荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
【目的】データ処理領域内のパターン面積密度を計算するまでの計算時間の短縮を図る描画装置を提供する。
【構成】描画装置１００は、チップ領域を複数のデータ処理領域に分割する分割部７０と、複数のセルから、データ処理領域毎に、当該データ処理領域にセルの基準位置が位置するセルを抽出するセル抽出部７８と、データ処理領域毎に、当該データ処理領域と抽出されたセルとを取り囲む枠を作成する外接枠作成部８０と、枠毎に、当該枠内を複数のメッシュ領域に分割して、各メッシュ領域に配置される図形パターンの面積密度を算出する面積密度算出部８６と、異なる複数の枠間における重なるメッシュ領域同士の面積密度を合成する合成部９０と、面積密度を用いて、荷電粒子ビームの照射量を演算する照射量演算部９４と、得られた照射量になるように荷電粒子ビームを照射することによって、試料にパターンを描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。
【構成】描画装置１００は、チップ領域を複数のデータ処理領域に分割する分割部７０と、複数のセルから、データ処理領域毎に、当該データ処理領域にセルの基準位置が位置するセルを抽出するセル抽出部７８と、データ処理領域毎に、当該データ処理領域と抽出されたセルとを取り囲む枠を作成する外接枠作成部８０と、枠毎に、当該枠内を複数のメッシュ領域に分割して、各メッシュ領域に配置される図形パターンの面積密度を算出する面積密度算出部８６と、異なる複数の枠間における重なるメッシュ領域同士の面積密度を合成する合成部９０と、面積密度を用いて、荷電粒子ビームの照射量を演算する照射量演算部９４と、得られた照射量になるように荷電粒子ビームを照射することによって、試料にパターンを描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法に係り、例えば、描画する際の面積密度計算の効率化に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン（レチクル或いはマスクともいう。）が必要となる。ここで、電子線（電子ビーム）描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、高精度の原画パターンの生産に用いられる。
【０００３】
図１４は、可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
可変成形型電子線（ＥＢ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｂｅａｍ）描画装置は、以下のように動作する。第１のアパーチャ４１０には、電子線３３０を成形するための矩形例えば長方形の開口４１１が形成されている。また、第２のアパーチャ４２０には、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口４２１が形成されている。荷電粒子ソース４３０から照射され、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０は、偏向器により偏向され、第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１の一部を通過して、所定の一方向（例えば、Ｘ方向とする）に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０に照射される。すなわち、第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過できる矩形形状が、Ｘ方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０の描画領域に描画される。第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式（ＶＳＢ方式）という。
【０００４】
描画装置では、描画領域を一定の幅で短冊状にストライプ領域に分割する（例えば、特許文献１参照）。そして、ストライプ領域毎に、ストライプ領域へ分割した方向と直交する方向に、ストライプ領域を複数のデータ処理領域に分割して、データ処理領域単位でデータ処理を行う。その際、データ処理領域に一部でも含まれるセルについては、当該データ処理領域に割り当てられる。よって、セルが複数のデータ処理領域に跨っている場合には、同じセルが、複数のデータ処理領域に割り当てられることになる。複数のデータ処理領域では、各自、それぞれ割り当てられたセル内のパターンの所属判定処理が行なわれる。
【０００５】
ここで、昨今のパターンの微細化・高密度化に伴い、データ処理領域のサイズは小さくなる傾向にある。一方、パターン数は増大する傾向にある。そのため、複数のデータ処理領域で所属判定処理される同じパターン数も増大しており、描画時間に与える影響が無視できないものとなってきているといった問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−２６７８４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述したように、昨今のパターンの微細化・高密度化に伴い、複数のデータ処理領域で所属判定処理される同じパターン数も増大しており、データ処理領域でのパターンの所属判定処理に時間がかかってしまう。かかる所属判定処理時間が、データ処理領域内のパターン面積密度等を計算する際の計算時間を遅延させてしまうといった問題があった。その結果、描画時間を増加させてしまうといった問題があった。
【０００８】
そこで、本発明は、上述した問題点を克服し、データ処理領域内のパターン面積密度を計算するまでの計算時間の短縮を図る描画装置および方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、
チップ領域を複数のデータ処理領域に分割するデータ処理領域分割部と、
少なくとも１つの図形パターンを含む複数のセルから、データ処理領域毎に、当該データ処理領域にセルの基準位置が位置するセルを抽出するセル抽出部と、
データ処理領域毎に、当該データ処理領域と抽出されたセルとを取り囲む枠を作成する枠作成部と、
枠毎に、当該枠内を複数のメッシュ領域に分割して、各メッシュ領域に配置される図形パターンの面積密度を算出する面積密度算出部と、
異なる複数の枠間における重なるメッシュ領域同士の面積密度を合成する面積密度合成部と、
面積密度を用いて、荷電粒子ビームの照射量を演算する照射量演算部と、
得られた照射量になるように荷電粒子ビームを照射することによって、試料にパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。
【００１０】
また、上述した複数のデータ処理領域を複数の第１のデータ処理領域とし、上述したデータ処理領域分割部を第１のデータ処理領域分割部とする場合に、
チップ領域を複数の第１のデータ処理領域とは異なる複数の第２のデータ処理領域に分割する第２のデータ処理領域分割部と、
第１のデータ処理領域毎に作成された枠に基づいて、各第２のデータ処理領域に複数の第１のデータ処理領域の少なくとも１つを関連付けする関連付部と、
をさらに備え、
照射量演算部は、第２のデータ処理領域毎に、関連付けされた少なくとも１つの第１のデータ処理領域における面積密度の算出が終了した後に、関連付けされた少なくとも１つの第１のデータ処理領域における面積密度を用いて、荷電粒子ビームの照射量を演算すると好適である。
【００１１】
また、上述した枠を第１の枠とし、上述した枠作成部を第１の枠作成部とし、上述した関連付部を第１の関連付部とする場合に、
第１のデータ処理領域毎に、当該第１のデータ処理領域のいずれかの頂点に基準位置が重なるように、予め設定された最大セルサイズの最大セルを当該第１のデータ処理領域の外側に配置した場合の当該第１のデータ処理領域と最大セルとを取り囲む第２の枠を作成する第２の枠作成部と、
第１のデータ処理領域毎に作成された第２の枠に基づいて、各第２のデータ処理領域に複数の第１のデータ処理領域の少なくとも１つを関連付けする第２の関連付部と、
をさらに備え、
第２の関連付部による関連付けは、第１の関連付部による関連付けよりも先に行われ、
第１の関連付部は、関連付けの際、第２の枠に基づいて関連付けされた各第２のデータ処理領域に対し、第１の枠に基づいて関連付けし直すと好適である。
【００１２】
また、上述した関連付部を第１の関連付部とする場合に、
第２のデータ処理領域毎に、当該第２のデータ処理領域に向かって描画方向が左側から右側に進む場合には第２のデータ処理領域の右上の頂点より左下側に左下頂点が位置する全ての第１のデータ処理領域を当該第２のデータ処理領域に関連付けし、描画方向が右側から左側に進む場合には第２のデータ処理領域の左上の頂点より右下側に右下頂点が位置する全ての第１のデータ処理領域を当該第２のデータ処理領域に関連付けする第２の関連付部をさらに備え、
第２の関連付部による関連付けは、第１の関連付部による関連付けよりも先に行われ、
第１の関連付部は、関連付けの際、当該第２のデータ処理領域に向かって描画方向が左側から右側に進む場合には各第２のデータ処理領域の右上の頂点よりそれぞれ左下側に左下頂点が位置する全ての第１のデータ処理領域が関連付けされた各第２のデータ処理領域に対し、当該第２のデータ処理領域に向かって描画方向が右側から左側に進む場合には各第２のデータ処理領域の左上の頂点よりそれぞれ右下側に右下頂点が位置する全ての第１のデータ処理領域が関連付けされた各第２のデータ処理領域に対し、枠に基づいて関連付けし直すように構成すると好適である。
【００１３】
本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画方法は、
チップ領域を複数のデータ処理領域に分割する工程と、
少なくとも１つの図形パターンを含む複数のセルから、データ処理領域毎に、当該データ処理領域にセルの基準位置が位置するセルを抽出する工程と、
データ処理領域毎に、当該データ処理領域と抽出されたセルとを取り囲む枠を作成する工程と、
枠毎に、当該枠内を複数のメッシュ領域に分割して、各メッシュ領域に配置される図形パターンの面積密度を算出する工程と、
異なる複数の枠間における重なるメッシュ領域同士の面積密度を合成する工程と、
面積密度を用いて、荷電粒子ビームの照射量を演算する工程と、
得られた照射量になるように荷電粒子ビームを照射することによって、試料にパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の一態様によれば、データ処理領域内のパターン面積密度を計算するまでの計算時間の短縮が可能となる。その結果、描画時間を短縮できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。
【図２】実施の形態１における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。
【図３】実施の形態１と比較される、跨るセルをすべて抽出した場合のデータ処理領域の一例を示す図である。
【図４】実施の形態１におけるデータ処理領域と抽出されるセルとの一例を示す図である。
【図５】実施の形態１における面積密度計算用のデータ処理領域と照射量演算用のデータ処理領域との一例を示す図である。
【図６】実施の形態１における最大セルサイズのセルを用いて作成される外接枠の一例を示す図である。
【図７】実施の形態１における最大セルサイズのセルとの外接枠と照射量演算用のデータ処理領域との関連付けを説明するための概念図である。
【図８】実施の形態１における抽出されたセルを用いて作成される外接枠の一例を示す図である。
