本発明は、基板（２０）を熱加工するための熱処理内側チャンバ（３）であって、壁（１０）を備え、該壁（１０）は、熱処理内側チャンバ（３）の内室（２４）を包囲し、熱加工の間に基板（２０）を支承するための支承装置（８）を備え、熱処理内側チャンバ（３）の内室（２４）にエネルギを導入するためのエネルギ源（１１）を備え、壁（１０）の内側面の少なくとも一部は、エネルギ源（１１）により導入される出力を反射するように形成されるものにおいて、壁（１０）の内側面の少なくとも一部は、少なくとも赤外線高反射性の材料から成ることを特徴とする。さらに本発明は、基板（２０）を熱加工するための熱処理内側チャンバ（３）であって、壁（１０）を備え、該壁（１０）は、熱処理内側チャンバ（３）の内室（２４）を包囲し、熱加工の間に基板（２０）を支承するための支承装置（８）を備え、熱処理内側チャンバ（３）の内室（２４）にエネルギを導入するためのエネルギ源（１１）を備えるものにおいて、壁（１０）の少なくとも一部を冷却するための冷却装置（１４）を設ける。
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本発明は、平面状の基板（１０）を熱加工するための処理チャンバ（２０，２１，２１′）に関する。この処理チャンバ（２０，２１，２１′）は、熱加工中に基板（１０）を運搬及び支承するための搬送装置（２５，２５′）と、基板（１０）を対流加熱又は対流冷却するためのガス案内装置（３０，３０′）とを有している。このガス案内装置（３０，３０′）は、温度調節されたガスを基板（１０）に案内する出口開口（３２，３２′）を有している。さらに処理チャンバ（２０，２１，２１′）に、ガス案内装置（３０，３０′）を介して処理チャンバ（２０，２１，２１′）内に導入されたガスを適切に排出することができる排出装置（３３，３３′）が設けられている。処理チャンバは加熱処理チャンバ（２１）又は冷却チャンバ（２１′）として構成されていてよい。
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本発明は、プラズマプロセスチャンバの内部領域に配置される少なくとも１つの部材をクリーニングガスによりクリーニングする方法であって、クリーニングガスがフッ素ガスを含み、プロセスチャンバが少なくとも１つの電極及び対応電極を、プラズマ処理、特に１ｍ^２より大の表面を有するフラットな基板のＣＶＤ処理又はＰＥＣＶＤ処理のためにプラズマを発生させるために有している、プラズマプロセスチャンバの内部領域に配置される少なくとも１つの部材をクリーニングガスによりクリーニングする方法において、内部領域にガス状のフッ素化合物を５ｍｂａｒより大の分圧で作用させることを特徴とする。プロセスチャンバの内部領域に配置される少なくとも１つの部材をクリーニングガスによりクリーニングする別の方法であって、クリーニングガスがフッ素ガスを含み、プロセスチャンバが少なくとも１つの電極及び対応電極を、特に１ｍ^２より大の表面を有するフラットな基板のＣＶＤ処理又はＰＥＣＶＤ処理のためにプラズマを発生させるために有している、プロセスチャンバの内部領域に配置される少なくとも１つの部材をクリーニングガスによりクリーニングする方法において、温度調整手段により、フッ素ガスを熱活性化し、クリーニングしたい部材が＜３５０℃の温度を有するようにした。
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本発明は、励磁面を備えた励磁電極を有する高周波電極装置と、抽出電極とに高周波電圧を印加し、電磁界によって生成されたプラズマからプラズマビームを抽出し、抽出電極と励磁面との間にプラズマ空間が設けられ、抽出電極に対してプラズマを時間平均して正のプラズマイオンを加速する高い電位となるようにし、プラズマと抽出されたプラズマビームを磁界によって制御している方法に関し、ここでは磁界を生成するために、少なくとも一つのＮ磁極とＳ磁極を用い、Ｎ磁極とＳ磁極をそれぞれプラズマとは反対側の励磁電極後方に配置し、プラズマ空間内方へ配向してプラズマ空間内方へ突出する湾曲した磁界を形成している。
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【課題】光学損失の少ない多層膜を製造する方法と装置を生産すること。
【解決手段】被覆装置又は反応装置に対して相対的に移動可能な少なくとも１つの基板上で、第一の層の上に、反応性成分を有する第二の層の堆積を行い、かつ少なくとも１つの層の構造および／または化学量論比の変更を反応装置によって行う多層膜を製造する方法において、所定の値以下に多層膜の光学損失を低下させるために、第一の層に隣り合う第二の層の領域内に、厚さｄ₁を有し、かつ反応性成分の不足ＤＥＦがＤＥＦ₁値よりも小さい値を有する境界面の構成を行い、第二の層の瞬間の厚さｄ（ｔ）の値を、有利には第二の層の堆積の間に算出し、かつｄ（ｔ）がｄ₁よりも大きくなり次第、反応性成分の不足ＤＥＦがＤＥＦ₁よりも大きい値を有する第二の層の堆積を行うことを特徴とする、多層膜の製造方法。 （もっと読む）

