【目的】パターン面積密度計算と近接効果補正計算とを効率的に行なう荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【構成】描画する際のショット数が互いに略同一になるように描画領域を複数の第１のブロック領域に分割する分割部と、描画領域を、第１のブロック領域のいずれよりも小さい複数の第１の小領域と、第１の小領域よりも小さい複数の第２の小領域とを用いて、第１のブロック領域毎に、パターン面積密度を計算する面積密度計算部と、描画領域を改めて第１および第２の小領域の数が所定の閾値を超えないサイズで複数の第２のブロック領域に分割する分割部と、第２のブロック領域毎に、近接効果補正照射量を計算する補正照射量計算部と、荷電粒子ビームのビーム照射量を近接効果補正照射量を用いて計算するビーム照射量計算部と、試料に所定のパターンを描画する描画部と、を備えることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 （もっと読む）

【課題】描画開始の遅延を抑止する。
【解決手段】荷電粒子ビーム描画装置１は、レイアウトに関するレイアウトデータであってパターンデータ及び複数のパラメータを含むレイアウトデータに対して並列処理を行う並列処理部３１と、レイアウトデータの入れ替えに応じて並列処理部３１に並列処理を実行させる処理命令部４３と、レイアウトデータが入れ替えられた場合、そのレイアウトデータのうちパターンデータ及び並列処理に関するパラメータが不変更であることを検出する不変更検出部３２と、不変更検出部３２による検出に応じて並列処理部３１に並列処理の実行をスキップさせる処理スキップ部３３とを備える。 （もっと読む）

【課題】ドリフトによる電子ビーム照射位置の変動を抑制して、所望のパターンを描画することのできる電子ビーム描画方法および電子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビームの主偏向領域の中心付近における位置ずれ量を求める。次いで、複数の位置ずれ量から補正値を求める。そして、この補正値から荷電粒子ビームの照射位置を補正する。主偏向領域の中心付近は、主偏向領域の中心を含む副偏向領域とすることができる。この場合、位置ずれ量は、副偏向領域における任意の１点についてのものとすることもできるし、副偏向領域における任意の複数の点の位置ずれ量の平均とすることもできる。 （もっと読む）

【課題】偏向位置によって電子ビームのショット形状が歪むのを抑制できる荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム描画装置１００は、主偏向非点の補正とともに、ＸＹ差も補正して得られた偏向電圧を、主偏向器２０８と副偏向器２０９に印加し、試料２１６上に所望のパターンを描画する。このため、電子ビーム描画装置１００には、主偏向器２０８に印加する偏向信号の補正量を算出する主偏向補正量演算部１２２と、副偏向器２０９に印加する偏向信号の補正量を補正する第２の補正量を算出する副偏向補正量演算部１２３と、第１の補正量を用いて主偏向器２０８に印加する偏向信号を生成し、第２の補正量を用いて副偏向器２０９に印加する偏向信号を生成する偏向信号生成部１２４とを有する。 （もっと読む）