【図９】実施の形態１における抽出されたセルとの外接枠と照射量演算用のデータ処理領域との関連付けを説明するための概念図である。
【図１０】実施の形態１における外接枠内がメッシュ分割された状態の一例を示す図である。
【図１１】実施の形態１における複数の外接枠のメッシュ領域の面積密度の合成を説明するための概念図である。
【図１２】実施の形態２における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。
【図１３】実施の形態２における関連付けの手法を説明するための概念図である。
【図１４】可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。また、荷電粒子ビーム装置の一例として、可変成形型の描画装置について説明する。
【００１７】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。図１において、描画装置１００は、描画部１５０と制御部１６０を備えている。描画装置１００は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型の描画装置の一例である。描画部１５０は、電子鏡筒１０２と描画室１０３を備えている。電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、第１のアパーチャ２０３、投影レンズ２０４、偏向器２０５、第２のアパーチャ２０６、対物レンズ２０７、主偏向器２０８及び副偏向器２０９が配置されている。描画室１０３内には、ＸＹステージ１０５が配置される。ＸＹステージ１０５上には、描画時には描画対象となるマスク等の試料１０１が配置される。試料１０１には、半導体装置を製造する際の露光用マスクが含まれる。また、試料１０１には、レジストが塗布された、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。
【００１８】
制御部１６０は、制御計算機１１０、メモリ１１２、制御回路１２０、及び磁気ディスク装置等の記憶装置１４０，１４２を有している。制御計算機１１０、メモリ１１２、制御回路１２０、及び記憶装置１４０，１４２は、図示しないバスを介して互いに接続されている。
【００１９】
制御計算機１１０内には、分割部７０，７２、外接枠作成部７４、関連付部７６、セル抽出部７８、外接枠作成部８０、関連付部８２、メッシュ分割部８４、面積密度算出部８６、合成部９０、判定部９２、照射量演算部９４、ショットデータ生成部９６、及び描画制御部９８が配置される。分割部７０，７２、外接枠作成部７４、関連付部７６、セル抽出部７８、外接枠作成部８０、関連付部８２、メッシュ分割部８４、面積密度算出部８６、合成部９０、判定部９２、照射量演算部９４、ショットデータ生成部９６、及び描画制御部９８といった機能は、電気回路等のハードウェアで構成されてもよいし、これらの機能を実行するプログラム等のソフトウェアで構成されてもよい。或いは、ハードウェアとソフトウェアの組み合わせにより構成されてもよい。分割部７０，７２、外接枠作成部７４、関連付部７６、セル抽出部７８、外接枠作成部８０、関連付部８２、メッシュ分割部８４、面積密度算出部８６、合成部９０、判定部９２、照射量演算部９４、ショットデータ生成部９６、及び描画制御部９８に入出力される情報および演算中の情報はメモリ１１２にその都度格納される。
【００２０】
ここで、図１では、実施の形態１を説明する上で必要な構成を記載している。描画装置１００にとって、通常、必要なその他の構成を備えていても構わない。例えば、位置偏向用には、主偏向器２０８と副偏向器２０９の主副２段の多段偏向器を用いているが、１段の偏向器或いは３段以上の多段偏向器によって位置偏向を行なう場合であってもよい。
【００２１】
記憶装置１４０（記憶部）には、少なくとも１つの図形パターンから構成される複数のセルを有するチップの描画データが外部より入力され、格納されている。描画データには、各セルの配置座標、およびサイズ、そして、各セル内の各図形パターンの形状、配置座標、およびサイズ等を示す各図形パターンデータが定義される。
【００２２】
図２は、実施の形態１における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。図２において、実施の形態１における描画方法は、データ処理領域（ＤＰＢ）（１）分割工程（Ｓ１０２）と、ＤＰＢ）（２）分割工程（Ｓ１０４）と、外接枠（１）作成工程（Ｓ１０６）と、関連付（１）工程（Ｓ１０８）と、セル抽出工程（Ｓ１１０）と、外接枠（２）作成工程（Ｓ１１２）と、関連付（２）工程（Ｓ１１４）と、メッシュ分割工程（Ｓ１１６）と、面積密度算出工程（Ｓ１１８）と、合成工程（Ｓ１２０）と、判定工程（Ｓ１２２）と、照射量演算工程（Ｓ１２４）と、ショットデータ生成工程（Ｓ１２６）と、描画工程（Ｓ１２８）という一連の工程を実施する。
【００２３】
図３は、実施の形態１と比較される、跨るセルをすべて抽出した場合のデータ処理領域の一例を示す図である。図３（ａ）では、あるチップ領域を複数のデータ処理領域（ＤＰＢ）２０ａ〜２０ｅに分割した例を示している。ＤＰＢ２０ａ〜２０ｅには、セル３０ａ〜３０ｋが配置される。具体的には、ＤＰＢ２０ａには、セル３０ａ，３０ｂ，３０ｃの少なくとも一部が含まれている。ＤＰＢ２０ｂには、セル３０ｂ，３０ｃ，３０ｄ，３０ｅ，３０ｆの少なくとも一部が含まれている。ＤＰＢ２０ｃには、セル３０ｅ，３０ｆ，３０ｇの少なくとも一部が含まれている。ＤＰＢ２０ｄには、セル３０ａ，３０ｃ，３０ｈ，３０ｉの少なくとも一部が含まれている。ＤＰＢ２０ｅには、セル３０ｆ，３０ｇ，３０ｊ，３０ｋの少なくとも一部が含まれている。よって、跨るセルをすべて抽出した場合、図３（ｂ）に示すように、ＤＰＢ２０ａでは、セル３０ａ，３０ｂ，３０ｃ内の図形パターンの所属判定処理を行ない、実際にＤＰＢ２０ａ内に位置する図形パターンを判定することになる。ＤＰＢ２０ｂでは、セル３０ｂ，３０ｃ，３０ｄ，３０ｅ，３０ｆ内の図形パターンの所属判定処理を行ない、実際にＤＰＢ２０ｂ内に位置する図形パターンを判定することになる。ＤＰＢ２０ｃでは、セル３０ｅ，３０ｆ，３０ｇ内の図形パターンの所属判定処理を行ない、実際にＤＰＢ２０ｃ内に位置する図形パターンを判定することになる。ＤＰＢ２０ｄでは、セル３０ａ，３０ｃ，３０ｈ，３０ｉ内の図形パターンの所属判定処理を行ない、実際にＤＰＢ２０ｄ内に位置する図形パターンを判定することになる。ＤＰＢ２０ｅでは、セル３０ｆ，３０ｇ，３０ｊ，３０ｋ内の図形パターンの所属判定処理を行ない、実際にＤＰＢ２０ｅ内に位置する図形パターンを判定することになる。各ＤＰＢ単位でその領域内の面積密度を計算するためには、それぞれのＤＰＢ内に所属する図形パターンを把握する必要がある。よって、一部でも含まれるセルについては、その内部の図形パターンの所属判定が必要となってしまう。このように、セル３０ｄ，３０ｈ，３０ｉ，３０ｊ以外のセルは、複数のＤＰＢで重複して所属判定処理が行なわれる。そのため、それぞれに所属するセル内の図形パターンを判定するだけでも多くの時間がかかってしまう結果となる。これに対して、実施の形態１では、以下のようにセルを抽出する。
【００２４】
図４は、実施の形態１におけるデータ処理領域と抽出されるセルとの一例を示す図である。図４（ａ）の内容は、図３（ａ）と同様である。実施の形態１では、各ＤＰＢに少しでも跨るセルをすべて抽出するのではなく、ＤＰＢ毎に、当該ＤＰＢ内にセルの基準位置が位置するセルを抽出する。セルの基準位置としては、例えば、図面の左下の角の位置を用いると好適である。よって、図４（ｂ）に示すように、セルが重複して抽出されず、いずれか１つのＤＰＢに抽出される。このままでは、各ＤＰＢ内のパターン面積密度を正確に演算することは困難である。そこで、実施の形態１では、以下に説明するように、外接枠を利用して、パターン面積密度を正確に演算する。
【００２５】
データ処理領域（ＤＰＢ）（１）分割工程（Ｓ１０２）として、分割部７０は、チップ領域を面積密度計算用の複数のデータ処理領域（ＤＰＢ）（１）（第１のデータ処理領域）に分割する。分割部７０は、第１のデータ処理領域分割部の一例である。
【００２６】
図５は、実施の形態１における面積密度計算用のデータ処理領域と照射量演算用のデータ処理領域との一例を示す図である。図５において、面積密度計算用のデータ処理領域（ＤＰＢ）（１）では、例えば、領域内のビームのショット数がほぼ均一になる分割サイズで分割される。面積密度の計算時間は、ビームのショット数がほぼ均一であれば、ほぼ同等の計算時間になる。ビームのショット数は、図示しない計算器等で所定のメッシュ領域毎に予め見積もっておけばよい。図５では、面積密度計算用のデータ処理領域（ＤＰＢ）（１）として、例えば、図４（ａ）で示したように、チップ領域１０を複数のＤＰＢ２０ａ〜２０ｅに分割した例を示している。
【００２７】
ＤＰＢ）（２）分割工程（Ｓ１０４）として、分割部７２は、チップ領域を照射量演算用の複数のデータ処理領域（ＤＰＢ）（２）に分割する。分割部７２は、チップ領域を複数の面積密度計算用のデータ処理領域（ＤＰＢ）（１）（第１のデータ処理領域）とは異なる複数のデータ処理領域（ＤＰＢ）（２）（第２のデータ処理領域）に分割する。分割部７２は、第２のデータ処理領域分割部の一例である。図５において、照射量演算用のデータ処理領域（ＤＰＢ）（２）では、一定のサイズの分割サイズで分割される。図５では、照射量演算用のＤＰＢ（２）として、例えば、チップ領域１０を座標（１，１）〜（３，６）で示す複数のＤＰＢ４０に分割した例を示している。
【００２８】
外接枠（１）作成工程（Ｓ１０６）として、外接枠作成部７４は、ＤＰＢ（１）毎に、当該ＤＰＢ（１）のいずれかの頂点に基準位置が重なるように、予め設定された最大セルサイズの最大セルを当該ＤＰＢ（１）の外側に配置した場合の当該ＤＰＢ（１）と最大セルとを取り囲む外接枠（第２の枠）を作成する。外接枠作成部７４は、第２の枠作成部の一例である。
【００２９】
図６は、実施の形態１における最大セルサイズのセルを用いて作成される外接枠の一例を示す図である。図６において、ある面積密度計算用のＤＰＢ（１）（例えば、ＤＰＢ２０ｂ）の右上頂点に最大セルサイズのセル５２の基準位置（ここでは、例えば、左下頂点）を重ねて配置する。そして、ＤＰＢ２０ｂとセル５２を取り囲むように外接枠５０ｂを作成する。外接枠は、取り囲む複数の矩形（ここでは、ＤＰＢ２０ｂとセル５２）の最も外側に位置する辺と接するように最小サイズの矩形（長方形或いは正方形）で取り囲む枠である。なお、最大セルサイズは予め描画装置１００に設定しておけばよい。同様に、残りのＤＰＢ２０ａ，２０ｃ〜２０ｅについて、それぞれセル５２を同様に配置して取り囲むように図示しない外接枠５０ａ，５０ｃ〜５０ｅを作成する。
【００３０】
関連付（１）工程（Ｓ１０８）として、関連付部７６は、面積密度計算用のＤＰＢ（１）毎に作成された外接枠５０（第２の枠）に基づいて、各照射量演算用のＤＰＢ（２）に複数のＤＰＢ（１）の少なくとも１つを関連付けする。関連付部７６は、第２の関連付部の一例である。
【００３１】
図７は、実施の形態１における最大セルサイズのセルとの外接枠と照射量演算用のデータ処理領域との関連付けを説明するための概念図である。図７では、例えば、照射量演算用のＤＰＢ（２）として、座標（２，４）のＤＰＢ４０を示している。座標（２，４）のＤＰＢ４０と一部でも重なる外接枠５０は、ＤＰＢ２０ａの外接枠５０ａ、ＤＰＢ２０ｂの外接枠５０ｂａ、ＤＰＢ２０ｃの外接枠５０ｃ、ＤＰＢ２０ｄの外接枠５０ｄ、及びＤＰＢ２０ｅの外接枠５０ｅとなる。よって、ここでは、照射量演算用の座標（２，４）のＤＰＢ４０に対して、面積密度計算用のＤＰＢ２０ａ〜２０ｅを関連付けする。残りの座標の各ＤＰＢ４０に対しても、同様に、面積密度計算用のＤＰＢ２０の少なくとも１つを関連付けする。
【００３２】
