【課題】窒化物系発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒素物系発光素子は、基板１１０、ｎ型クラッド層１３０、活性層１４０、
ｐ型クラッド層１５０、格子セル層１６０及びオーミック接触層が順次に積層された構造
よりなっている。また格子セル層１６０は導電性を有する素材で３０μｍ以下の大きさを
有する粒子型セルがオーミック接触層内に埋め込まれて、相互離隔されて形成されている
発光素子である。このような窒素物系発光素子とその製造方法は、ｐ型クラッド層とのオ
ーミック接触特性が改善されているため発光効率及び素子寿命を向上させ、かつウェーハ
成長後の活性化工程を省略できて、製造工程を単純化させうる。 （もっと読む）

【課題】実効キャリアー濃度が増加し、物質間のエネルギーバンドギャップ調節によりショットキー障壁が減少し、高い透過率を有する、優れた電気的、光学的、熱的及び構造的特性を有する新概念のオーミック接触システムを提供する。
【解決手段】発光ダイオード又はレーザーダイオードにおいてオーミック接触を形成するための薄膜電極において、ｐ型窒化ガリウム層上に積層され、Ｎｉ−Ｘ固溶体を含有する第１電極層と、前記第１電極層上に積層され、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｃ、Ｃｕ、及びＩｒからなる群から選択される少なくとも１種以上の元素を含有する第２電極層と、を含むことを特徴とする、薄膜電極である。 （もっと読む）

【課題】窒化物系発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ型クラッド層と反射層との間に亜鉛、インジウム、スズのうち少なくとも一つの金属又は合金で形成された金属層が介在しており、金属層及び反射層形成以後に熱処理工程を経て製作される窒化物系発光素子及びその製造方法である。これにより、ｐ型クラッド層とのオーミック接触特性が改善され、発光素子のパッケージング時にワイヤボンディング効率及び収率を高めることができ、低い非接触抵抗と優秀な電流−電圧特性とにより素子の発光効率及び素子寿命を向上させうる。 （もっと読む）

【課題】ファブリー・ペロー共振反射に基づいた広い帯域幅を有する光変調器を提供する。
【解決手段】下部ＤＢＲ層１１０と、少なくとも一つの層及び変形された層を備える上部ＤＢＲ層１３０と、下部ＤＢＲ層と上部ＤＢＲ層との間に配置された活性層１２０と、を備え、上部ＤＢＲ層の少なくとも一つの層は、第１屈折率を有する第１屈折率層及び第２屈折率を有する第２屈折率層の少なくとも一つの対を備え、上部ＤＢＲ層の変形された層は、第３屈折率を有する第３屈折率層及び第４屈折率を有する第４屈折率層の少なくとも一つの対を備え、第３屈折率と第４屈折率とは異なり、第３及び第４屈折率層のうち少なくとも一つは、λ／４またはその奇数倍とは異なる第２光学的厚さを有する。 （もっと読む）

【課題】高性能の窒化ガリウム（ＧａＮ）系発光素子のための薄膜電極およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ型ＧａＮ半導体層上に順次に積層された第１電極層および第２電極層を含むｐ型ＧａＮ半導体のオーム接触用薄膜電極の、前記第１電極層は、ｐ型熱電酸化物を形成できるＮｉ、ＣｕもしくはＣｏ系の合金または固溶体を含むか、またはＡｌ、ＧａおよびＩｎのうち選択された少なくとも何れか一つの成分がドーピングされたＮｉ酸化物を含みうる。前記第２電極層は、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｓｃ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｖ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｗ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃａ、Ｎａ、Ｓｂ、Ｌｉ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｎｉ、ＣｕおよびＣｏよりなる群のうち選択された少なくとも何れか一つを含みうる。 （もっと読む）

【課題】曲げのような外部の物理力による損傷に基づいた光損失を最小化するための光ファイバ及び光ファイバ製造方法を提供する。
【解決手段】低曲げ損失光ファイバ１００は、コア１１０と、このコアの外側に配置され、コアの屈折率より低い屈折率を有し、コアから遠くなるほど屈折率が徐々に減少する内部層１２１と、内部層の外側に配置され、最低屈折率を有するトレンチ層１２２とを含む。 （もっと読む）

【課題】障壁層にドーピングされたＭｇの拡散を防ぐことができる窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板上にバッファ層、Ｎ型窒化物半導体層、活性層及びｐ型窒化物半導体層が順に積層された窒化物半導体発光素子において、上記活性層は、複数の障壁層と複数の井戸層が交互に配列された多重量子井戸構造を有し、上記複数の障壁層のうち少なくとも１つの層は、ｐ型ドーパントがドーピングされたｐ型ドープ障壁層と上記ｐ型ＧａＮ層の少なくとも片側にアンドープ障壁層を有する第１障壁層を具備する。 （もっと読む）

【課題】 化合物半導体素子の電極形成方法を提供する。
【解決手段】 ｐ型化合物半導体層上に第１電極層を形成するステップと、第１電極層を酸素が含まれた雰囲気でプラズマ処理するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 低接触抵抗、高反射率、及び向上された電気伝導性を有する反射電極を提供する。
【解決手段】 化合物半導体発光素子のｐ型化合物半導体層（２０）上に形成される電極であって、ｐ型化合物半導体層とオーミックコンタクトを形成する第１の電極層（２２ａ）と、第１の電極層上に透明伝導性酸化物で形成される第２の電極層（２２ｂ）と、第２の電極層上に光反射物質で形成される第３の電極層（２２ｃ）と、を備える。 （もっと読む）