【課題】圧電特性が良好な金属酸化物、および圧電体としての性能に優れるＢｉ系圧電材料を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表されるペロブスカイト型酸化物からなる金属酸化物および前記の金属酸化物を含む圧電材料。


（ＡはＢｉ元素または３価の金属元素から選択される少なくともＢｉ元素を含む１種類以上の元素であり、ＭはＦｅ、Ａｌ、Ｓｃ、Ｍｎ、Ｙ、Ｇａ、Ｙｂのうちの少なくとも１種の元素である。ｘは０．４≦ｘ≦０．６の数値を表す。ｙは０．１≦ｙ≦０．９の数値を表す。） （もっと読む）

【課題】電気伝導度の大きなｐ型クラッド層を備えたＩＩ−ＶＩ族化合物半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】上部クラッド層１６内の超格子構造において交互に積層された上部クラッド層１６Ａ（ＭｇＳｅ層）および第２上部クラッド層１６Ｂ（ＢｅＺｎＴｅ層）の間に、中間層１６Ｃ，１６Ｄ（ＺｎＳｅ層またはＺｎＴｅ層）が配置されている。さらに、中間層１６Ｃ，１６Ｄ（ＺｎＳｅ層）のうち第２上部クラッド層１６Ｂ（ＢｅＺｎＴｅ層）との界面にＺｎ原子が配置されている。これにより、上部クラッド層１６を形成するに際して、特定的に反応性の高いＢｅとＳｅとが互いに接することがない。 （もっと読む）

【課題】ｎ型クラッド層に要求される特性を有するｎ型クラッド層またはｐ型クラッド層に要求される特性を有するｐ型クラッド層を備えた半導体素子を提供する。
【解決手段】ｎ型第１クラッド層１２Ａにおいて、ｎ型キャリア密度をｎ型第２クラッド層１２Ｂよりも高くし、かつ層厚をｎ型第２クラッド層１２Ｂよりも厚くすることにより、ｎ型クラッド層１２全体のキャリア伝導性を確保する。ｎ型第２クラッド層１２Ｂにおいて、伝導帯サブレベル下端を活性層１４よりも高くすることにより、キャリア閉じ込めに十分な電子障壁を確保し、さらにタイプＩＩ発光を抑制する。 （もっと読む）

【課題】ｎ型クラッド層およびｐ型クラッド層が共に主として同種の混晶からなり、かつ低抵抗化可能であって活性層とタイプＩ接合し得る半導体素子を提供する。
【解決手段】ｎ型クラッド層１２およびｐ型クラッド層１６が共に、主としてＭｇ_ｘ１Ｚｎ_ｘ２Ｃｄ_{１−ｘ１−ｘ２}Ｓｅ混晶層（第１半導体層１２Ａ，１６Ａ）と、主としてＭｇ_ｘ３Ｂｅ_ｘ４Ｚｎ_{１−ｘ３−ｘ４}Ｓｅ_ｘ５Ｔｅ_１−ｘ５混晶層（第２半導体層１２Ｂ，１６Ｂ）を交互に含む超格子構造となっている。ｎ型クラッド層１２は、第１半導体層１２Ａおよび第２半導体層１２Ｂのうち少なくとも第１半導体層１２Ａにｎ型不純物を含んでいる。ｐ型クラッド層１６は、第１半導体層１６Ａおよび第２半導体層１６Ｂのうち少なくとも第２半導体層１６Ｂにｐ型不純物を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】和波長ノイズやスペックルノイズを低減もしくはなくすることができ、高い位置精度が要求されず、しかも装置の小型化が可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】励起光源として、活性層２３への電流注入によって生じる発光光を利用してレーザ発振する電流駆動型半導体レーザ２を備え、光励起レーザとして、電流駆動型半導体レーザ２から射出されたレーザ光の活性層３４への照射によって生じる発光光を利用してレーザ発振する光励起型半導体レーザ３を備える。電流駆動型半導体レーザ２の光軸ＡＸ１上であって、かつ、電流駆動型半導体レーザ２と光励起型半導体レーザ３との間には、電流駆動型半導体レーザ２から射出されたレーザ光Ｌ１の速軸方向の発散角を小さくするシリンドリカルレンズ６が設けられている。 （もっと読む）