このように、面積密度計算用のＤＰＢ（１）と照射量演算用のＤＰＢ（２）とでは、その領域サイズが異なっている。ここで、照射量演算用のＤＰＢ（２）で照射量を演算するためには、当該ＤＰＢ（２）が位置する領域分の面積密度の値が必要となる。よって、ここでは、仮の関連付けを行なった。かかる仮の関連付けにより、照射量演算用のＤＰＢ（２）の演算のために最大どの面積密度計算用のＤＰＢ（１）が必要かを把握できる。但し、上述した関連付けは、あくまで最大セルサイズのセルを右上の配置した場合の外接枠なので、実際に抽出されたセルを含むが必要以上の大きさになっている。
【００３３】
セル抽出工程（Ｓ１１０）として、セル抽出部７８は、少なくとも１つの図形パターンを含む複数のセルから、面積密度計算用のＤＰＢ（１）毎に、当該面積密度計算用のＤＰＢ（１）にセルの基準位置が位置するセルを抽出する。図４（ａ）に示したように、あるチップ領域を複数のＤＰＢ２０ａ〜２０ｅに分割した例では、ＤＰＢ２０ａ〜２０ｅには、セル３０ａ〜３０ｋが配置される。具体的には、ＤＰＢ２０ａには、セル３０ａ，３０ｂ，３０ｃの少なくとも一部が含まれている。ＤＰＢ２０ｂには、セル３０ｂ，３０ｃ，３０ｄ，３０ｅ，３０ｆの少なくとも一部が含まれている。ＤＰＢ２０ｃには、セル３０ｅ，３０ｆ，３０ｇの少なくとも一部が含まれている。ＤＰＢ２０ｄには、セル３０ａ，３０ｃ，３０ｈ，３０ｉの少なくとも一部が含まれている。ＤＰＢ２０ｅには、セル３０ｆ，３０ｇ，３０ｊ，３０ｋの少なくとも一部が含まれている。かかる場合に、図４（ｂ）において説明したように、実施の形態１では、各ＤＰＢ（１）に少しでも跨るセルをすべて抽出するのではなく、ＤＰＢ（１）毎に、当該ＤＰＢ（１）内にセルの基準位置が位置するセルを抽出する。セルの基準位置としては、例えば、図面の左下の角の位置を用いる。よって、図４（ｂ）に示すように、ＤＰＢ２０ａでは、セル３０ａ，３０ｃが抽出される。ＤＰＢ２０ｂでは、セル３０ｄ，３０ｅ，３０ｆが抽出される。ＤＰＢ２０ｃでは、セル３０ｇが抽出される。ＤＰＢ２０ｄでは、セル３０ｈ，３０ｉが抽出される。ＤＰＢ２０ｅでは、セル３０ｊ，３０ｋが抽出される。このように、セルが重複して抽出されず、いずれか１つのＤＰＢに抽出される。なお、セル３０ｂは、図示しないＤＰＢ２０ａの下側に位置するＤＰＢに抽出されることになる。
【００３４】
外接枠（２）作成工程（Ｓ１１２）として、外接枠作成部８０は、面積密度計算用のＤＰＢ（１）毎に、当該面積密度計算用のＤＰＢ（１）と抽出されたセルとを取り囲む外接枠（第１の枠）を作成する。外接枠作成部８０は、第１の枠作成部の一例である。
【００３５】
図８は、実施の形態１における抽出されたセルを用いて作成される外接枠の一例を示す図である。図８において、ある面積密度計算用のＤＰＢ（１）（例えば、ＤＰＢ２０ｂ）には、セル３０ｄ，３０ｅ，３０ｆが抽出される。抽出されセル３０ｄ，３０ｅ，３０ｆが配置された状態で、ＤＰＢ２０ｂとセル３０ｄ，３０ｅ，３０ｆとを取り囲むように外接枠６０ｂを作成する。外接枠は、取り囲む複数の矩形（ここでは、ＤＰＢ２０ｂとセル３０ｄ，３０ｅ，３０ｆ）の最も外側に位置する辺と接するように最小サイズの矩形（長方形或いは正方形）で取り囲む枠である。図８の例では、ＤＰＢ２０ｂの左辺と底辺、セル３０ｅの右辺、及び、セル３０ｆの上辺に接触する外接枠６０ｂが示されている。同様に、残りのＤＰＢ２０ａ，２０ｃ〜２０ｅについて、それぞれ抽出されたセルを同様に配置して取り囲むように図示しない外接枠６０ａ，６０ｃ〜６０ｅを作成する。
【００３６】
関連付（２）工程（Ｓ１１４）として、関連付部８２は、面積密度計算用のＤＰＢ（１）毎に作成された外接枠６０（第１の枠）に基づいて、各照射量演算用のＤＰＢ（２）に複数のＤＰＢ（１）の少なくとも１つを関連付けする。このように、関連付部８２は、かかる関連付けの際、既に外接枠５０に基づいて関連付けされた各照射量演算用のＤＰＢ（２）に対し、外接枠６０に基づいて関連付けし直す。関連付部８２は、第１の関連付部の一例である。ここでは、実際に抽出されたセル３０の外接枠なので、最大セルサイズのセル５２を使って作成した外接枠５０に比べて枠のサイズが小さくできる。
【００３７】
図９は、実施の形態１における抽出されたセルとの外接枠と照射量演算用のデータ処理領域との関連付けを説明するための概念図である。図９では、例えば、照射量演算用のＤＰＢ（２）として、座標（２，４）のＤＰＢ４０を示している。座標（２，４）のＤＰＢ４０と一部でも重なる外接枠６０は、ＤＰＢ２０ａの外接枠６０ａ、ＤＰＢ２０ｂの外接枠６０ｂａ、ＤＰＢ２０ｃの外接枠６０ｃ、ＤＰＢ２０ｄの外接枠６０ｄ、及びＤＰＢ２０ｅの外接枠６０ｅとなる。よって、ここでは、照射量演算用の座標（２，４）のＤＰＢ４０に対して、面積密度計算用のＤＰＢ２０ａ〜２０ｅを関連付けする。残りの座標の各ＤＰＢ４０に対しても、同様に、面積密度計算用のＤＰＢ２０の少なくとも１つを関連付けする。
【００３８】
このように、実際に抽出されたセルを用いた外接枠６０で関連付けを行っているため、外接枠６０のサイズが最大セルサイズのセルを用いた外接枠５０より小さい。よって、図９の例では、照射量演算用の座標（２，４）のＤＰＢ４０に対して、外接枠５０を用いた場合と同じ数の、面積密度計算用のＤＰＢ２０ａ〜２０ｅを関連付けしたが、他の座標のＤＰＢ４０では、関連付けされる面積密度計算用のＤＰＢ２０の数を少なくできる場合が発生し得る。
【００３９】
メッシュ分割工程（Ｓ１１６）として、メッシュ分割部８４は、外接枠６０毎に、当該外接枠６０内を複数のメッシュ領域に分割する。
【００４０】
図１０は、実施の形態１における外接枠内がメッシュ分割された状態の一例を示す図である。図１０では、例えば、ＤＰＢ２０ａの外接枠６０ａが複数のメッシュ領域６２にメッシュ分割された例を示している。その他の面積密度計算用のＤＰＢ２０ｂ〜２０ｅの外接枠６０ｂ〜６０ｅについても、それぞれ同様に複数のメッシュ領域に分割される。メッシュサイズは、例えば、近接効果補正を行うためのサイズにすると好適である。例えば、近接効果の影響半径の１／１０程度にすると好適である。例えば、１μｍ程度にすると好適である。ここで、メッシュサイズは、近接効果補正を行うためのサイズに限定されるものではない。例えば、かぶり効果の補正を行うためのサイズにしてもよい。かぶり効果は、その影響半径が、数ｍｍに及ぶため、補正演算を行なうには、かぶり用メッシュのサイズを影響半径の１／１０程度、例えば、１ｍｍにすると好適である。
【００４１】
面積密度算出工程（Ｓ１１８）として、面積密度算出部８６は、外接枠６０ａ毎に、各メッシュ領域６２に配置される図形パターンの面積密度ρを算出する。例えば、ＤＰＢ２０ａには、セル３０ａ，３０ｃが抽出されている。よって、外接枠６０ａ内には、セル３０ａ，３０ｃが配置される。そこで、これらのセル内の図形パターンが外接枠６０ａに配置された状態の各メッシュ領域６２の面積密度ρを算出する。同様に、その他の面積密度計算用のＤＰＢ２０ｂ〜２０ｅの外接枠６０ｂ〜６０ｅについても、順に、それぞれ各メッシュ領域６２に配置される図形パターンの面積密度ρを算出していく。
【００４２】
ここで、照射量演算用のある座標のＤＰＢ４０内での照射量を演算するためには、関連付けされたＤＰＢ（１）の面積密度が必要となる。よって、外接枠６０で関連付けされたＤＰＢ（１）の面積密度の算出が終了するまで照射量の演算は待機せざるを得ない。よって、関連付けされたＤＰＢ（１）の面積密度計算の高速化が望まれる。外接枠６０は、外接枠５０よりもサイズが小さいので、外接枠５０を用いる場合に比べて、それぞれの外接枠６０内の面積密度ρを計算する計算時間を短縮できる。
【００４３】
合成工程（Ｓ１２０）として、合成部９０は、異なる複数の外接枠６０間における重なるメッシュ領域同士の面積密度ρを合成する。合成部９０は、面積密度合成部の一例となる。
【００４４】
図１１は、実施の形態１における複数の外接枠のメッシュ領域の面積密度の合成を説明するための概念図である。図１１では、例えば、ＤＰＢ２０ａの外接枠６０ａとＤＰＢ２０ｂの外接枠６０ｂとＤＰＢ２０ｄの外接枠６０ｄとの重なり状況の一例を示している。図１１では重なる部分を斜線で示している。外接枠６０同士が重なっている部分では、その重なっている部分のメッシュ領域でそれぞれ計算された面積密度が累積加算され、合成される。これにより、メッシュ領域毎に、一意に面積密度が決定できる。実施の形態１では、セル抽出工程（Ｓ１１０）において、各ＤＰＢ（１）に少しでも跨るセルをすべて抽出するのではなく、ＤＰＢ（１）毎に、当該ＤＰＢ（１）内にセルの基準位置が位置するセルを抽出した。よって、各メッシュ領域において重複して面積密度が演算されることを回避できる。さらに、外接枠６０を用いて、重なる部分のメッシュ領域は合成することで、ＤＰＢ（１）毎に、ＤＰＢ（１）内の図形パターンの所属判定を行う必要がない。よって、その分の演算時間を短縮できる。
【００４５】
判定工程（Ｓ１２２）として、判定部９２は、照射量演算用のＤＰＢ４０毎に、外接枠６０で関連付けされたＤＰＢ（１）の面積密度の算出が終了したかどうかを判定する。まだ終了していない場合は判定工程（Ｓ１２２）に戻る。終了している場合には照射量演算へと進む。
【００４６】
照射量演算工程（Ｓ１２４）として、照射量演算部９４は、計算された面積密度を用いて、電子ビームの照射量を演算する。照射量演算部９４は、ＤＰＢ（２）毎に、外接枠６０で関連付けされた少なくとも１つのＤＰＢ（１）における面積密度ρの算出が終了した後に、関連付けされた少なくとも１つのＤＰＢ（１）における面積密度ρを用いて、電子ビーム２００の照射量を演算する。また、照射量演算部９４は、ＤＰＢ（２）を所定のサイズのメッシュ領域に分割して、かかるメッシュ領域（照射量演算用メッシュ）毎に必要な照射量を演算する。照射量は、基準照射量Ｄｂａｓｅに補正係数を乗じた値で演算できる。補正係数として、例えば、近接効果の補正を行うための近接効果補正照射係数Ｄｐ（ρ）を用いると好適である。近接効果補正照射係数Ｄｐ（ρ）は、近接効果用メッシュのパターン面積密度ρに依存する関数である。また、かぶり補正を行う際には、基準照射量Ｄｂａｓｅに、かぶり効果補正照射係数Ｄｆ（ρ）を乗じた値で演算できる。かぶり効果補正照射係数Ｄｆ（ρ）は、かぶり用メッシュのパターン密度ρに依存する関数である。その他、照射量は、ローディング効果補正用の補正係数Ｄｌ（ρ）等で補正しても好適である。また、これらの一部或いは全ての補正係数を基準照射量Ｄｂａｓｅに乗じて補正してもよい。これらの補正においてもそれぞれの計算用のメッシュ領域におけるパターン密度が利用される。そして、照射量演算部２２は、演算された各照射量を領域毎に定義した照射量マップを作成する。生成された照射量マップは、記憶装置１４２に記憶される。
【００４７】
ショットデータ生成工程（Ｓ１２６）として、ショットデータ生成部９６は、記憶装置１４０から描画データを読み出し、複数段のデータ変換処理を行って、装置固有のショットデータを生成する。上述したように、描画装置１００で図形パターンを描画するためには、１回のビームのショットで照射できるサイズに描画データに定義された各図形パターンを分割する必要がある。そこで、ショットデータ生成部９６は、実際に描画するために、各図形パターンを１回のビームのショットで照射できるサイズに分割してショット図形を生成する。そして、ショット図形毎にショットデータを生成する。ショットデータには、例えば、図形種、図形サイズ、及び照射位置といった図形データが定義される。生成されたショットデータは、記憶装置１４２に記憶される。
【００４８】
描画工程（Ｓ１２８）として、描画制御部９８に制御された制御回路１２０は、記憶装置１４２からショットデータと照射量マップを入力し、描画部１５０を制御し、描画部１５０は、電子ビーム２００を用いて、得られた照射量になるように電子ビーム２００を照射することによって、試料１０１にパターンを描画する。具体的には、以下のように動作する。
