【課題】フォトリソグラフィにおける集積回路製造のためのレーザ光源として線狭帯域化用途に使用されるＤＵＶガス放電レーザシステムにおける帯域幅の能動制御の技術を提供する。
【解決手段】光源により生成されたレーザ出力光パルスビームパルスの帯域幅を測定して帯域幅測定値を供給する帯域幅測定モジュールと、帯域幅測定値及び帯域幅設定値を受信して帯域幅誤差信号を供給する帯域幅誤差信号発生器と、帯域幅誤差に応答して細かい帯域幅補正アクチュエータ信号及び粗い帯域幅補正アクチュエータ信号を供給する能動帯域幅コントローラとを含むことができる、線狭帯域化高平均パワー高パルス繰返し数レーザマイクロフォトリソグラフィ光源帯域幅制御方法及び装置を開示する。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光源（２０）の内部部品（３０）を、プラズマ形成位置（２８）で生成され、最初は内部部品（３０）に向けられたイオン（２０６ａ、２０６ｂ）から保護するシステムを提供する。
【解決手段】内部部品（３０）とプラズマ形成位置（２８）との間に挿入され、プラズマ形成位置（２８）から内部部品（３０）へと延びる線に実質的に沿って位置合わせされた表面を有する少なくとも１つの箔板（１８０）と、イオン（２０６ａ、２０６ｂ）を箔板表面（２０８ａ、２０８ｂ）内へと偏向させる磁場（Ｂ２）を発生させる磁気源（２００ａ、２００ｂ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】ラインビームとして成形されたレーザとの相互作用に対して膜を位置決めし、かつ例えばアモルファスシリコン膜を溶融させて例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を製造するために膜を結晶化するように成形ラインビームのパラメータを制御するためのシステム及び方法を提供する。
【解決手段】基板上に堆積されたアモルファスシリコンのような膜を選択的に溶融させるためのレーザ結晶化装置及び方法。装置は、膜を溶融させる際に使用される伸張レーザパルスを生成するための光学システムを含むことができる。本発明の実施形態の更に別の態様では、レーザパルスを伸張するためのシステム及び方法を提供する。別の態様では、ビーム経路に沿ったある位置でパルスレーザビーム（伸張又は非伸張）の発散を予め決められた範囲に維持するためのシステムを提供する。 （もっと読む）

【課題】ラインビームとして成形されたレーザとの相互作用に対して膜を位置決めし、かつ例えばアモルファスシリコン膜を溶融させて例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を製造するために膜を結晶化するように成形ラインビームのパラメータを制御するためのシステム及び方法を提供する。
【解決手段】基板上に堆積されたアモルファスシリコンのような膜を選択的に溶融させるためのレーザ結晶化装置及び方法。装置は、膜を溶融させる際に使用される伸張レーザパルスを生成するための光学システムを含むことができる。本発明の実施形態の更に別の態様では、レーザパルスを伸張するためのシステム及び方法を提供する。別の態様では、ビーム経路に沿ったある位置でパルスレーザビーム（伸張又は非伸張）の発散を予め決められた範囲に維持するためのシステムを提供する。 （もっと読む）

