【課題】 耐水素脆化特性および強度−延性バランスにすぐれた複層鋼を提供する。
【解決手段】安定オーステナイト鋼からなる第１の層と、マルテンサイト組織主体の引張強さＴＳ_２が１２００ＭＰａ超の第２の層を互いに積層し、第１の層を表層として３層以上を積層一体化した複層鋼であって、複層鋼全体としての引張強さが１０００ＭＰａ以上、引張強さと全伸びの積が２００００ＭＰａ・％以上である耐水素脆化特性および強度−延性バランスにすぐれた複層鋼。 （もっと読む）

【課題】簡単に熱変位を抑制する。
【解決手段】工作機械本体６の外表面に所定の深さの窪み部３０を多列多行に亘って、間隔をあけて規則的に一体的に設け、前記工作機械本体６を設置した環境下で発生する空気流の速度、或いは、前記工作機械本体の駆動によって発生する空気流の速度を上記窪み部３０で減じ、前記工作機械本体６の外表面を断熱可能とした。 （もっと読む）

【課題】ＲｏＨＳ指令に該当する物質を使用することなく、発光特性などが良好で、Ｃｌドーピングについて活性化率の高い、つまり結晶欠陥が少なく信頼性の高い半導体光学素子と装置を容易に製造するためのｎ型クラッド層構造、及びそれに対応する活性層、p型クラッドを提供することである。
【解決手段】ＩｎＰ基板上に格子整合するII-VI族を主たる構成材料とする、発光素子のｎ型層が、II族原子はＭｇ、Ｚｎ、Ｂｅからなり、VI族原子はＳｅ、ＴｅからなるII-VI族化合物半導体であり、大きなエネルギーギャップ、伝導帯最下端が高くＴｙｐｅII発光を抑制できること、高いキャリア濃度、結晶欠陥の少ない良質の結晶性が実現できる。 （もっと読む）

【課題】不純物が拡散することによる電気的特性の低下や、結晶構造の規則性および安定性の低下を抑制することの可能な半導体素子を提供する。
【解決手段】基板１０上に、バッファ層１１、下部クラッド層１２、下部ガイド層１３、活性層１４、上部ガイド層１５、上部クラッド層１６およびコンタクト層１７がこの順に積層されている。上部クラッド層１６は、拡散抑制層１６Ａ、第１上部クラッド層１６Ｂ、拡散抑制層１６Ｃおよび第２上部クラッド層１６Ｄを基板１０側からこの順に積層してなる積層構造を一組として、これを複数組分積層して形成されており、さらに、拡散抑制層１６Ａ，１６Ｃが、ＭｇおよびＴｅを除くＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を主成分として含んでいる。 （もっと読む）

【課題】ｐ型クラッド層に新たな材料を適用することにより、信頼性が高く、長寿命で、かつ発光特性の良好な半導体素子を提供する。
【解決手段】ＩｎＰからなる基板１０の一面側に、バッファ層１１、下部クラッド層１２、下部ガイド層１３、活性層１４、上部ガイド層１５、上部クラッド層１６およびコンタクト層１７をこの順に備える。上部クラッド層１６は、主としてＢｅ_ｘ１Ｍｇ_ｘ２Ｚｎ_ｘ３Ｔｅ（０＜ｘ１＜１，０≦ｘ２＜１，０＜ｘ３＜１，ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＝１）を含む第１上部クラッド層１６Ａと、主としてＢｅ_ｘ４Ｍｇ_ｘ５Ｚｎ_ｘ６Ｔｅ（０＜ｘ４＜１，０＜ｘ５＜１，０≦ｘ６＜１，ｘ４＋ｘ５＋ｘ６＝１）を含む第２上部クラッド層１６Ｂとを交互に積層してなる積層構造を有する。 （もっと読む）

【課題】常温で磁性と強誘電性とを同時に示す超格子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、少なくとも２種類の強誘電性酸化物薄膜が積層されてなり、各層の前記酸化物薄膜が奇数枚の原子層からなる常温磁性強誘電性超格子とする。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＰ基板を用いたＢｅ含有ＩＩ−ＶＩ族半導体レーザが、結晶の変質無く、室温連続発振するための積層構造を実現すること。
【解決手段】ＩｎＰ基板上にＢｅを含む格子整合系ＩＩ−ＶＩ族半導体を用いて半導体レーザの基本構造を構成し、活性層へのキャリアの注入効率を高めるため、タイプＩ型のバンドラインナップを有するダブルヘテロ構造で活性層、クラッド層を構成し、活性層への光の閉じ込めを増強することができる活性層、クラッド層を構成し、ｐ型クラッド層のＭｇ組成比をＭｇ＜０．２とすること。 （もっと読む）

【課題】密着性が高く、オーミック抵抗が小さく、さらに光取り出し効率の高い半導体素子を提供する。
【解決手段】ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体（例えばＺｎＴｅ、ＢｅＺｎＴｅまたはＭｇＳｅ）を含むコンタクト層１７を上面に有する積層構造２０と、コンタクト層１７の上面に形成された上部電極１８とを備える。コンタクト層１７の上面全体には凹凸部１７Ｃが形成されており、凹凸部１７Ｃは積層面内の一の方向に延在するストライプ状の複数の凸部１７Ｄを並列配置した微細構造となっている。これにより、コンタクト層１７の上面が平坦面となっているときと比べて、コンタクト層１７と上部電極１８との接触面積が大きくなるだけでなく、コンタクト層１７の上面のうち発光領域１４Ａ（または開口部１８Ａ）との対向領域での法線方向の屈折率の変化が滑らかになる。 （もっと読む）

【課題】ｐ型クラッド層のキャリア濃度を高めると共に、発光の効率を向上させることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】活性層１４が、価電子帯の上端がｐ型クラッド層１３よりも高いＡ層と、ｐ型クラッド層１３と同等の元素構成を有する混晶よりなるＢ層とのタイプＩＩ超格子構造を有している。活性層１４の実効的なＶＢＭ１４１が、ｐ型クラッド層１３を構成するＢｅ_0.3 Ｚｎ_0.7 Ｓｅ_0.2 Ｔｅ_0.8 混晶のＶＢＭ１３１よりも高いエネルギー準位に形成され、活性層１４とｐ型クラッド層１３との接合がタイプＩ構造になっている。よって、発光の効率が高くなる。ｐ型クラッド層１３がＶＩ族元素としてテルル（Ｔｅ）を含むので、ｐ型クラッド層１３のキャリア濃度が高くなっており、電気伝導性が向上する。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体からなる微細柱状結晶を選択的に成長させることにより、ＩＩＩ族窒化物半導体微細柱状結晶の位置および形状を制御する。
【解決手段】微細柱状結晶の製造方法が、基板表面の所定領域に、金属窒化物または金属酸化物からなる表面を有する膜を形成する工程と、前記膜および前記基板表面の境界近傍であって、前記膜の周縁部と前記基板表面とが接する部分を含む領域を成長促進領域として、前記基板表面に成長原料を導き、少なくとも前記成長促進領域上に、ＩＩＩ族窒化物半導体からなる微細柱状結晶を成長させる工程とを含む。 （もっと読む）