【００４９】
電子銃２０１（放出部）から放出された電子ビーム２００は、照明レンズ２０２により矩形例えば長方形の穴を持つ第１のアパーチャ２０３全体を照明する。ここで、電子ビーム２００をまず矩形例えば長方形に成形する。そして、第１のアパーチャ２０３を通過した第１のアパーチャ像の電子ビーム２００は、投影レンズ２０４により第２のアパーチャ２０６上に投影される。偏向器２０５によって、かかる第２のアパーチャ２０６上での第１のアパーチャ像は偏向制御され、ビーム形状と寸法を変化させる（可変成形させる）ことができる。そして、第２のアパーチャ２０６を通過した第２のアパーチャ像の電子ビーム２００は、対物レンズ２０７により焦点を合わせ、主偏向器２０８及び副偏向器２０９によって偏向され、連続的に移動するＸＹステージ１０５に配置された試料１０１の所望する位置に照射される。図１では、位置偏向に、主副２段の多段偏向を用いた場合を示している。かかる場合には、主偏向器２０８でストライプ領域をさらに仮想分割したサブフィールド（ＳＦ）の基準位置にステージ移動に追従しながら該当ショットの電子ビーム２００を偏向し、副偏向器２０９でＳＦ内の各照射位置にかかる該当ショットのビームを偏向すればよい。
【００５０】
以上のように、実施の形態１では、各ＤＰＢ（１）に少しでも跨るセルをすべて抽出するのではなく、ＤＰＢ（１）毎に、当該ＤＰＢ（１）内にセルの基準位置が位置するセルを抽出した。よって、各メッシュ領域において重複して面積密度が演算されることを回避できる。さらに、外接枠６０を用いて、重なる部分のメッシュ領域は合成することで、ＤＰＢ（１）毎に、ＤＰＢ（１）内の図形パターンの所属判定を行う必要がない。よって、その分の演算時間を短縮できる。よって、ＤＰＢ（１）内のパターン面積密度ρを計算するまでの計算時間の短縮が可能となる。その結果、その後の描画処理を含めたトータルな描画時間を短縮できる。
【００５１】
実施の形態２．
実施の形態１では、外接枠５０を用いて、仮の関連付けを行ったが、これに限るものではない。実施の形態２では、さらに、簡略化した手法で仮の関連付けを行う構成について説明する。実施の形態２における描画装置１００の構成は図１と同様である。
【００５２】
図１２は、実施の形態２における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。図１２において、外接枠（１）作成工程（Ｓ１０６）が無くなった点と、関連付（１）工程（Ｓ１０８）の代わりに関連付（１）工程（Ｓ１０９）が追加された点と、以外は図２と同様である。また、以下、特に説明する点以外の内容は、実施の形態１と同様である。
【００５３】
関連付（１）工程（Ｓ１０９）として、関連付部７６は、ＤＰＢ（２）（第２のデータ処理領域）毎に、当該ＤＰＢ（２）に向かって描画方向が左側から右側に進む場合にはＤＰＢ（２）の右上の頂点より左下側に左下頂点が位置する全てのＤＰＢ（１）（第１のデータ処理領域）を当該ＤＰＢ（２）に関連付けし、描画方向が右側から左側に進む場合にはＤＰＢ（２）の左上の頂点より右下側に右下頂点が位置する全てのＤＰＢ（１）を当該ＤＰＢ（２）に関連付けする。関連付部７６は、第２の関連付部の一例である。
【００５４】
図１３は、実施の形態２における関連付けの手法を説明するための概念図である。図１３では、例えば、照射量演算用のＤＰＢ（２）として、座標（２，４）のＤＰＢ４０を示している。描画方向がチップ領域の左側から右側に進む場合には、座標（２，４）のＤＰＢ４０の右上の頂点より左下側に左下頂点が位置するＤＰＢ２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄ，２０ｅを座標（２，４）のＤＰＢ４０に関連付けする。このようにすれば、座標（２，４）のＤＰＢ４０に一部でも重なる全てのＤＰＢ（１）と関連付けできる。なお、ＤＰＢ２０ａでは、後に抽出されるセルが右上側にはみ出すことが想定されるので関連付けされることが望ましい。また、もし、描画方向がチップ領域の右側から左側に進む場合には、座標（２，４）のＤＰＢ４０の左上の頂点より右下側に右下頂点が位置するＤＰＢ２０ｂ，２０ｃ，２０ｄ，２０ｅを座標（２，４）のＤＰＢ４０に関連付けすればよい。
【００５５】
セル抽出工程（Ｓ１１０）から、外接枠（２）作成工程（Ｓ１１２）は、実施の形態１と同様である。
【００５６】
関連付（２）工程（Ｓ１１４）として、関連付部８２は、面積密度計算用のＤＰＢ（１）毎に作成された外接枠６０（第１の枠）に基づいて、各照射量演算用のＤＰＢ（２）に複数のＤＰＢ（１）の少なくとも１つを関連付けする。このように、関連付部８２は、当該ＤＰＢ（２）に向かって描画方向が左側から右側に進む場合には各ＤＰＢ（２）の右上の頂点よりそれぞれ左下側に左下頂点が位置する全てのＤＰＢ（１）が関連付けされた各ＤＰＢ（２）に対し、外接枠６０に基づいて関連付けし直す。また、関連付部８２は、当該ＤＰＢ（２）に向かって描画方向が右側から左側に進む場合には各ＤＰＢ（２）の左上の頂点よりそれぞれ右下側に右下頂点が位置する全てのＤＰＢ（１）が関連付けされた各ＤＰＢ（２）に対し、外接枠６０に基づいて関連付けし直す。以降の各工程は実施の形態１と同様である。
【００５７】
以上のように、実施の形態２によれば、仮の外接枠５０を作成しなくとも、ＤＰＢ（１）の頂点位置で関連付けを行なうことができる。よって、その分の工程処理が不要となり、実施の形態１よりもさらにデータ処理時間を短縮できる。よって、実施の形態１よりもさらに、ＤＰＢ（１）内のパターン面積密度ρを計算するまでの計算時間の短縮が可能となる。その結果、その後の描画処理を含めたトータルな描画時間を短縮できる。
【００５８】
以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。
【００５９】
また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置１００を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。
【００６０】
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての荷電粒子ビーム描画装置及び方法は、本発明の範囲に包含される。
【符号の説明】
【００６１】
１０ チップ領域
２０，４０ ＤＰＢ
３０，５２ セル
５０，６０ 外接枠
６２ メッシュ領域
７０，７２ 分割部
７４ 外接枠作成部
７６ 関連付部
７８ セル抽出部
８０ 外接枠作成部
８２ 関連付部
８４ メッシュ分割部
８６ 面積密度算出部
９０ 合成部
９２ 判定部
９４ 照射量演算部
９６ ショットデータ生成部
９８ 描画制御部
１００ 描画装置
１０１，３４０ 試料
１０２ 電子鏡筒
１０３ 描画室
１０５ ＸＹステージ
１１０ 制御計算機
１１２ メモリ
１２０ 制御回路
１４０，１４２ 記憶装置
１５０ 描画部
１６０ 制御部
２００ 電子ビーム
２０１ 電子銃
２０２ 照明レンズ
２０３，４１０ 第１のアパーチャ
２０４ 投影レンズ
２０５ 偏向器
２０６，４２０ 第２のアパーチャ
２０７ 対物レンズ
２０８ 主偏向器
２０９ 副偏向器
３３０ 電子線
４１１ 開口
４２１ 可変成形開口
４３０ 荷電粒子ソース
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法に係り、例えば、描画する際の面積密度計算の効率化に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン（レチクル或いはマスクともいう。）が必要となる。ここで、電子線（電子ビーム）描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、高精度の原画パターンの生産に用いられる。
【０００３】
図１４は、可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
可変成形型電子線（ＥＢ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｂｅａｍ）描画装置は、以下のように動作する。第１のアパーチャ４１０には、電子線３３０を成形するための矩形例えば長方形の開口４１１が形成されている。また、第２のアパーチャ４２０には、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口４２１が形成されている。荷電粒子ソース４３０から照射され、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０は、偏向器により偏向され、第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１の一部を通過して、所定の一方向（例えば、Ｘ方向とする）に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０に照射される。すなわち、第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過できる矩形形状が、Ｘ方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０の描画領域に描画される。第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式（ＶＳＢ方式）という。
【０００４】
描画装置では、描画領域を一定の幅で短冊状にストライプ領域に分割する（例えば、特許文献１参照）。そして、ストライプ領域毎に、ストライプ領域へ分割した方向と直交する方向に、ストライプ領域を複数のデータ処理領域に分割して、データ処理領域単位でデータ処理を行う。その際、データ処理領域に一部でも含まれるセルについては、当該データ処理領域に割り当てられる。よって、セルが複数のデータ処理領域に跨っている場合には、同じセルが、複数のデータ処理領域に割り当てられることになる。複数のデータ処理領域では、各自、それぞれ割り当てられたセル内のパターンの所属判定処理が行なわれる。
【０００５】
ここで、昨今のパターンの微細化・高密度化に伴い、データ処理領域のサイズは小さくなる傾向にある。一方、パターン数は増大する傾向にある。そのため、複数のデータ処理領域で所属判定処理される同じパターン数も増大しており、描画時間に与える影響が無視できないものとなってきているといった問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−２６７８４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述したように、昨今のパターンの微細化・高密度化に伴い、複数のデータ処理領域で所属判定処理される同じパターン数も増大しており、データ処理領域でのパターンの所属判定処理に時間がかかってしまう。かかる所属判定処理時間が、データ処理領域内のパターン面積密度等を計算する際の計算時間を遅延させてしまうといった問題があった。その結果、描画時間を増加させてしまうといった問題があった。
【０００８】
そこで、本発明は、上述した問題点を克服し、データ処理領域内のパターン面積密度を計算するまでの計算時間の短縮を図る描画装置および方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、
チップ領域を複数のデータ処理領域に分割するデータ処理領域分割部と、
少なくとも１つの図形パターンを含む複数のセルから、データ処理領域毎に、当該データ処理領域にセルの基準位置が位置するセルを抽出するセル抽出部と、
データ処理領域毎に、当該データ処理領域と抽出されたセルとを取り囲む枠を作成する枠作成部と、
枠毎に、当該枠内を複数のメッシュ領域に分割して、各メッシュ領域に配置される図形パターンの面積密度を算出する面積密度算出部と、