【課題】プラズマからのＥＵＶ光を供給する超紫外線（ＥＵＶ）光発生器を提供する。
【解決手段】第１の態様では、複数の個別の基体を準備する段／段階と、各基体をそれぞれの多層コーティングで被覆する段／段階と、各基体が共通焦点に向けられた配置に被覆基体を固定する段／段階と、その後、多層コーティングの少なくとも１つを研磨する段／段階とを含むことができるＥＵＶ光源ミラーを製作する方法を開示する。別の態様では、基体と、Ｓｉ、Ｃ、Ｓｉ₃Ｎ₄、Ｂ₄Ｃ、ＳｉＣ、及びＣｒから成る材料の群から選択され、その層材料が高エネルギ堆積条件を用いて堆積された平滑化層と、多層誘電体コーティングとを含むことができるＥＵＶ光と共に使用するための光学器械を開示する。別の態様では、ＥＵＶミラーのための耐食多層コーティングは、Ｓｉと窒素及び第５周期遷移金属を有する複合材料との交互する層を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】高繰返し率ガス放電レーザ用の改良されたスペクトル測定を提供する。
【解決手段】レーザから射出された光の帯域幅を示す第１のパラメータを表す第１の出力と、レーザから射出された光の帯域幅を示す第２のパラメータを表す第２の出力とを提供する光帯域幅モニタと、光帯域幅モニタに固有の所定の較正変数を用いる多変数方程式の一部として第１の出力及び第２の出力を用いて実帯域幅パラメータを計算する実帯域幅計算装置と、を含むことができ、多変数方程式は対称性に敏感な項を含む、レーザから射出され、帯域幅計測器に入力される光のスペクトルの帯域幅を測定するための帯域幅計測器の装置及び方法が開示される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生ＥＵＶ光源発生器の環境において又は特に液体噴出ターゲット液滴発生器のターゲット液滴発生における圧電材料の利用に関連することができる問題に対処する。
【解決手段】磁歪材料又は電歪材料を含むターゲット液滴形成機構と出力オリフィスで終端する液体プラズマ源材料通路と液滴形成噴出流又は選択経路に沿って通路を出る個々の液滴に電荷を印加する帯電機構と出力オリフィスとプラズマ開始部位の中間にあって液滴を選択経路から定期的に偏向させる液滴偏向器と入力開口部と出力オリフィスとを有する液体ターゲット材料供給通路を含む液体ターゲット材料供給機構と液体ターゲット材料内で外乱力を発生させる外乱起電力発生機構と出力オリフィスを有する液体ターゲット供給液滴形成機構と及び／又は出力オリフィスの周辺の湿潤障壁とを含むことができるＥＵＶプラズマ形成ターゲット供給システム及び方法が開示される。 （もっと読む）

【課題】プラズマからＥＵＶ光を供給する極紫外線（ＥＵＶ）光発生器を提供する。
【解決手段】ＥＵＶ光源プラズマ生成チャンバ光学要素表面をプラズマ形成から生じるデブリから保護するためのシステム及び方法。本発明の実施形態の１つの態様では、光学要素とプラズマ形成部位の間に位置決めされた少なくとも１つの中空管を含むシールドを開示する。管は、光を比較的小さなグレージング入射角での反射を通じて管の内腔に通過させながらデブリを捕捉するように配向される。本発明の実施形態の別の態様では、シールド上に堆積したデブリ材料の１つ又はそれよりも多くの種を除去するのに十分な温度まで加熱されるシールドを開示する。本発明の実施形態の更に別の態様では、シールドが光源プラズマチャンバからシールドが洗浄される洗浄チャンバまで移動されるシステムを開示する。 （もっと読む）

【課題】極紫外線（ＥＵＶ）光源のための測定機器を提供する。
【解決手段】「ＥＵＶ光源」測定のためのシステム及び方法。第１の態様では、ＥＵＶ光源電力出力を測定するためのシステムは、ＥＵＶ光経路に沿って配置された光電子原料物質を含み、この物質を露出させてある一定量の光電子を発生させることができる。システムは、更に、光電子を検出してＥＵＶ電力を示す出力を生成するための検出器を含むことができる。別の態様では、ＥＵＶ光強度を測定するためのシステムは、ＥＵＶ光経路に沿って配置可能な多層ミラー、例えばＭｏ／Ｓｉを含み、このミラーを露出させてミラーに光電流を発生させることができる。電流モニタをミラーに接続し、光電流を測定してＥＵＶ電力を示す出力を生成することができる。更に別の態様では、オフラインＥＵＶ測定システムは、光特性を測定するための計器、及びＭｏＳｉ₂／Ｓｉ多層ミラーを含むことができる。 （もっと読む）