説明

ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー.により出願された特許

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本発明の様々な実施形態は、3次元クロスバーアレイ(500,1000)を対象とする。本発明の一態様では、3次元クロスバーアレイ(1000)は、複数のクロスバーアレイ(1102〜1104)と、第1のデマルチプレクサ(1106)と、第2のデマルチプレクサ(1108)と、第3のデマルチプレクサ(1110)とを含む。各クロスバーアレイは、ナノワイヤ(702〜704)の第1の層、ナノワイヤの第1の層に重なるナノワイヤ(706〜708)の第2の層、及びナノワイヤの第2の層に重なるナノワイヤ(710〜712)の第3の層を含む。第1のデマルチプレクサは、各クロスバーアレイのナノワイヤの第1の層におけるナノワイヤをアドレス指定するように構成され、第2のデマルチプレクサは、各クロスバーアレイのナノワイヤの第2の層におけるナノワイヤをアドレス指定するように構成され、第3のデマルチプレクサは、各クロスバーアレイのナノワイヤの第3の層におけるナノワイヤに信号を供給するように構成される。 (もっと読む)


絶縁された電極を作成し、それらの電極間にナノワイヤを組み込む(600)方法(100)はそれぞれ、半導体層(210)上の半導体材料の横方向エピタキシャル過成長を使用して、同一結晶方位を有する絶縁電極(260、270)を形成する。この方法(100、600)は、半導体層上の絶縁膜(240)内の窓(242)を介した半導体機構要素(250)の選択的エピタキシャル成長(140)を含む。垂直ステム(252)は、窓を介して半導体層と接触し、レッジ(254)は、絶縁膜上の垂直ステムの横方向エピタキシャル過成長である。この方法は更に、半導体機構要素と半導体層から1対の絶縁電極(260、270)を作成(160)することを含む。ナノワイヤベースのデバイス(800)は、1対の絶縁電極と、1対の絶縁電極のそれぞれの表面間を架橋するナノワイヤ(280)とを含む。 (もっと読む)


【課題】 複数のインスタンスアプリケーションに対し負荷分散装置を動作させる。
【解決手段】 本発明にかかるシステムは、アプリケーションを実行する複数のクラスタノードであって、複数のクラスタノードの少なくとも一部は、複数のアプリケーションを実行し、かつ複数のアプリケーションに関連する性能データに応じて複数のアプリケーション間で資源を割り当てるそれぞれの資源割付けモジュールを有する、複数のクラスタノードと、複数のクラスタノード間でアプリケーショントランザクションを分散させる複数の負荷分散装置と、複数のアプリケーションに関連する性能データを分析し、分析に応じて複数の負荷分散装置を動的に構成する構成プロセスと、を具備する。 (もっと読む)


本発明による一実施形態は、非単結晶基板108と、非単結晶基板108の表面から成長されるナノワイヤ102とを含むことができる装置100である。さらに、装置100は、ナノワイヤ102に結合される電極も含むことができる。ナノワイヤ102は、導電性にすることができ、及び/又は光学的に活性にすることができることに留意されたい。 (もっと読む)


【課題】本発明は、液晶ディスプレイを提供する。
【解決手段】本発明にかかるディスプレイ装置は、液晶モジュール(144)と、赤色発光ダイオードのアレイ(136)、緑色発光ダイオードのアレイ(138)及び青色発光ダイオードのアレイ(140)を含むバックライトアセンブリ(134)と、前記赤色発光ダイオードのアレイ(136)、前記緑色発光ダイオードのアレイ(138)及び前記青色発光ダイオードのアレイ(140)を、連続した照明サイクルにおいて駆動するタイミングコントローラ(132)とを備え、前記タイミングコントローラ(132)は、各照明サイクル間に黒色フレームサイクルを挿入する。 (もっと読む)


本発明の様々な実施形態は、フォトニック格子を使用する電磁波増幅システムに関する。本発明の一実施形態では、電磁放射増幅システム(900,1300,1600)は、フォトニック格子(200〜500)とポンプ源(902,1302,1602)とを有する。フォトニック格子は、スラブ(202〜402)内の穴の平面周期格子で構成される。ポンプ源は、フォトニック格子に結合され、フォトニック格子の電子エネルギー状態を励起する電子的刺激を出力し、それにより、フォトニック格子に入射する電磁放射コヒーレントビームが、電磁放射コヒーレントビームを増幅するコヒーレント電磁放射の放出を刺激する。
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本発明の一態様では、電界増強構造物(100)が開示される。電界増強構造物(100)は、基板(104)と、制御された距離(S)だけ互いに離間された少なくとも2つの隣り合った誘電体粒子(102,103)を有する規則的な誘電体粒子配列を有する。制御された距離(S)は、共振モードが、励起電磁放射に応じて少なくとも2つの隣り合った誘電体粒子(102,103)内のそれぞれに共振モードが励起されたときに、各共振モードが相互作用して少なくとも隣り合った誘電体粒子(102,103)間の電界が増強されるように選択される。本発明の他の態様は、前述の電界増強構造物を利用する電界増強装置(1000)と、隣り合った誘電体粒子間の電界を増強する方法である。
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本発明の実施の形態は、被写体のトゥルーカラーを伝達するためのシステム及び方法を記載する。一実施の形態では、本発明は、画像キャプチャ装置201、少なくとも1つの基準色202aを含む画像化基準色セット202、及び少なくとも1つの基準色203aに対応する少なくとも1つの制御色203aを含む制御基準色セット203を備える。本発明は、制御基準色セット及び画像化基準色セット202にアクセスし、少なくとも1つの基準色203aと少なくとも1つの制御色203aとの間の相違を取り除く色補正関数210を生成するための色補正コンポーネント204をさらに備える。 (もっと読む)


非単結晶半導体層110、140と、この非単結晶半導体層110、140の晶子112と一体の単結晶半導体ナノ構造物122、124を含むナノ構造層120とを有するヘテロ結晶半導体デバイス100、及びこのヘテロ結晶半導体デバイス100を製造する方法200。
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【課題】共有暗号化キーの変更のためのシステムおよび方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
第1の動作環境(56)と、第2の動作環境(62)とをを備えるシステム(50)であって、前記第1の動作環境及び前記第2の動作環境は、共有暗号化キー(K3)を使用して、暗号化された形で情報を交換し、前記第1の動作環境及び前記第2の動作環境は、別の共有暗号化キー(K4)を使用して、前記暗号化キーK3を変更するように協調し、前記暗号化キーK4は、前記暗号化キーK3が変更される時に変更される。 (もっと読む)


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