異なる複数の枠間における重なるメッシュ領域同士の面積密度を合成する面積密度合成部と、
面積密度を用いて、荷電粒子ビームの照射量を演算する照射量演算部と、
得られた照射量になるように荷電粒子ビームを照射することによって、試料にパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。
【００１０】
また、上述した複数のデータ処理領域を複数の第１のデータ処理領域とし、上述したデータ処理領域分割部を第１のデータ処理領域分割部とする場合に、
チップ領域を複数の第１のデータ処理領域とは異なる複数の第２のデータ処理領域に分割する第２のデータ処理領域分割部と、
第１のデータ処理領域毎に作成された枠に基づいて、各第２のデータ処理領域に複数の第１のデータ処理領域の少なくとも１つを関連付けする関連付部と、
をさらに備え、
照射量演算部は、第２のデータ処理領域毎に、関連付けされた少なくとも１つの第１のデータ処理領域における面積密度の算出が終了した後に、関連付けされた少なくとも１つの第１のデータ処理領域における面積密度を用いて、荷電粒子ビームの照射量を演算すると好適である。
【００１１】
また、上述した枠を第１の枠とし、上述した枠作成部を第１の枠作成部とし、上述した関連付部を第１の関連付部とする場合に、
第１のデータ処理領域毎に、当該第１のデータ処理領域のいずれかの頂点に基準位置が重なるように、予め設定された最大セルサイズの最大セルを当該第１のデータ処理領域の外側に配置した場合の当該第１のデータ処理領域と最大セルとを取り囲む第２の枠を作成する第２の枠作成部と、
第１のデータ処理領域毎に作成された第２の枠に基づいて、各第２のデータ処理領域に複数の第１のデータ処理領域の少なくとも１つを関連付けする第２の関連付部と、
をさらに備え、
第２の関連付部による関連付けは、第１の関連付部による関連付けよりも先に行われ、
第１の関連付部は、関連付けの際、第２の枠に基づいて関連付けされた各第２のデータ処理領域に対し、第１の枠に基づいて関連付けし直すと好適である。
【００１２】
また、上述した関連付部を第１の関連付部とする場合に、
第２のデータ処理領域毎に、当該第２のデータ処理領域に向かって描画方向が左側から右側に進む場合には第２のデータ処理領域の右上の頂点より左下側に左下頂点が位置する全ての第１のデータ処理領域を当該第２のデータ処理領域に関連付けし、描画方向が右側から左側に進む場合には第２のデータ処理領域の左上の頂点より右下側に右下頂点が位置する全ての第１のデータ処理領域を当該第２のデータ処理領域に関連付けする第２の関連付部をさらに備え、
第２の関連付部による関連付けは、第１の関連付部による関連付けよりも先に行われ、
第１の関連付部は、関連付けの際、当該第２のデータ処理領域に向かって描画方向が左側から右側に進む場合には各第２のデータ処理領域の右上の頂点よりそれぞれ左下側に左下頂点が位置する全ての第１のデータ処理領域が関連付けされた各第２のデータ処理領域に対し、当該第２のデータ処理領域に向かって描画方向が右側から左側に進む場合には各第２のデータ処理領域の左上の頂点よりそれぞれ右下側に右下頂点が位置する全ての第１のデータ処理領域が関連付けされた各第２のデータ処理領域に対し、枠に基づいて関連付けし直すように構成すると好適である。
【００１３】
本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画方法は、
チップ領域を複数のデータ処理領域に分割する工程と、
少なくとも１つの図形パターンを含む複数のセルから、データ処理領域毎に、当該データ処理領域にセルの基準位置が位置するセルを抽出する工程と、
データ処理領域毎に、当該データ処理領域と抽出されたセルとを取り囲む枠を作成する工程と、
枠毎に、当該枠内を複数のメッシュ領域に分割して、各メッシュ領域に配置される図形パターンの面積密度を算出する工程と、
異なる複数の枠間における重なるメッシュ領域同士の面積密度を合成する工程と、
面積密度を用いて、荷電粒子ビームの照射量を演算する工程と、
得られた照射量になるように荷電粒子ビームを照射することによって、試料にパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の一態様によれば、データ処理領域内のパターン面積密度を計算するまでの計算時間の短縮が可能となる。その結果、描画時間を短縮できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。
【図２】実施の形態１における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。
【図３】実施の形態１と比較される、跨るセルをすべて抽出した場合のデータ処理領域の一例を示す図である。
【図４】実施の形態１におけるデータ処理領域と抽出されるセルとの一例を示す図である。
【図５】実施の形態１における面積密度計算用のデータ処理領域と照射量演算用のデータ処理領域との一例を示す図である。
【図６】実施の形態１における最大セルサイズのセルを用いて作成される外接枠の一例を示す図である。
【図７】実施の形態１における最大セルサイズのセルとの外接枠と照射量演算用のデータ処理領域との関連付けを説明するための概念図である。
【図８】実施の形態１における抽出されたセルを用いて作成される外接枠の一例を示す図である。
【図９】実施の形態１における抽出されたセルとの外接枠と照射量演算用のデータ処理領域との関連付けを説明するための概念図である。
【図１０】実施の形態１における外接枠内がメッシュ分割された状態の一例を示す図である。
【図１１】実施の形態１における複数の外接枠のメッシュ領域の面積密度の合成を説明するための概念図である。
【図１２】実施の形態２における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。
【図１３】実施の形態２における関連付けの手法を説明するための概念図である。
【図１４】可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。また、荷電粒子ビーム装置の一例として、可変成形型の描画装置について説明する。
【００１７】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。図１において、描画装置１００は、描画部１５０と制御部１６０を備えている。描画装置１００は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型の描画装置の一例である。描画部１５０は、電子鏡筒１０２と描画室１０３を備えている。電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、第１のアパーチャ２０３、投影レンズ２０４、偏向器２０５、第２のアパーチャ２０６、対物レンズ２０７、主偏向器２０８及び副偏向器２０９が配置されている。描画室１０３内には、ＸＹステージ１０５が配置される。ＸＹステージ１０５上には、描画時には描画対象となるマスク等の試料１０１が配置される。試料１０１には、半導体装置を製造する際の露光用マスクが含まれる。また、試料１０１には、レジストが塗布された、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。
【００１８】
制御部１６０は、制御計算機１１０、メモリ１１２、制御回路１２０、及び磁気ディスク装置等の記憶装置１４０，１４２を有している。制御計算機１１０、メモリ１１２、制御回路１２０、及び記憶装置１４０，１４２は、図示しないバスを介して互いに接続されている。
【００１９】
制御計算機１１０内には、分割部７０，７２、外接枠作成部７４、関連付部７６、セル抽出部７８、外接枠作成部８０、関連付部８２、メッシュ分割部８４、面積密度算出部８６、合成部９０、判定部９２、照射量演算部９４、ショットデータ生成部９６、及び描画制御部９８が配置される。分割部７０，７２、外接枠作成部７４、関連付部７６、セル抽出部７８、外接枠作成部８０、関連付部８２、メッシュ分割部８４、面積密度算出部８６、合成部９０、判定部９２、照射量演算部９４、ショットデータ生成部９６、及び描画制御部９８といった機能は、電気回路等のハードウェアで構成されてもよいし、これらの機能を実行するプログラム等のソフトウェアで構成されてもよい。或いは、ハードウェアとソフトウェアの組み合わせにより構成されてもよい。分割部７０，７２、外接枠作成部７４、関連付部７６、セル抽出部７８、外接枠作成部８０、関連付部８２、メッシュ分割部８４、面積密度算出部８６、合成部９０、判定部９２、照射量演算部９４、ショットデータ生成部９６、及び描画制御部９８に入出力される情報および演算中の情報はメモリ１１２にその都度格納される。
【００２０】
ここで、図１では、実施の形態１を説明する上で必要な構成を記載している。描画装置１００にとって、通常、必要なその他の構成を備えていても構わない。例えば、位置偏向用には、主偏向器２０８と副偏向器２０９の主副２段の多段偏向器を用いているが、１段の偏向器或いは３段以上の多段偏向器によって位置偏向を行なう場合であってもよい。
【００２１】
記憶装置１４０（記憶部）には、少なくとも１つの図形パターンから構成される複数のセルを有するチップの描画データが外部より入力され、格納されている。描画データには、各セルの配置座標、およびサイズ、そして、各セル内の各図形パターンの形状、配置座標、およびサイズ等を示す各図形パターンデータが定義される。
【００２２】
図２は、実施の形態１における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。図２において、実施の形態１における描画方法は、データ処理領域（ＤＰＢ）（１）分割工程（Ｓ１０２）と、ＤＰＢ）（２）分割工程（Ｓ１０４）と、外接枠（１）作成工程（Ｓ１０６）と、関連付（１）工程（Ｓ１０８）と、セル抽出工程（Ｓ１１０）と、外接枠（２）作成工程（Ｓ１１２）と、関連付（２）工程（Ｓ１１４）と、メッシュ分割工程（Ｓ１１６）と、面積密度算出工程（Ｓ１１８）と、合成工程（Ｓ１２０）と、判定工程（Ｓ１２２）と、照射量演算工程（Ｓ１２４）と、ショットデータ生成工程（Ｓ１２６）と、描画工程（Ｓ１２８）という一連の工程を実施する。
【００２３】
図３は、実施の形態１と比較される、跨るセルをすべて抽出した場合のデータ処理領域の一例を示す図である。図３（ａ）では、あるチップ領域を複数のデータ処理領域（ＤＰＢ）２０ａ〜２０ｅに分割した例を示している。ＤＰＢ２０ａ〜２０ｅには、セル３０ａ〜３０ｋが配置される。具体的には、ＤＰＢ２０ａには、セル３０ａ，３０ｂ，３０ｃの少なくとも一部が含まれている。ＤＰＢ２０ｂには、セル３０ｂ，３０ｃ，３０ｄ，３０ｅ，３０ｆの少なくとも一部が含まれている。ＤＰＢ２０ｃには、セル３０ｅ，３０ｆ，３０ｇの少なくとも一部が含まれている。ＤＰＢ２０ｄには、セル３０ａ，３０ｃ，３０ｈ，３０ｉの少なくとも一部が含まれている。ＤＰＢ２０ｅには、セル３０ｆ，３０ｇ，３０ｊ，３０ｋの少なくとも一部が含まれている。よって、跨るセルをすべて抽出した場合、図３（ｂ）に示すように、ＤＰＢ２０ａでは、セル３０ａ，３０ｂ，３０ｃ内の図形パターンの所属判定処理を行ない、実際にＤＰＢ２０ａ内に位置する図形パターンを判定することになる。ＤＰＢ２０ｂでは、セル３０ｂ，３０ｃ，３０ｄ，３０ｅ，３０ｆ内の図形パターンの所属判定処理を行ない、実際にＤＰＢ２０ｂ内に位置する図形パターンを判定することになる。ＤＰＢ２０ｃでは、セル３０ｅ，３０ｆ，３０ｇ内の図形パターンの所属判定処理を行ない、実際にＤＰＢ２０ｃ内に位置する図形パターンを判定することになる。ＤＰＢ２０ｄでは、セル３０ａ，３０ｃ，３０ｈ，３０ｉ内の図形パターンの所属判定処理を行ない、実際にＤＰＢ２０ｄ内に位置する図形パターンを判定することになる。ＤＰＢ２０ｅでは、セル３０ｆ，３０ｇ，３０ｊ，３０ｋ内の図形パターンの所属判定処理を行ない、実際にＤＰＢ２０ｅ内に位置する図形パターンを判定することになる。各ＤＰＢ単位でその領域内の面積密度を計算するためには、それぞれのＤＰＢ内に所属する図形パターンを把握する必要がある。よって、一部でも含まれるセルについては、その内部の図形パターンの所属判定が必要となってしまう。このように、セル３０ｄ，３０ｈ，３０ｉ，３０ｊ以外のセルは、複数のＤＰＢで重複して所属判定処理が行なわれる。そのため、それぞれに所属するセル内の図形パターンを判定するだけでも多くの時間がかかってしまう結果となる。これに対して、実施の形態１では、以下のようにセルを抽出する。
