【課題】本発明は、スループットを低下させることなく、オイリーシランの安全な除去が可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、ウェーハが導入される反応室と、反応室にプロセスガスを供給するプロセスガス供給機構と、ウェーハを載置するウェーハ支持部材と、ウェーハを所定の温度に加熱するためのヒータと、ウェーハを回転させるための回転駆動制御機構と、反応室よりガスを排出する排気口を含むガス排出機構と、反応室の前記排気口上に、ウェーハ支持部材の水平位置より下方から酸化性ガスを供給する酸化性ガス供給機構と、を備える。 （もっと読む）

【目的】並列処理する処理装置の一部で処理エラーが生じた場合でも効率よく描画データを処理する描画データ処理制御装置等を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の描画処理ユニット１１０は、ＨＤＤ１２４に記憶されている所定の描画領域毎に区切られた複数の描画データの処理を、互いに並列処理する複数の並列演算ユニット１３０のいずれかに順次割当てる割当て部１１６と、割当てられた並列演算ユニット１３０で処理エラーが生じた場合に、処理エラーが生じた並列演算ユニット１３０を次回以降の描画データ処理の割当て対象から切り離す切り離し部１１４と、を備え、割当て部１１６は、処理エラーが生じた描画データの処理を別の並列演算ユニット１３０に割当て直すことを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】測定可能なビーム分解能の精度を向上させるビームの強度分布測定方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の荷電粒子ビームのビーム強度分布測定方法は、上面から下面に向かって所定の角度θで細くなる金属マーク上に荷電粒子ビームを走査させて、荷電粒子ビームのビーム強度分布を測定する荷電粒子ビームのビーム強度分布測定方法であって、上述した金属マークとして、金属マークの厚さｔと所定の角度θとの積が、所望する荷電粒子ビームの分解能σ以下となるように形成された金属マークを用いることを特徴とする。本発明によれば、測定可能なビーム分解能の精度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、スループットを低下させることなく、オイリーシランの安全な除去が可能な半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、ガス供給口およびガス排出口を有し、ウェーハが導入される反応室と、反応室のガス供給口から反応室内にプロセスガスを供給するプロセスガス供給機構と、反応室内に設けられ、ウェーハを保持するウェーハ保持部材と、反応室内に設けられ、ウェーハ保持部材で保持されたウェーハを所定の温度に加熱するヒータと、ウェーハ保持部材をウェーハと共に回転させる回転駆動制御機構と、反応室のガス排出口から反応室内のガスを排出するガス排出機構と、反応室の底部に壁面近傍で設置され、壁面から滴下するオイリーシランを収集して排出するドレインと、を備える。 （もっと読む）

【課題】主偏向アンプの安定性を正確に評価することのできる方法を提供する。また、主偏向アンプの安定性を正確に評価することにより、高い精度で描画可能な荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】主偏向器の偏向幅で定められる主偏向領域２００の所定位置に電子ビームを照射し、所定時間後に、主偏向領域２００を構成する下地材料とは反射率の異なる材料からなる評価用マーク１００に対し、下地と評価用マーク１００の両方にかかる位置に電子ビームを照射して反射電子を電流値として検出し、電流値の変動量を基に主偏向アンプを評価する。 （もっと読む）

【課題】試料の表面形状を正確に測定して高い精度で描画することのできる荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】高さ測定部４０において、光源４１から照射される光Ｌｉをマスク２上で投光レンズ４２によって収束させた後、マスク２上で反射した光Ｌｒを受光レンズ４３を介して受光素子４４に入射させる。受光素子４４で光の位置が検出されると、信号処理部６０を経て、高さデータ処理部７０で高さデータＨｒが作成される。光Ｌｒの光量が閾値以上であれば、高さデータＨｒを偏向制御部３０へ送る。一方、光Ｌｒの光量が閾値より小さい場合には、描画前に取得した高さデータマップＨｍから、対応する座標の高さデータを偏向制御部３０へ送る。偏向制御部３０は、高さデータ処理部７０から送られた高さデータに基づいて、電子ビーム光学系１０の調整を行う。 （もっと読む）

【課題】装置の動作時においてダウンタイムを短縮できる荷電粒子銃および荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子銃である電子銃１０は、荷電粒子源である電子源を備えて電子ビームを放出するカソード１３を複数備えて回転自在に配設された回転体バレル１２と、加熱機構２１とを有する。バレル１２はチャンバ１１内に収容されており、かつ動力部１４に接続された回転軸１５と、支持部１６によって支持される。そして、上部に設けられた加熱機構２１からの放射により加熱が可能とされる。電子ビーム描画装置は電子銃１０を用いて構成され、加熱機構２１によるバレル１２の加熱によってバレル１２の素早い加熱が可能とされ、カソード１３の素早い安定化が可能とされている。 （もっと読む）

【目的】コヒーレント光の干渉性をより排除することが可能な照明装置を提供する。
【構成】照明装置３００は、コヒーレント光を発生する光源１０３と、ランダムに配置された、波長以下の高さの複数の段差領域が形成され、光源からの光線を通過させて位相を変化させる回転位相板１４と、複数のレンズがアレイ状に配列され、回転位相板を通過した光線を通過させるインテグレータ２０と、を備え、複数の段差領域の最大サイズと回転位相板から蝿の目レンズの入射面までの光学倍率の積が、複数のレンズの配列ピッチ以下となる箇所と、複数のレンズの配列ピッチより大きくなる箇所とが混在するように構成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】マスクの進行方向からの位置ずれを抑制することのできるステージを備えた荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】ステージは、マスクＭの裏面を支持する３つのピンＰ１、Ｐ２、Ｐ３を有し、これら３つのピンＰ１、Ｐ２、Ｐ３は、マスクＭの重心を通りステージの進行方向と平行な直線に対して対称に配置されている。また、３つのピンＰ１、Ｐ２、Ｐ３のうち少なくとも鏡像関係にある２つのピンＰ１、Ｐ２を構成する材料の剛性は、設計上同じである。３つのピンＰ１、Ｐ２、Ｐ３は、マスクＭの周縁部を支持することが好ましい。ステージは、マスクＭに描画するパターンの密度に応じて可変速で連続移動することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】偏向領域のサイズにかかわらず、電子ビームの照射位置について正確な評価が可能な電子ビーム描画装置と電子ビーム描画装置の評価方法を提供する。
【解決手段】パターン１０１をショットした後、これに隣接するパターン１０２をショットする。次に、ラインパターンＬ２に隣接するラインパターンＬ３に移動させて、パターン１０３をショットし、次いで、これに隣接するパターン１０４をショットする。次に、再び、ラインパターンＬ２にショット位置を移動させて、パターン１０５をショットし、次いで、これに隣接するパターン１０６をショットする。その後、またラインパターンＬ３に移動して、パターン１０７をショットし、パターン１０７に隣接するパターン１０８をショットする。同様にして、パターン１８０までショットする。 （もっと読む）