


【課題】プラズマによるX線発生を改善する。
【解決手段】減圧チャンバ(20)内でターゲット材(50)を自由な流動構造体(51)の形状で提供する工程と、プラズマ状態を生成して、そのプラズマ(状態)からX線が放射されるようにするためにターゲット材(50)に照射する工程を用いた、プラズマによるX線発生方法を開示する。この流動構造体(51)は、ターゲット材が少なくとも照射の位置において局所的に曲率の最小値を持った表面(52)を有するように形成される。また本方法を実施するための装置、具体的にはプラズマによるX線発生のためのX線源も開示される。
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