【００２４】
図４は、実施の形態１におけるデータ処理領域と抽出されるセルとの一例を示す図である。図４（ａ）の内容は、図３（ａ）と同様である。実施の形態１では、各ＤＰＢに少しでも跨るセルをすべて抽出するのではなく、ＤＰＢ毎に、当該ＤＰＢ内にセルの基準位置が位置するセルを抽出する。セルの基準位置としては、例えば、図面の左下の角の位置を用いると好適である。よって、図４（ｂ）に示すように、セルが重複して抽出されず、いずれか１つのＤＰＢに抽出される。このままでは、各ＤＰＢ内のパターン面積密度を正確に演算することは困難である。そこで、実施の形態１では、以下に説明するように、外接枠を利用して、パターン面積密度を正確に演算する。
【００２５】
データ処理領域（ＤＰＢ）（１）分割工程（Ｓ１０２）として、分割部７０は、チップ領域を面積密度計算用の複数のデータ処理領域（ＤＰＢ）（１）（第１のデータ処理領域）に分割する。分割部７０は、第１のデータ処理領域分割部の一例である。
【００２６】
図５は、実施の形態１における面積密度計算用のデータ処理領域と照射量演算用のデータ処理領域との一例を示す図である。図５において、面積密度計算用のデータ処理領域（ＤＰＢ）（１）では、例えば、領域内のビームのショット数がほぼ均一になる分割サイズで分割される。面積密度の計算時間は、ビームのショット数がほぼ均一であれば、ほぼ同等の計算時間になる。ビームのショット数は、図示しない計算器等で所定のメッシュ領域毎に予め見積もっておけばよい。図５では、面積密度計算用のデータ処理領域（ＤＰＢ）（１）として、例えば、図４（ａ）で示したように、チップ領域１０を複数のＤＰＢ２０ａ〜２０ｅに分割した例を示している。
【００２７】
ＤＰＢ）（２）分割工程（Ｓ１０４）として、分割部７２は、チップ領域を照射量演算用の複数のデータ処理領域（ＤＰＢ）（２）に分割する。分割部７２は、チップ領域を複数の面積密度計算用のデータ処理領域（ＤＰＢ）（１）（第１のデータ処理領域）とは異なる複数のデータ処理領域（ＤＰＢ）（２）（第２のデータ処理領域）に分割する。分割部７２は、第２のデータ処理領域分割部の一例である。図５において、照射量演算用のデータ処理領域（ＤＰＢ）（２）では、一定のサイズの分割サイズで分割される。図５では、照射量演算用のＤＰＢ（２）として、例えば、チップ領域１０を座標（１，１）〜（３，６）で示す複数のＤＰＢ４０に分割した例を示している。
【００２８】
外接枠（１）作成工程（Ｓ１０６）として、外接枠作成部７４は、ＤＰＢ（１）毎に、当該ＤＰＢ（１）のいずれかの頂点に基準位置が重なるように、予め設定された最大セルサイズの最大セルを当該ＤＰＢ（１）の外側に配置した場合の当該ＤＰＢ（１）と最大セルとを取り囲む外接枠（第２の枠）を作成する。外接枠作成部７４は、第２の枠作成部の一例である。
【００２９】
図６は、実施の形態１における最大セルサイズのセルを用いて作成される外接枠の一例を示す図である。図６において、ある面積密度計算用のＤＰＢ（１）（例えば、ＤＰＢ２０ｂ）の右上頂点に最大セルサイズのセル５２の基準位置（ここでは、例えば、左下頂点）を重ねて配置する。そして、ＤＰＢ２０ｂとセル５２を取り囲むように外接枠５０ｂを作成する。外接枠は、取り囲む複数の矩形（ここでは、ＤＰＢ２０ｂとセル５２）の最も外側に位置する辺と接するように最小サイズの矩形（長方形或いは正方形）で取り囲む枠である。なお、最大セルサイズは予め描画装置１００に設定しておけばよい。同様に、残りのＤＰＢ２０ａ，２０ｃ〜２０ｅについて、それぞれセル５２を同様に配置して取り囲むように図示しない外接枠５０ａ，５０ｃ〜５０ｅを作成する。
【００３０】
関連付（１）工程（Ｓ１０８）として、関連付部７６は、面積密度計算用のＤＰＢ（１）毎に作成された外接枠５０（第２の枠）に基づいて、各照射量演算用のＤＰＢ（２）に複数のＤＰＢ（１）の少なくとも１つを関連付けする。関連付部７６は、第２の関連付部の一例である。
【００３１】
図７は、実施の形態１における最大セルサイズのセルとの外接枠と照射量演算用のデータ処理領域との関連付けを説明するための概念図である。図７では、例えば、照射量演算用のＤＰＢ（２）として、座標（２，４）のＤＰＢ４０を示している。座標（２，４）のＤＰＢ４０と一部でも重なる外接枠５０は、ＤＰＢ２０ａの外接枠５０ａ、ＤＰＢ２０ｂの外接枠５０ｂａ、ＤＰＢ２０ｃの外接枠５０ｃ、ＤＰＢ２０ｄの外接枠５０ｄ、及びＤＰＢ２０ｅの外接枠５０ｅとなる。よって、ここでは、照射量演算用の座標（２，４）のＤＰＢ４０に対して、面積密度計算用のＤＰＢ２０ａ〜２０ｅを関連付けする。残りの座標の各ＤＰＢ４０に対しても、同様に、面積密度計算用のＤＰＢ２０の少なくとも１つを関連付けする。
【００３２】
このように、面積密度計算用のＤＰＢ（１）と照射量演算用のＤＰＢ（２）とでは、その領域サイズが異なっている。ここで、照射量演算用のＤＰＢ（２）で照射量を演算するためには、当該ＤＰＢ（２）が位置する領域分の面積密度の値が必要となる。よって、ここでは、仮の関連付けを行なった。かかる仮の関連付けにより、照射量演算用のＤＰＢ（２）の演算のために最大どの面積密度計算用のＤＰＢ（１）が必要かを把握できる。但し、上述した関連付けは、あくまで最大セルサイズのセルを右上の配置した場合の外接枠なので、実際に抽出されたセルを含むが必要以上の大きさになっている。
【００３３】
セル抽出工程（Ｓ１１０）として、セル抽出部７８は、少なくとも１つの図形パターンを含む複数のセルから、面積密度計算用のＤＰＢ（１）毎に、当該面積密度計算用のＤＰＢ（１）にセルの基準位置が位置するセルを抽出する。図４（ａ）に示したように、あるチップ領域を複数のＤＰＢ２０ａ〜２０ｅに分割した例では、ＤＰＢ２０ａ〜２０ｅには、セル３０ａ〜３０ｋが配置される。具体的には、ＤＰＢ２０ａには、セル３０ａ，３０ｂ，３０ｃの少なくとも一部が含まれている。ＤＰＢ２０ｂには、セル３０ｂ，３０ｃ，３０ｄ，３０ｅ，３０ｆの少なくとも一部が含まれている。ＤＰＢ２０ｃには、セル３０ｅ，３０ｆ，３０ｇの少なくとも一部が含まれている。ＤＰＢ２０ｄには、セル３０ａ，３０ｃ，３０ｈ，３０ｉの少なくとも一部が含まれている。ＤＰＢ２０ｅには、セル３０ｆ，３０ｇ，３０ｊ，３０ｋの少なくとも一部が含まれている。かかる場合に、図４（ｂ）において説明したように、実施の形態１では、各ＤＰＢ（１）に少しでも跨るセルをすべて抽出するのではなく、ＤＰＢ（１）毎に、当該ＤＰＢ（１）内にセルの基準位置が位置するセルを抽出する。セルの基準位置としては、例えば、図面の左下の角の位置を用いる。よって、図４（ｂ）に示すように、ＤＰＢ２０ａでは、セル３０ａ，３０ｃが抽出される。ＤＰＢ２０ｂでは、セル３０ｄ，３０ｅ，３０ｆが抽出される。ＤＰＢ２０ｃでは、セル３０ｇが抽出される。ＤＰＢ２０ｄでは、セル３０ｈ，３０ｉが抽出される。ＤＰＢ２０ｅでは、セル３０ｊ，３０ｋが抽出される。このように、セルが重複して抽出されず、いずれか１つのＤＰＢに抽出される。なお、セル３０ｂは、図示しないＤＰＢ２０ａの下側に位置するＤＰＢに抽出されることになる。
【００３４】
外接枠（２）作成工程（Ｓ１１２）として、外接枠作成部８０は、面積密度計算用のＤＰＢ（１）毎に、当該面積密度計算用のＤＰＢ（１）と抽出されたセルとを取り囲む外接枠（第１の枠）を作成する。外接枠作成部８０は、第１の枠作成部の一例である。
【００３５】
図８は、実施の形態１における抽出されたセルを用いて作成される外接枠の一例を示す図である。図８において、ある面積密度計算用のＤＰＢ（１）（例えば、ＤＰＢ２０ｂ）には、セル３０ｄ，３０ｅ，３０ｆが抽出される。抽出されセル３０ｄ，３０ｅ，３０ｆが配置された状態で、ＤＰＢ２０ｂとセル３０ｄ，３０ｅ，３０ｆとを取り囲むように外接枠６０ｂを作成する。外接枠は、取り囲む複数の矩形（ここでは、ＤＰＢ２０ｂとセル３０ｄ，３０ｅ，３０ｆ）の最も外側に位置する辺と接するように最小サイズの矩形（長方形或いは正方形）で取り囲む枠である。図８の例では、ＤＰＢ２０ｂの左辺と底辺、セル３０ｅの右辺、及び、セル３０ｆの上辺に接触する外接枠６０ｂが示されている。同様に、残りのＤＰＢ２０ａ，２０ｃ〜２０ｅについて、それぞれ抽出されたセルを同様に配置して取り囲むように図示しない外接枠６０ａ，６０ｃ〜６０ｅを作成する。
【００３６】
関連付（２）工程（Ｓ１１４）として、関連付部８２は、面積密度計算用のＤＰＢ（１）毎に作成された外接枠６０（第１の枠）に基づいて、各照射量演算用のＤＰＢ（２）に複数のＤＰＢ（１）の少なくとも１つを関連付けする。このように、関連付部８２は、かかる関連付けの際、既に外接枠５０に基づいて関連付けされた各照射量演算用のＤＰＢ（２）に対し、外接枠６０に基づいて関連付けし直す。関連付部８２は、第１の関連付部の一例である。ここでは、実際に抽出されたセル３０の外接枠なので、最大セルサイズのセル５２を使って作成した外接枠５０に比べて枠のサイズが小さくできる。
【００３７】
図９は、実施の形態１における抽出されたセルとの外接枠と照射量演算用のデータ処理領域との関連付けを説明するための概念図である。図９では、例えば、照射量演算用のＤＰＢ（２）として、座標（２，４）のＤＰＢ４０を示している。座標（２，４）のＤＰＢ４０と一部でも重なる外接枠６０は、ＤＰＢ２０ａの外接枠６０ａ、ＤＰＢ２０ｂの外接枠６０ｂａ、ＤＰＢ２０ｃの外接枠６０ｃ、ＤＰＢ２０ｄの外接枠６０ｄ、及びＤＰＢ２０ｅの外接枠６０ｅとなる。よって、ここでは、照射量演算用の座標（２，４）のＤＰＢ４０に対して、面積密度計算用のＤＰＢ２０ａ〜２０ｅを関連付けする。残りの座標の各ＤＰＢ４０に対しても、同様に、面積密度計算用のＤＰＢ２０の少なくとも１つを関連付けする。
【００３８】
このように、実際に抽出されたセルを用いた外接枠６０で関連付けを行っているため、外接枠６０のサイズが最大セルサイズのセルを用いた外接枠５０より小さい。よって、図９の例では、照射量演算用の座標（２，４）のＤＰＢ４０に対して、外接枠５０を用いた場合と同じ数の、面積密度計算用のＤＰＢ２０ａ〜２０ｅを関連付けしたが、他の座標のＤＰＢ４０では、関連付けされる面積密度計算用のＤＰＢ２０の数を少なくできる場合が発生し得る。
【００３９】
メッシュ分割工程（Ｓ１１６）として、メッシュ分割部８４は、外接枠６０毎に、当該外接枠６０内を複数のメッシュ領域に分割する。
【００４０】
図１０は、実施の形態１における外接枠内がメッシュ分割された状態の一例を示す図である。図１０では、例えば、ＤＰＢ２０ａの外接枠６０ａが複数のメッシュ領域６２にメッシュ分割された例を示している。その他の面積密度計算用のＤＰＢ２０ｂ〜２０ｅの外接枠６０ｂ〜６０ｅについても、それぞれ同様に複数のメッシュ領域に分割される。メッシュサイズは、例えば、近接効果補正を行うためのサイズにすると好適である。例えば、近接効果の影響半径の１／１０程度にすると好適である。例えば、１μｍ程度にすると好適である。ここで、メッシュサイズは、近接効果補正を行うためのサイズに限定されるものではない。例えば、かぶり効果の補正を行うためのサイズにしてもよい。かぶり効果は、その影響半径が、数ｍｍに及ぶため、補正演算を行なうには、かぶり用メッシュのサイズを影響半径の１／１０程度、例えば、１ｍｍにすると好適である。
【００４１】
