【課題】機械的性質に優れ、透明で、耐擦傷性、耐薬品性に優れた特性を有し、ポリカーボネート樹脂との相溶性も良好な樹脂と、複合樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表されるフッ素含有有機基置換ポリｐ−フェニレン樹脂。この樹脂と芳香族ポリカーボネート樹脂との重量比率９５：５〜１０：９０の複合樹脂組成物。
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【課題】 ＩＩＩ族窒化物半導体からなる微細柱状結晶を選択的に成長させることにより、ＩＩＩ族窒化物半導体微細柱状結晶の位置および形状を制御する。
【解決手段】 微細柱状結晶の製造方法が、基板表面の所定領域に、金属窒化物または金属酸化物からなる表面を有する膜を形成する工程と、前記基板表面に成長原料を導き、前記膜上の領域を微細柱状結晶の成長促進領域として、少なくとも前記微細柱状結晶の成長促進領域上にＩＩＩ族窒化物半導体からなる微細柱状結晶を成長させる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】実効アクセプタ濃度の高い半導体積層構造を提供する。
【解決手段】基板１０の一面側に、バッファ層１１、ｐ型半導体層１２およびｐ型コンタクト層１３がこの順に積層されている。ｐ型半導体層１２は、バッファ層１１上に、酸化物半導体を主成分とする第１の半導体層１２Ａと、非酸化物半導体からなり、ｐ型の電気伝導性を示す第２の半導体層１２Ｂとを交互に繰り返し積層して構成されており、第１の半導体層１２Ａおよび第２の半導体層１２Ｂは超格子構造をなしている。これにより、第２の半導体層１２Ｂ中の正孔が第１の半導体層１２Ａの価電子帯に励起される。 （もっと読む）

【課題】基材表面にコーティング膜を形成するに当たり、膜を硬化する際の生産性及び硬化膜の耐摩耗性を改善することにより、透明性及び耐摩耗性に優れたコーティング膜を基材表面に形成した積層体を高い生産性のもとに製造する方法を提供する。
【解決手段】基材表面の少なくとも一部にコーティング膜が形成された積層体を製造する方法において、アルコキシシランとコロイダルシリカとをアルコキシシラン：コロイダルシリカ（固形物換算）＝２０：８０〜９５：５（重量比）で含む組成物より得られた塗布液を基材表面の少なくとも一部に塗布する塗布工程と、形成された塗膜に真空紫外光を照射して硬化させる硬化工程と、硬化膜を５０℃以上の温度条件下におく熱処理工程とを備えてなることを特徴とする、積層体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】オルガノポリシロキサン膜を硬化する際の生産性及び硬化膜の耐摩耗性を改善することにより、透明性及び耐摩耗性に優れ、生産性が改善されたポリシロキサン膜をプラスチック基材表面に形成した積層体を提供する。
【解決手段】プラスチック基材の表面の少なくとも一部に、真空紫外光を照射することにより硬化させてなるポリシロキサン膜を有する積層体。オルガノポリシロキサンコーティング膜の硬化を真空紫外光照射によって行うことにより、短時間で硬化が完了し、また硬化膜の耐摩耗性も優れたものとなる。 （もっと読む）

【課題】基板の一方表面上に、多数のナノコラムを有する発光ダイオードにおいて、簡便な手法を用いて発光効率を高める。
【解決手段】ナノコラム２を形成させるための基板１を、導電性を有し、かつ発光層４の発光波長に対して透光性を有する材料で形成するとともに、その基板１の他方表面上に、前記発光層４から放射される光の波長に対して透光性を有するｎ型電極７を形成し、ｐ型半導体層５上に形成されるｐ型電極６との間で、素子の厚み方向に電流を注入できるようにする。前記基板１としては、ＳｉドープしたＧａＮ、Ｇａ_２Ｏ_３またはＺｎＯから成る。したがって、ｎ型電極７側から光取出しが行われ、ｐ型電極６側に放熱手段９を設けることができ、注入電流を大きくすることができる。また、ｎ型電極の作成に一部のナノコラム２を除去する必要はなく、簡便な手法で作成することができる。 （もっと読む）

【課題】多数のナノコラムを有する発光ダイオードにおいて、基板の導電性、放熱性、吸収波長を考慮しなくてよういようにする。
【解決手段】成長基板１上に、ナノコラムｎ型半導体層４、ナノコラム発光層５およびナノコラムｐ型半導体層６を順に積層して成るナノコラム２を多数形成し、ｐ型電極７を形成した後に、そのｐ型電極７上に支持基板９を接合して前記ナノコラム２を支持し、代りに前記成長基板１を除去し、前記ナノコラム発光層５から放射される光の波長に対して透光性を有するｎ型電極１０を前記ナノコラムｎ型半導体層４に接合する。したがって、ナノコラムｎ型半導体層４およびナノコラムｐ型半導体層６に直接ｎ型電極１０およびｐ型電極７がそれぞれ形成されることになり、前記基板の導電性、放熱性、吸収波長を考慮する必要が無く、簡便な手法を用いて効率良く光を取出すことができる。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＰ基板を用いたＢｅ系ＩＩ−ＶＩ族半導体レーザ室温連続発振のための積層構造を実現すること。
【解決手段】ＩｎＰ基板上にＢｅを含む格子整合系ＩＩ−ＶＩ半導体を用いて半導体レーザの基本構造を構成し、活性層へのキャリアの注入効率を高めるため、タイプＩ型のバンドラインナップを有するダブルヘテロ構造で活性層、光ガイド層、クラッド層を構成し、活性層への光の閉じ込めを増強することができる活性層、光ガイド層、クラッド層を構成し、クラッド層をバルク結晶で構成する。 （もっと読む）

【課題】高信頼性の期待されるＩｎＰ基板に整合したＢｅを含むＩＩ―ＶＩ族化合物半導体で構成された半導体レーザの素子特性を向上する。
【解決手段】ＩｎＰ基板上にｎ型クラッド層、光ガイド層、活性層、光ガイド層およびｐ型クラッド層を有する構造とし、活性層はＢｅを含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体混晶より構成される層を有し、ｎ型クラッド層、光ガイド層およびｐ型クラッド層の少なくとも１つの層に、活性層のＢｅを含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体混晶と同一の元素で構成される層を有するものとするとともに、この層は、活性層のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体混晶のＢｅの組成と比べて組成の変動が±３０％以内であるＢｅの組成の混晶を井戸層とする超格子構造によって構成する。 （もっと読む）

【課題】通常の場合ｐ型伝導にはなるがキャリア濃度が１０^１７ｃｍ^−３未満しか得られないような材料において、１０^１７ｃｍ^−３以上の高いｐ型キャリア濃度を得る構造を提供すること、さらに、発光特性などの特性が良好で信頼性も高く長寿命の半導体光学素子と装置を提供することである。
【解決手段】ＩｎＰ基板上において、ＩｎＰ基板に格子整合したホスト層Ｍｇ_０．５Ｚｎ_０．２９Ｃｄ_０．２１Ｓｅ層（１０ＭＬ（原子層）厚）の間に挿入する特定層としてＺｎＳｅ_０．５３Ｔｅ_０．４７層（２ＭＬ）を挿入して、単層では１０^１８ｃｍ^−３以上の充分なキャリア濃度であるような特定層を適度な間隔で挿入することで、従来１０^１７ｃｍ^−３未満しか得られないような材料において、結晶全体で１０^１７ｃｍ^−３以上の充分な正孔濃度を得る。 （もっと読む）