本発明は、真空被覆装置（３）の被覆チャンバ（１）内でテストガラス（２４，２４’’）を選択的に被覆しかつ光学的に測定するためのテストガラス変動システム（１０）に関する。被覆チャンバ（１）内では、基板（７）がターンテーブル（２）によって、被覆材料の流れを通る軌道において案内される。テストガラス変動システム（１０）は、テストガラス（２４，２４’’）を収容するためのテストガラスプレート（２６）と、このテストガラスプレート（２６）を選択的に覆うためのカバー（２８，２８’’）とを備えたテストガラスホルダ（８，８’）を有している。さらに、テストガラス変動システム（１０）は、ターンテーブル（２）の回動軸線（５）に対してほぼ平行に方向付けられた軸線（５’）を中心としてテストガラスプレート（２６）を回動させるための回動装置（３４）を有している。テストガラスホルダ（８，８’’）は、ユニットとしてターンテーブル（２）に位置決め可能であり、被覆チャンバ（１）から取出し可能である。
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プラズマ装置内で基板をプラズマ加工する方法および装置であって、・加工される基板の表面と電極との間隔がｄとなるよう、基板（１１０）を電極（１１２）と対向電極（１０８）との間に配置し、・電極（１１２）と対向電極（１０８）との間で容量性結合されたプラズマ放電を、ＤＣ自己バイアスの形成により励起し、・被加工表面領域と電極との間の、擬似中性バルクプラズマ（１１４）を伴うプラズマ放電領域に、少なくとも活性化可能なガス種が存在するようにし、このガス種を加工すべきサブストレートの表面に打ち込む方法および装置において、・プラズマ放電を励起し、・該プラズマ放電では、前記間隔ｄがｓから２．５ｓの間の範囲を有するようにし、ただしｓ＝ｓｅ＋ｓｇであり、ｓｅは電極前方のプラズマ縁部層の厚さを表わし、ｓｇは対向電極前方のプラズマ縁部層の厚さを表わし、または・被加工表面領域と電極との間の擬似中性バルクプラズマが、線形の広がりｄｐを有し、ただしｄｐ＜１／３ｄ、ｄｐ＜ｍａｘ（ｓｅ＋ｓｇ）またはｄｐ＜０．５ｓである。
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本発明のＶＨＦプラズマ電極は、有利には角柱状に構成された縦長の電極体を有しており、この電極体は、電力を供給するための少なくとも２つの接続素子に接続されているかまたは接続可能である電極面を有している。少なくとも１つの第１の接続素子は、上記の電極体の第１の端面に接続されているかまたはこの第１の端面の近くに接続されており、また少なくとも１つの第２の接続素子は、電極体の第２の端面に接続されているかまたはこの第２の端面の近くに接続されており、また有利には上記の電極は、電極面を露出させかつ誘電体材料からなる複数の埋込コンポーネントのうちの１つの埋込コンポーネントに配置されており、また有利には上記の電極面を露出させるシールド素子が設けられており、このシールド素子は、上記の電極と上記の埋込コンポーネントと共に包囲する。このＶＨＦプラズマ装置の特徴は、上記の接続素子のうちの少なくとも１つの接続素子は、ＶＨＦ真空フィードスルー素子として構成されていることである。
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本発明は、可視域から近紫外域にかけてまで（すなわち、２２０ｎｍの波長まで）であるスペクトル領域において、高い屈折率並びに良好な光学特性（すなわち、低い吸収と散乱）及び低い内部応力を有する光学コーティング（３，３'）に関する。本発明によるコーティング（３，３'）は、１ａｔ％〜１０ａｔ％、殊に１．５ａｔ％〜３ａｔ％のケイ素割合（ｙ）を含有する、ハフニウム又はジルコニウムを含むＨｆ_xＳｉ_yＯ_zもしくはＺｒ_xＳｉ_yＯ_zから成る。
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被覆工程（１１０）で、平面抵抗が＞１０Ｍオームであり、かつ平均反射率が＞５０％である金属層（１４）が基材（１２）上に施与され、それに引き続いてさらなる被覆工程（１４０）で所定の層厚を有するさらなる層（２４）が施与される、誘電性基材（１２）上に層システムを製造するための方法が企図されており、この際、さらなる層（２４）がさらなる被覆工程（１４０）で同じ層厚で基材（１２）上に施与された場合、さらなる層（２４）の平面抵抗は＜１Ｍオームであり、かつ金属層（１４）とさらなる層（２４）からの層システム（１０）の平面抵抗は＞１０Ｍオームである。本発明はさらに、被覆工程（１１０）で、平面抵抗が＞１０Ｍオームであり、かつ平均反射率が＞５０％である金属層（１４）が基材（１２）上に施与され、それに引き続いてさらなる被覆工程（１４０）で所定の層厚を有するさらなる層（２４）が施与されている層システムに関し、この際、さらなる層（２４）がさらなる被覆工程（１４０）で同じ層厚で基材（１２）上に施与された場合、さらなる層（２４）の平面抵抗は＜１Ｍオームであり、かつ金属層（１４）とさらなる層（２４）からの層システム（１０）の平面抵抗は＞１０Ｍオームである。加えて、本発明による層システムを有するケースも企図されている。
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