【課題】内部量子効率の高い、信頼性に優れた発光素子を提供する。
【解決手段】ＺｎＳｅＴｅまたはＢｅＺｎＳｅＴｅからなる活性層１５と、ＭｇＳｅ／ＢｅＺｎＳｅＴｅ超格子からなる第２ガイド層１７との間に電子障壁層１６を有する。電子障壁層１６はＭｇＢｅＺｎＳｅＴｅ単層、またはＭｇＳｅ／ＢｅＺｎＴｅ超格子からなり、電子障壁層１６の伝導体下端が活性層１５の伝導帯下端よりも高い準位となるような組成比となっている。 （もっと読む）

【課題】タイプＩＩ発光を抑制することにより発光効率を向上させることの可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ型クラッド層１２（ｎ型グレーデッド層１３）と活性層１６（ガイド層１５）との間に、スペーサ層１４が設けられている。スペーサ層１４は、伝導帯下端がｎ型クラッド層１２、ｎ型グレーデッド層１３、ガイド層１５および活性層１６の伝導帯下端よりも高い準位となるようなバンド構造を有しており、ｎ型クラッド層１２と活性層１６とのタイプＩＩ発光を抑制するような材料および厚さにより構成されている。 （もっと読む）

【課題】キャリア濃度を高くすることが可能であり、かつ電気抵抗を低くすることの可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ型クラッド層１２は第１半導体層１２Ａと第２半導体層１２Ｂとを交互に積層してなる超格子層となっている。第１半導体層１２Ａは、Ｔｅを含まないＳｅ混晶を主に含んでおり、例えばＢｅ_ｘ１Ｍｇ_ｘ２Ｚｎ_ｘ３Ｓｅ混晶（０≦ｘ１≦１，０≦ｘ２≦１，０≦ｘ３≦１，ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＝１）を含んで構成されている。第２半導体層１２Ｂは、Ｔｅ混晶を主に含んでおり、例えばＢｅ_ｘ４Ｍｇ_ｘ５Ｚｎ_ｘ６Ｔｅ混晶（０≦ｘ４≦１，０≦ｘ５≦１，０≦ｘ６≦１，ｘ４＋ｘ５＋ｘ６＝１）を含んで構成されている。 （もっと読む）

【課題】リッジ形状のばらつきに起因するＦＦＰや閾値電流のばらつきを低減することの可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｐ型クラッド層１６内に、単層からなる第１ｐ型クラッド層１６Ａと、超格子構造からなる第２ｐ型クラッド層１６Ｂが設けられている。第２ｐ型クラッド層１６Ｂは、第１ｐ型クラッド層１６Ａとの関係でコンタクト層１７側に設けられており、第１ｐ型クラッド層１６Ａに主に含まれる材料と同一の材料によって主に形成されている。 （もっと読む）

【課題】活性層に４元混晶を用いた場合であっても、温度特性が良好で、かつ色純度や波長安定性が高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】バルク１５Ａ内に複数の量子ドット１５Ｂが形成された活性層１５を備えている。バルク１５Ａは、組成比ｘ１（０≦ｘ１＜１）のＢｅをＩＩ族元素の一つとして含むＩＩ−ＶＩ族４元混晶によって主に形成されている。量子ドット１５Ｂは、バルク１５Ａと同一の材料系によって形成されており、具体的には、組成比ｘ２（ｘ１＜ｘ２＜１）のＢｅをＩＩ族元素の一つとして含むＩＩ−ＶＩ族４元混晶によって主に形成されている。 （もっと読む）