【目的】複数層のパターンを重ねて描画する際に、より高精度なアライメントを実現する。
【構成】描画装置は、１層目のパターンと共に複数のマークが形成された基板の複数のマークの位置を電子ビームで走査して得られる結果から測定するマーク位置測定部と、複数のマークの位置のＮ次成分の位置ずれ量を補正する補正部と、補正後の複数のマークの位置のうち異常マークを検出する異常マーク検出部と、検出された異常マークのうち、所定の個数以内の異常マークの位置を除去するマーク除去部と、所定の個数以内の異常マークが除去された残りの複数のマークの位置を用いて、アライメント計算を行うアライメント計算部と、アライメントされた位置に２層目のパターンを描画する描画部と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】データ処理領域内のパターン面積密度を計算するまでの計算時間の短縮を図る描画装置を提供する。
【構成】描画装置１００は、チップ領域を複数のデータ処理領域に分割する分割部７０と、複数のセルから、データ処理領域毎に、当該データ処理領域にセルの基準位置が位置するセルを抽出するセル抽出部７８と、データ処理領域毎に、当該データ処理領域と抽出されたセルとを取り囲む枠を作成する外接枠作成部８０と、枠毎に、当該枠内を複数のメッシュ領域に分割して、各メッシュ領域に配置される図形パターンの面積密度を算出する面積密度算出部８６と、異なる複数の枠間における重なるメッシュ領域同士の面積密度を合成する合成部９０と、面積密度を用いて、荷電粒子ビームの照射量を演算する照射量演算部９４と、得られた照射量になるように荷電粒子ビームを照射することによって、試料にパターンを描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アウトヒータのヒータエレメントの円周方向への変形に、ヒータ電極部が追従し、ヒータエレメントやヒータ電極部の破損、周辺部材への接触を防ぐことが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】ウェーハ支持部材15を所定の温度に加熱するための、一か所に間隙を有する環状のヒータエレメント19aと、このヒータエレメント19aの各端部に設けられる第１のヒータ電極部と第２のヒータ電極部とを有するヒータ18、19と、第１のヒータ電極部と第２のヒータ電極部とそれぞれ接続される第１の電極部品と第２の電極部品と、第１の電極部品が固定される第１の溝と、第２の電極部品が配置され、ヒータエレメント19aの円周方向において、第１の電極部品と第１の溝との第１の遊びより、第２の電極部品との第２の遊びが大きくなるように設けられる第２の溝とを有するベース28と、を備える。 （もっと読む）

【課題】リカバー処理に掛かる時間を短縮することでスループットの向上を図ることのできる荷電粒子ビーム描画装置及び描画方法を提供する。
【解決手段】移動可能なステージ６１上に載置される試料にパターンを描画する描画部２と、荷電粒子ビームの偏向を制御する偏向制御部３２と、ステージの移動を制御するステージ制御部３６と、両者に対する制御を行う制御計算機３１、から構成される制御部３と、を備え、偏向制御部３２は、描画データを格納するバッファメモリ３２ｂと、バッファメモリ３２ｂから転送される描画データを格納するＦＩＦＯ３２ｃと、ＦＩＦＯ３２ｃへの描画データの転送量を判断した結果、バッファメモリ３２ｂへの描画データの格納が設定量に足りない場合に、ステージ制御部３６に対してステージ６１の停止を指示するとともに、ステージ６１を前記試料に対する描画の対象とされる位置にまで戻すリカバー処理を行う判定部３２ｄとを備える。 （もっと読む）