面積密度算出工程（Ｓ１１８）として、面積密度算出部８６は、外接枠６０ａ毎に、各メッシュ領域６２に配置される図形パターンの面積密度ρを算出する。例えば、ＤＰＢ２０ａには、セル３０ａ，３０ｃが抽出されている。よって、外接枠６０ａ内には、セル３０ａ，３０ｃが配置される。そこで、これらのセル内の図形パターンが外接枠６０ａに配置された状態の各メッシュ領域６２の面積密度ρを算出する。同様に、その他の面積密度計算用のＤＰＢ２０ｂ〜２０ｅの外接枠６０ｂ〜６０ｅについても、順に、それぞれ各メッシュ領域６２に配置される図形パターンの面積密度ρを算出していく。
【００４２】
ここで、照射量演算用のある座標のＤＰＢ４０内での照射量を演算するためには、関連付けされたＤＰＢ（１）の面積密度が必要となる。よって、外接枠６０で関連付けされたＤＰＢ（１）の面積密度の算出が終了するまで照射量の演算は待機せざるを得ない。よって、関連付けされたＤＰＢ（１）の面積密度計算の高速化が望まれる。外接枠６０は、外接枠５０よりもサイズが小さいので、外接枠５０を用いる場合に比べて、それぞれの外接枠６０内の面積密度ρを計算する計算時間を短縮できる。
【００４３】
合成工程（Ｓ１２０）として、合成部９０は、異なる複数の外接枠６０間における重なるメッシュ領域同士の面積密度ρを合成する。合成部９０は、面積密度合成部の一例となる。
【００４４】
図１１は、実施の形態１における複数の外接枠のメッシュ領域の面積密度の合成を説明するための概念図である。図１１では、例えば、ＤＰＢ２０ａの外接枠６０ａとＤＰＢ２０ｂの外接枠６０ｂとＤＰＢ２０ｄの外接枠６０ｄとの重なり状況の一例を示している。図１１では重なる部分を斜線で示している。外接枠６０同士が重なっている部分では、その重なっている部分のメッシュ領域でそれぞれ計算された面積密度が累積加算され、合成される。これにより、メッシュ領域毎に、一意に面積密度が決定できる。実施の形態１では、セル抽出工程（Ｓ１１０）において、各ＤＰＢ（１）に少しでも跨るセルをすべて抽出するのではなく、ＤＰＢ（１）毎に、当該ＤＰＢ（１）内にセルの基準位置が位置するセルを抽出した。よって、各メッシュ領域において重複して面積密度が演算されることを回避できる。さらに、外接枠６０を用いて、重なる部分のメッシュ領域は合成することで、ＤＰＢ（１）毎に、ＤＰＢ（１）内の図形パターンの所属判定を行う必要がない。よって、その分の演算時間を短縮できる。
【００４５】
判定工程（Ｓ１２２）として、判定部９２は、照射量演算用のＤＰＢ４０毎に、外接枠６０で関連付けされたＤＰＢ（１）の面積密度の算出が終了したかどうかを判定する。まだ終了していない場合は判定工程（Ｓ１２２）に戻る。終了している場合には照射量演算へと進む。
【００４６】
照射量演算工程（Ｓ１２４）として、照射量演算部９４は、計算された面積密度を用いて、電子ビームの照射量を演算する。照射量演算部９４は、ＤＰＢ（２）毎に、外接枠６０で関連付けされた少なくとも１つのＤＰＢ（１）における面積密度ρの算出が終了した後に、関連付けされた少なくとも１つのＤＰＢ（１）における面積密度ρを用いて、電子ビーム２００の照射量を演算する。また、照射量演算部９４は、ＤＰＢ（２）を所定のサイズのメッシュ領域に分割して、かかるメッシュ領域（照射量演算用メッシュ）毎に必要な照射量を演算する。照射量は、基準照射量Ｄｂａｓｅに補正係数を乗じた値で演算できる。補正係数として、例えば、近接効果の補正を行うための近接効果補正照射係数Ｄｐ（ρ）を用いると好適である。近接効果補正照射係数Ｄｐ（ρ）は、近接効果用メッシュのパターン面積密度ρに依存する関数である。また、かぶり補正を行う際には、基準照射量Ｄｂａｓｅに、かぶり効果補正照射係数Ｄｆ（ρ）を乗じた値で演算できる。かぶり効果補正照射係数Ｄｆ（ρ）は、かぶり用メッシュのパターン密度ρに依存する関数である。その他、照射量は、ローディング効果補正用の補正係数Ｄｌ（ρ）等で補正しても好適である。また、これらの一部或いは全ての補正係数を基準照射量Ｄｂａｓｅに乗じて補正してもよい。これらの補正においてもそれぞれの計算用のメッシュ領域におけるパターン密度が利用される。そして、照射量演算部２２は、演算された各照射量を領域毎に定義した照射量マップを作成する。生成された照射量マップは、記憶装置１４２に記憶される。
【００４７】
ショットデータ生成工程（Ｓ１２６）として、ショットデータ生成部９６は、記憶装置１４０から描画データを読み出し、複数段のデータ変換処理を行って、装置固有のショットデータを生成する。上述したように、描画装置１００で図形パターンを描画するためには、１回のビームのショットで照射できるサイズに描画データに定義された各図形パターンを分割する必要がある。そこで、ショットデータ生成部９６は、実際に描画するために、各図形パターンを１回のビームのショットで照射できるサイズに分割してショット図形を生成する。そして、ショット図形毎にショットデータを生成する。ショットデータには、例えば、図形種、図形サイズ、及び照射位置といった図形データが定義される。生成されたショットデータは、記憶装置１４２に記憶される。
【００４８】
描画工程（Ｓ１２８）として、描画制御部９８に制御された制御回路１２０は、記憶装置１４２からショットデータと照射量マップを入力し、描画部１５０を制御し、描画部１５０は、電子ビーム２００を用いて、得られた照射量になるように電子ビーム２００を照射することによって、試料１０１にパターンを描画する。具体的には、以下のように動作する。
【００４９】
電子銃２０１（放出部）から放出された電子ビーム２００は、照明レンズ２０２により矩形例えば長方形の穴を持つ第１のアパーチャ２０３全体を照明する。ここで、電子ビーム２００をまず矩形例えば長方形に成形する。そして、第１のアパーチャ２０３を通過した第１のアパーチャ像の電子ビーム２００は、投影レンズ２０４により第２のアパーチャ２０６上に投影される。偏向器２０５によって、かかる第２のアパーチャ２０６上での第１のアパーチャ像は偏向制御され、ビーム形状と寸法を変化させる（可変成形させる）ことができる。そして、第２のアパーチャ２０６を通過した第２のアパーチャ像の電子ビーム２００は、対物レンズ２０７により焦点を合わせ、主偏向器２０８及び副偏向器２０９によって偏向され、連続的に移動するＸＹステージ１０５に配置された試料１０１の所望する位置に照射される。図１では、位置偏向に、主副２段の多段偏向を用いた場合を示している。かかる場合には、主偏向器２０８でストライプ領域をさらに仮想分割したサブフィールド（ＳＦ）の基準位置にステージ移動に追従しながら該当ショットの電子ビーム２００を偏向し、副偏向器２０９でＳＦ内の各照射位置にかかる該当ショットのビームを偏向すればよい。
【００５０】
以上のように、実施の形態１では、各ＤＰＢ（１）に少しでも跨るセルをすべて抽出するのではなく、ＤＰＢ（１）毎に、当該ＤＰＢ（１）内にセルの基準位置が位置するセルを抽出した。よって、各メッシュ領域において重複して面積密度が演算されることを回避できる。さらに、外接枠６０を用いて、重なる部分のメッシュ領域は合成することで、ＤＰＢ（１）毎に、ＤＰＢ（１）内の図形パターンの所属判定を行う必要がない。よって、その分の演算時間を短縮できる。よって、ＤＰＢ（１）内のパターン面積密度ρを計算するまでの計算時間の短縮が可能となる。その結果、その後の描画処理を含めたトータルな描画時間を短縮できる。
【００５１】
実施の形態２．
実施の形態１では、外接枠５０を用いて、仮の関連付けを行ったが、これに限るものではない。実施の形態２では、さらに、簡略化した手法で仮の関連付けを行う構成について説明する。実施の形態２における描画装置１００の構成は図１と同様である。
【００５２】
図１２は、実施の形態２における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。図１２において、外接枠（１）作成工程（Ｓ１０６）が無くなった点と、関連付（１）工程（Ｓ１０８）の代わりに関連付（１）工程（Ｓ１０９）が追加された点と、以外は図２と同様である。また、以下、特に説明する点以外の内容は、実施の形態１と同様である。
【００５３】
関連付（１）工程（Ｓ１０９）として、関連付部７６は、ＤＰＢ（２）（第２のデータ処理領域）毎に、当該ＤＰＢ（２）に向かって描画方向が左側から右側に進む場合にはＤＰＢ（２）の右上の頂点より左下側に左下頂点が位置する全てのＤＰＢ（１）（第１のデータ処理領域）を当該ＤＰＢ（２）に関連付けし、描画方向が右側から左側に進む場合にはＤＰＢ（２）の左上の頂点より右下側に右下頂点が位置する全てのＤＰＢ（１）を当該ＤＰＢ（２）に関連付けする。関連付部７６は、第２の関連付部の一例である。
【００５４】
図１３は、実施の形態２における関連付けの手法を説明するための概念図である。図１３では、例えば、照射量演算用のＤＰＢ（２）として、座標（２，４）のＤＰＢ４０を示している。描画方向がチップ領域の左側から右側に進む場合には、座標（２，４）のＤＰＢ４０の右上の頂点より左下側に左下頂点が位置するＤＰＢ２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄ，２０ｅを座標（２，４）のＤＰＢ４０に関連付けする。このようにすれば、座標（２，４）のＤＰＢ４０に一部でも重なる全てのＤＰＢ（１）と関連付けできる。なお、ＤＰＢ２０ａでは、後に抽出されるセルが右上側にはみ出すことが想定されるので関連付けされることが望ましい。また、もし、描画方向がチップ領域の右側から左側に進む場合には、座標（２，４）のＤＰＢ４０の左上の頂点より右下側に右下頂点が位置するＤＰＢ２０ｂ，２０ｃ，２０ｄ，２０ｅを座標（２，４）のＤＰＢ４０に関連付けすればよい。
【００５５】
セル抽出工程（Ｓ１１０）から、外接枠（２）作成工程（Ｓ１１２）は、実施の形態１と同様である。
【００５６】
関連付（２）工程（Ｓ１１４）として、関連付部８２は、面積密度計算用のＤＰＢ（１）毎に作成された外接枠６０（第１の枠）に基づいて、各照射量演算用のＤＰＢ（２）に複数のＤＰＢ（１）の少なくとも１つを関連付けする。このように、関連付部８２は、当該ＤＰＢ（２）に向かって描画方向が左側から右側に進む場合には各ＤＰＢ（２）の右上の頂点よりそれぞれ左下側に左下頂点が位置する全てのＤＰＢ（１）が関連付けされた各ＤＰＢ（２）に対し、外接枠６０に基づいて関連付けし直す。また、関連付部８２は、当該ＤＰＢ（２）に向かって描画方向が右側から左側に進む場合には各ＤＰＢ（２）の左上の頂点よりそれぞれ右下側に右下頂点が位置する全てのＤＰＢ（１）が関連付けされた各ＤＰＢ（２）に対し、外接枠６０に基づいて関連付けし直す。以降の各工程は実施の形態１と同様である。
【００５７】
以上のように、実施の形態２によれば、仮の外接枠５０を作成しなくとも、ＤＰＢ（１）の頂点位置で関連付けを行なうことができる。よって、その分の工程処理が不要となり、実施の形態１よりもさらにデータ処理時間を短縮できる。よって、実施の形態１よりもさらに、ＤＰＢ（１）内のパターン面積密度ρを計算するまでの計算時間の短縮が可能となる。その結果、その後の描画処理を含めたトータルな描画時間を短縮できる。
【００５８】
以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。
【００５９】
また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置１００を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。
【００６０】
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての荷電粒子ビーム描画装置及び方法は、本発明の範囲に包含される。
【符号の説明】
【００６１】
１０ チップ領域
２０，４０ ＤＰＢ
３０，５２ セル
５０，６０ 外接枠
６２ メッシュ領域
