【課題】硫酸化多糖または硫酸化オリゴ糖の構造を高感度で解析できる分析方法を提供する。また、優れた生物活性を有する硫酸化多糖または硫酸化オリゴ糖を含む薬学的組成物および医薬を提供する。さらに、硫酸化多糖または硫酸化オリゴ糖を含む薬学的組成物および医薬の製造方法、疾患の治療、診断、症状の軽減および予防方法を提供する。
【解決手段】硫酸化多糖または硫酸化オリゴ糖を酵素消化して得られる、モノサッカリド、ジサッカリドまたはトリサッカリドを含む生成物を質量分析する。これにより、硫酸化多糖または硫酸化オリゴ糖を構造解析して生物活性等の品質を評価し、優れた薬学的組成物または医薬を製造することができる。また、薬学的組成物および医薬は、コンドロイチン硫酸の腫瘍転移阻害活性、デングウィルス感染阻害活性、増殖因子結合活性等に対応した優れた生物活性を有する。 （もっと読む）

【課題】可視光応答性を有し、光触媒や光電変換素子に利用できる金属酸化物半導体を提供する。
【解決手段】金属酸化物半導体の表面に、８〜２５０量体の金クラスターが担持されてなり、可視光応答性を有する金クラスター修飾金属酸化物半導体。金クラスターの励起準位は金属酸化物半導体の伝導帯よりもエネルギー的に高い位置にあり、光照射により金クラスターから金属酸化物半導体に電子注入されることで電荷分離が起こり、金クラスター上で酸化反応、金属酸化物半導体上で還元反応を起こすことができる。そのため、本発明の金クラスター修飾金属酸化物半導体は、可視光応答性を有し、優れた光電気化学反応性を示す。 （もっと読む）

【課題】実用温度域での優れた形状記憶特性を有し、実用温度域で磁場誘起変態して形状を回復するとともに磁性変化するFe基強磁性形状記憶合金並びにその用途を提供する。
【解決手段】22〜40原子％のMnと、25〜35原子％のGaとを含有し、残部がFe及び不可避的不純物からなり、母相がbcc構造であることを特徴とするFe基強磁性形状記憶合金。 （もっと読む）

【課題】バイオマスとフェノール化合物を反応させて、リグノフェノール誘導体を製造する方法において、生成するリグノフェノール誘導体の分子量を制御する方法を提供する。
【解決手段】リグノセルロース材料とフェノール化合物とを反応させてリグノフェノール誘導体を製造する方法において、リグノセルロース材料にフェノール化合物と酸とを添加して得られた反応液から水層を相分離して反応系から取り除き、フェノール溶液中で該フェノール溶液に残存した酸と高分子量ポリマーを含むリグノフェノール誘導体とを反応させることを特徴とする分子量を制御する方法である。 （もっと読む）

【課題】網膜変性症をはじめとする網膜疾患の予防、治療または進行抑制剤を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｏｔｘ２タンパク質またはその塩を含有することを特徴とする毛様体細胞、毛様体上皮細胞、及び虹彩細胞からなる群より選択される少なくとも１の眼球組織由来細胞から網膜視細胞への分化誘導剤。 （もっと読む）

【課題】スピン軌道相互作用を増大させること。
【解決手段】本発明は、第１半導体層１２と、第１半導体層１２上に設けられ、第１半導体層１２よりバンドギャップの小さい第２半導体層１４と、第２半導体層１４上に設けられ、第２半導体層１４より大きなバンドギャップを有する第３半導体層１６と、第１半導体層１２と第２半導体層１４との間に形成され、スピン軌道相互作用に起因した有効磁場が生じる第１界面３２と、第２半導体層１４と第３半導体層１６との間に形成されたす第２界面３２と、を具備し、第１界面３２の伝導帯の不連続エネルギは第１界面３２の価電子帯の不連続エネルギより小さい半導体積層構造である。 （もっと読む）

【課題】スピン軌道相互作用を増大させること。
【解決手段】本発明は、第１半導体層１２と、前記第１半導体層１２上に設けられ、前記第１半導体層１２よりバンドギャップの小さい第２半導体層１４と、前記第１半導体層１２と前記第２半導体層１４との間に形成され、スピン軌道相互作用に起因した有効磁場が生じる第１界面３２と、を具備し、前記第１半導体層１２および前記第２半導体層１４の少なくとも一方は４元以上の化合物半導体層であり、前記第１界面の伝導帯の不連続エネルギΔＥｃは前記第１界面の価電子帯の不連続エネルギΔＥｖより小さい半導体積層構造である。 （もっと読む）

【課題】メモリ機能を有する電子回路またはメモリ素子と集積化可能な電子回路を提供すること。
【解決手段】本発明は、半導体からなるチャネルと、前記チャネルにスピン偏極した電子を注入し強磁性体を含むソース２０ａ、２０ｂと、前記チャネルから前記スピン偏極した電子を受け強磁性体を含むドレイン２２ａ、２２ｂと、前記チャネルの電界を共通に変化させるゲート２４ａ、２４ｂと、を各々備える複数のトランジスタ３０ａ、３０ｂを具備し、前記複数のトランジスタの各々チャネルにおける電子の走行方向は、スピン軌道相互作用に起因する有効磁場に交差する方向であり、かつ前記ゲートに共通に印加されるゲート電圧により前記複数のトランジスタの各チャネルにおける電子に加わる有効磁場の大きさが相対的に変化する方向である電子回路である。 （もっと読む）

【課題】Ｂ細胞のCD22分子に対する高親和性を有し、免疫応答を促進させることによって、Ｂ細胞の増殖の増強、及びウイルス性疾患等の感染症に対する抵抗性の増強等の作用を有する化合物を提供する。
【解決手段】化学式（１）：


（式中、Ｒ¹及びＲ²は、夫々、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基を示す）で表わされるシアル酸誘導体若しくはそのプロドラッグ、又は、製薬上許容され得るそれらの塩若しくは水和物である化合物。 （もっと読む）

【課題】強磁性半導体膜への効率的なスピン注入を可能とすること。
【解決手段】本発明は、ＩｎＡｓを含む強磁性半導体膜と、強磁性金属膜と、前記強磁性半導体膜と前記強磁性金属膜との間に設けられた絶縁膜と、を具備するトンネル磁気抵抗素子およびスピントランジスタである。本発明によれば、ＩｎＡｓを含む強磁性半導体膜を用いることにより、強磁性金属膜に印加される電圧が小さくとも強磁性半導体膜にキャリアをスピン注入することができる。よって、強磁性金属膜から強磁性半導体膜への効率的なスピン注入が可能となる。 （もっと読む）