【目的】最終ストライプのデータ処理領域内に割り当てられるセルの数が、他のストライプ領域でのデータ処理領域に比べて突出して多くなることを抑制する。
【構成】描画装置１００は、最終段のストライプ領域の幅がストライプ領域幅よりも狭くなる場合には、最終段のストライプ領域と最終段のストライプ領域から１つ前のストライプ領域とを合成して１つのストライプ領域になるように分割するストライプ分割部１２と、分割されたストライプ領域毎に、ビームのショット数が同等になるように当該ストライプ領域を複数の処理領域に分割するＤＰＢ分割部１４と、ストライプ領域毎に、複数の処理領域について並列的に内部のパターン密度を演算する密度演算部２０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スループットの維持を図りつつＤＡＣアンプが異常（故障）として検出される前にショットの変化を確実に検出していくことで、ＤＡＣアンプの異常（故障）を事前に予測可能とするＤＡＣアンプの評価方法及び荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】ＤＡＣアンプ３４，３５から出力されるアナログ電圧信号を受信し、加算するステップと、加算の結果生成される加算信号をデジタル加算信号に変換するステップと、デジタル加算信号を基にエラーを検出するステップと、を備え、エラー検出ステップでは、電子ビーム照射の整定待ち時間を整定時間よりも短く設定することで荷電粒子ビームのショット時におけるＤＡＣアンプ３４，３５の電圧値が予め設定される閾値外となることをエラーと定義する。 （もっと読む）

【課題】マスクの歪の影響によらずパターンの良否を正確に判定することのできる検査装置および検査方法を提供する。
【解決手段】マスク上の任意の少なくとも４点の座標を測定する（Ｓ１０１）。次いで、これらの少なくとも４点について、それぞれ対応する設計データの各座標との差を求め、最も差の大きい１点を選択する（Ｓ１０２）。次に、選択した１点と設計データの座標との差が予め設定した閾値を超えるか否かを判定する（Ｓ１０３）。閾値以下であれば、少なくとも４点全てを用いて、光学画像と参照画像との位置合わせを行う（Ｓ１０４）。一方、閾値を超える場合には、この点を除外し、残りの少なくとも３点を用いて位置合わせを行う（Ｓ１０５）。 （もっと読む）

【課題】ストライプ領域間のドリフト補正量の極端な変化を抑え、ストライプ領域間のつなぎ状態を向上させる。
【解決手段】荷電粒子ビーム描画装置１は、荷電粒子ビームのドリフトを補正する補正区間毎に荷電粒子ビームのドリフト量を測定するドリフト測定部３９と、試料Ｗ上のストライプ領域毎の描画予測時間を算出する描画予測時間算出部３７と、算出したストライプ領域毎の描画予測時間を用いて補正区間内で描画対象となるストライプ領域の数である描画ストライプ数を算出する描画ストライプ数算出部３３ａと、算出した描画ストライプ数を用いて前述のドリフト量を除算し、補正区間内のストライプ領域毎のドリフト補正量を算出するドリフト補正量算出部３３ｂと、算出したストライプ領域毎のドリフト補正量を用いてストライプ領域毎に荷電粒子ビームのドリフトを補正するドリフト補正部の一例である偏向制御部３５とを備える。 （もっと読む）

【目的】グローバルな位置誤差を高精度に補正する描画装置及び方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の描画装置１００は、電子ビーム２００を照射する電子銃２０１と、試料１０１を載置するＸＹステージ１０５と、ダミー試料の描画領域の略全面に散らばった補正せずに描画された複数の図形の位置から得られるパターン歪みを基に、描画対象となる試料１０１の描画領域内のＳＦの基準位置を補正する主偏向演算部１１４と、補正基準位置に基づいて電子ビーム２００を偏向する主偏向器２１４と、ダミー試料のパターン歪みを基に基準位置を補正するための補正式の係数と基準位置とを用いて、補正基準位置から小領域内の任意位置への相対距離を補正する副偏向演算部１１２と、補正後の相対距離に基づいて主偏向器２１４により偏向された位置からさらに電子ビーム２００を偏向する副偏向器２１２と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スループットの向上を図ることのできる荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】高い描画精度が必要とされないパターンの描画中に処理室への他の基板の搬送が必要となった場合、描画処理を続けた状態で搬送処理を並行して行う。また、描画室への基板の搬送と、処理室への基板の搬送とを同時に行う場合、描画室への基板の搬送が終われば、処理室への基板の搬送が終えてない状態であっても描画を行う。但し、この状態で描画するパターンは、高い描画精度が必要とされないパターンとする。さらに、高い精度が必要とされるパターンの描画処理中に、処理室への基板の搬送が必要になった場合には、かかるパターンの描画を中断し、搬送が終了するまで高い精度が必要とされないパターンの描画を行う。 （もっと読む）