７０，７２ 分割部
７４ 外接枠作成部
７６ 関連付部
７８ セル抽出部
８０ 外接枠作成部
８２ 関連付部
８４ メッシュ分割部
８６ 面積密度算出部
９０ 合成部
９２ 判定部
９４ 照射量演算部
９６ ショットデータ生成部
９８ 描画制御部
１００ 描画装置
１０１，３４０ 試料
１０２ 電子鏡筒
１０３ 描画室
１０５ ＸＹステージ
１１０ 制御計算機
１１２ メモリ
１２０ 制御回路
１４０，１４２ 記憶装置
１５０ 描画部
１６０ 制御部
２００ 電子ビーム
２０１ 電子銃
２０２ 照明レンズ
２０３，４１０ 第１のアパーチャ
２０４ 投影レンズ
２０５ 偏向器
２０６，４２０ 第２のアパーチャ
２０７ 対物レンズ
２０８ 主偏向器
２０９ 副偏向器
３３０ 電子線
４１１ 開口
４２１ 可変成形開口
４３０ 荷電粒子ソース
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ領域を複数のデータ処理領域に分割するデータ処理領域分割部と、
少なくとも１つの図形パターンを含む複数のセルから、データ処理領域毎に、当該データ処理領域にセルの基準位置が位置するセルを抽出するセル抽出部と、
データ処理領域毎に、当該データ処理領域と抽出されたセルとを取り囲む枠を作成する枠作成部と、
枠毎に、当該枠内を複数のメッシュ領域に分割して、各メッシュ領域に配置される図形パターンの面積密度を算出する面積密度算出部と、
異なる複数の枠間における重なるメッシュ領域同士の面積密度を合成する面積密度合成部と、
前記面積密度を用いて、荷電粒子ビームの照射量を演算する照射量演算部と、
得られた照射量になるように荷電粒子ビームを照射することによって、試料にパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項２】
前記複数のデータ処理領域を複数の第１のデータ処理領域とし、前記データ処理領域分割部を第１のデータ処理領域分割部とする場合に、
前記チップ領域を前記複数の第１のデータ処理領域とは異なる複数の第２のデータ処理領域に分割する第２のデータ処理領域分割部と、
前記第１のデータ処理領域毎に作成された枠に基づいて、各第２のデータ処理領域に前記複数の第１のデータ処理領域の少なくとも１つを関連付けする関連付部と、
をさらに備え、
前記照射量演算部は、第２のデータ処理領域毎に、関連付けされた少なくとも１つの第１のデータ処理領域における面積密度の算出が終了した後に、関連付けされた少なくとも１つの第１のデータ処理領域における面積密度を用いて、荷電粒子ビームの照射量を演算することを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項３】
前記枠を第１の枠とし、前記枠作成部を第１の枠作成部とし、前記関連付部を第１の関連付部とする場合に、
第１のデータ処理領域毎に、当該第１のデータ処理領域のいずれかの頂点に基準位置が重なるように、予め設定された最大セルサイズの最大セルを当該第１のデータ処理領域の外側に配置した場合の当該第１のデータ処理領域と最大セルとを取り囲む第２の枠を作成する第２の枠作成部と、
前記第１のデータ処理領域毎に作成された第２の枠に基づいて、各第２のデータ処理領域に前記複数の第１のデータ処理領域の少なくとも１つを関連付けする第２の関連付部と、
をさらに備え、
前記第２の関連付部による関連付けは、前記第１の関連付部による関連付けよりも先に行われ、
前記第１の関連付部は、前記関連付けの際、前記第２の枠に基づいて関連付けされた各第２のデータ処理領域に対し、前記第１の枠に基づいて関連付けし直すことを特徴とする請求項２記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項４】
前記関連付部を第１の関連付部とする場合に、
第２のデータ処理領域毎に、当該第２のデータ処理領域に向かって描画方向が左側から右側に進む場合には第２のデータ処理領域の右上の頂点より左下側に左下頂点が位置する全ての第１のデータ処理領域を当該第２のデータ処理領域に関連付けし、描画方向が右側から左側に進む場合には第２のデータ処理領域の左上の頂点より右下側に右下頂点が位置する全ての第１のデータ処理領域を当該第２のデータ処理領域に関連付けする第２の関連付部をさらに備え、
前記第２の関連付部による関連付けは、前記第１の関連付部による関連付けよりも先に行われ、
前記第１の関連付部は、前記関連付けの際、当該第２のデータ処理領域に向かって描画方向が左側から右側に進む場合には各第２のデータ処理領域の右上の頂点よりそれぞれ左下側に左下頂点が位置する全ての第１のデータ処理領域が関連付けされた各第２のデータ処理領域に対し、当該第２のデータ処理領域に向かって描画方向が右側から左側に進む場合には各第２のデータ処理領域の左上の頂点よりそれぞれ右下側に右下頂点が位置する全ての第１のデータ処理領域が関連付けされた各第２のデータ処理領域に対し、前記枠に基づいて関連付けし直すことを特徴とする請求項２記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項５】
チップ領域を複数のデータ処理領域に分割する工程と、
少なくとも１つの図形パターンを含む複数のセルから、データ処理領域毎に、当該データ処理領域にセルの基準位置が位置するセルを抽出する工程と、
データ処理領域毎に、当該データ処理領域と抽出されたセルとを取り囲む枠を作成する工程と、
枠毎に、当該枠内を複数のメッシュ領域に分割して、各メッシュ領域に配置される図形パターンの面積密度を算出する工程と、
異なる複数の枠間における重なるメッシュ領域同士の面積密度を合成する工程と、
前記面積密度を用いて、荷電粒子ビームの照射量を演算する工程と、
得られた照射量になるように荷電粒子ビームを照射することによって、試料にパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
【請求項１】
チップ領域を複数のデータ処理領域に分割するデータ処理領域分割部と、
少なくとも１つの図形パターンを含む複数のセルから、データ処理領域毎に、当該データ処理領域にセルの基準位置が位置するセルを抽出するセル抽出部と、
データ処理領域毎に、当該データ処理領域と抽出されたセルとを取り囲む枠を作成する枠作成部と、
枠毎に、当該枠内を複数のメッシュ領域に分割して、各メッシュ領域に配置される図形パターンの面積密度を算出する面積密度算出部と、
異なる複数の枠間における重なるメッシュ領域同士の面積密度を合成する面積密度合成部と、
前記面積密度を用いて、荷電粒子ビームの照射量を演算する照射量演算部と、
得られた照射量になるように荷電粒子ビームを照射することによって、試料にパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項２】
前記複数のデータ処理領域を複数の第１のデータ処理領域とし、前記データ処理領域分割部を第１のデータ処理領域分割部とする場合に、
前記チップ領域を前記複数の第１のデータ処理領域とは異なる複数の第２のデータ処理領域に分割する第２のデータ処理領域分割部と、
前記第１のデータ処理領域毎に作成された枠に基づいて、各第２のデータ処理領域に前記複数の第１のデータ処理領域の少なくとも１つを関連付けする関連付部と、
をさらに備え、
前記照射量演算部は、第２のデータ処理領域毎に、関連付けされた少なくとも１つの第１のデータ処理領域における面積密度の算出が終了した後に、関連付けされた少なくとも１つの第１のデータ処理領域における面積密度を用いて、荷電粒子ビームの照射量を演算することを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項３】
前記枠を第１の枠とし、前記枠作成部を第１の枠作成部とし、前記関連付部を第１の関連付部とする場合に、
第１のデータ処理領域毎に、当該第１のデータ処理領域のいずれかの頂点に基準位置が重なるように、予め設定された最大セルサイズの最大セルを当該第１のデータ処理領域の外側に配置した場合の当該第１のデータ処理領域と最大セルとを取り囲む第２の枠を作成する第２の枠作成部と、
前記第１のデータ処理領域毎に作成された第２の枠に基づいて、各第２のデータ処理領域に前記複数の第１のデータ処理領域の少なくとも１つを関連付けする第２の関連付部と、
をさらに備え、
前記第２の関連付部による関連付けは、前記第１の関連付部による関連付けよりも先に行われ、
前記第１の関連付部は、前記関連付けの際、前記第２の枠に基づいて関連付けされた各第２のデータ処理領域に対し、前記第１の枠に基づいて関連付けし直すことを特徴とする請求項２記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項４】
前記関連付部を第１の関連付部とする場合に、
第２のデータ処理領域毎に、当該第２のデータ処理領域に向かって描画方向が左側から右側に進む場合には第２のデータ処理領域の右上の頂点より左下側に左下頂点が位置する全ての第１のデータ処理領域を当該第２のデータ処理領域に関連付けし、描画方向が右側から左側に進む場合には第２のデータ処理領域の左上の頂点より右下側に右下頂点が位置する全ての第１のデータ処理領域を当該第２のデータ処理領域に関連付けする第２の関連付部をさらに備え、
前記第２の関連付部による関連付けは、前記第１の関連付部による関連付けよりも先に行われ、
前記第１の関連付部は、前記関連付けの際、当該第２のデータ処理領域に向かって描画方向が左側から右側に進む場合には各第２のデータ処理領域の右上の頂点よりそれぞれ左下側に左下頂点が位置する全ての第１のデータ処理領域が関連付けされた各第２のデータ処理領域に対し、当該第２のデータ処理領域に向かって描画方向が右側から左側に進む場合には各第２のデータ処理領域の左上の頂点よりそれぞれ右下側に右下頂点が位置する全ての第１のデータ処理領域が関連付けされた各第２のデータ処理領域に対し、前記枠に基づいて関連付けし直すことを特徴とする請求項２記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項５】
チップ領域を複数のデータ処理領域に分割する工程と、
少なくとも１つの図形パターンを含む複数のセルから、データ処理領域毎に、当該データ処理領域にセルの基準位置が位置するセルを抽出する工程と、
データ処理領域毎に、当該データ処理領域と抽出されたセルとを取り囲む枠を作成する工程と、
枠毎に、当該枠内を複数のメッシュ領域に分割して、各メッシュ領域に配置される図形パターンの面積密度を算出する工程と、
異なる複数の枠間における重なるメッシュ領域同士の面積密度を合成する工程と、
前記面積密度を用いて、荷電粒子ビームの照射量を演算する工程と、
得られた照射量になるように荷電粒子ビームを照射することによって、試料にパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２０１２−２４３９６７（Ｐ２０１２−２４３９６７Ａ）
【公開日】平成２４年１２月１０日（２０１２．１２．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１１３００５（Ｐ２０１１−１１３００５）
【出願日】平成２３年５月２０日（２０１１．５．２０）
【出願人】（５０４１６２９５８）株式会社ニューフレアテクノロジー (669)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１２月１０日（２０１２．１２．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年５月２０日（２０１１．５．２０）
【出願人】（５０４１６２９５８）株式会社ニューフレアテクノロジー (669)
【Ｆターム（参考）】
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