【課題】ヨーク自身の特性上の飽和による限界を超えた磁場を発生させることが可能な電磁レンズを搭載したビーム装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビーム装置は、荷電粒子ビームを放出する電子銃２０１と、コイルと、コイルを内側に配置するヨークと、発生させる磁力線がヨーク自体を通過することによって、発生させる磁力線の方向がコイルによる磁力線の方向と逆方向に閉ループを構成するように配置された永久磁石とを有し、前記荷電粒子ビームを屈折させる対物レンズ２０７と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子ビームの移動に起因する位置誤差の発生をできるだけ抑えてより正確な測定用パターンの描画を行うことで、精度良くセトリング条件の算出を行うことが可能な荷電粒子ビーム描画装置の評価方法及び荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】測定用パターン１１を描画する制御データを記憶部３１ｉに格納するステップと、制御データに基づき荷電粒子ビームＢを使用して測定用パターン１１を描画するとともに、新たに測定用パターン１１の描画が行われる位置まで今後測定用パターン１１の描画が行われる予定の領域ごとにデータ分解能と同程度の微小ショットを打ちつつ荷電粒子ビームＢを移動させるステップと、全ての測定用パターン描画後露光するステップと、露光後の測定用パターン１１を基に、その位置誤差を確認するステップと、確認された位置誤差に基づいて最適なセトリング条件を算出するステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】ＤＡＣアンプの異常が検出された際、当該異常の検出を試料上にて行うことが可能な荷電粒子ビーム描画装置及びＤＡＣアンプの評価方法を提供する。
【解決手段】ブランキングアンプ３３と、偏向器４７，５０，５１に電圧を印加するＤＡＣアンプ３４，３５，３６と、偏向制御部３２と、制御計算機３１と、ＤＡＣアンプ３４，３５，３６の評価を行うＤＡＣアンプテスター７と、を備え、ＤＡＣアンプテスター７は、制御計算機３１から試料Ｍに関するインデックス情報を受信するカウンタ７ｊと、偏向制御部３２から荷電粒子ビームＢによる試料Ｍへの照射位置に関する位置情報を受信する表示ユニット７ｇと、ＤＡＣアンプ３４，３５，３６からの異常信号を受信した際に、インデックス情報と位置情報、及び、ブランキングアンプ３３からのショット信号を基に、試料Ｍ上における異常発生箇所を特定するコントロールユニットＣとを備える。 （もっと読む）

【目的】同じパターンレイアウト間で変動しないデータのチェックを容易にできるフォーマットのショットデータ作成方法を提供する。
【構成】ショットデータの作成方法は、３段偏向させて所望の位置にパターンを描画するためのショットデータの作成方法であって、ショットデータは、所定のビット数で構成される複数のワードで共に定義された、第１の偏向器によって偏向される座標データを含む第１のデータ領域と、第２の偏向器によって偏向される座標データを含む第２のデータ領域と、第３の偏向器によって偏向される座標データを含む第３のデータ領域と、備え、第１から第３のデータ領域において、共に、同じレイアウト同士であれば変動しない不変データが定義されるワードと、同じレイアウト同士であっても変動する場合がある可変データが定義されるワードと、を区別したフォーマットでショットデータを作成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で確実にステージ上におけるマスクの微小スリップを検出可能とするとともに、検出されたスリップ量に基づいて荷電粒子ビームの補正を行うことができる荷電粒子ビーム描画装置及びマスクの微小スリップ検出方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビームＢの偏向を制御して、かつ自在にステージを制御して任意の原画パターンをマスク上に描画するための描画動作を制御するための制御計算機３１を備える電子ビーム描画装置１であって、電子ビームＢによってパターンが描画されるマスクＭと、マスクＭを３点支持部材６４にて支持するマスク保持機構６２と、マスク保持機構６２及びマスクＭを水平方向に加速移動させるステージ６１と、電子ビームで描画される表面に対するマスク裏面とマスク保持機構６２との間に設置され、マスクＭの微小スリップの有無を検出する原子間力顕微鏡６５とを備える。 （もっと読む）

【課題】地震振動による描画効率及び描画精度の低下を抑止する。
【解決手段】荷電粒子ビーム描画装置１は、試料Ｗに描画する描画パターンに基づいて荷電粒子ビームによる描画を行う描画部２と、地震の震度に関する震度情報を受信する震度受信部３４と、その震度受信部３４により地震の震度情報が受信された場合、描画部２による描画中の描画パターンの描画精度と、震度受信部３４により受信された震度情報の震度とに応じて、描画部２による描画を中止する描画制御部３３とを備える。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム描画装置を含む半導体製造システムにおいて、地震発生時に電子ビーム描画を中止することなく、段ズレ等による描画パターンの品質低下の無い高品質なパターン描画が可能な半導体製造システムを提供する。
【解決手段】地震情報を受信する受信装置と、電子ビーム描画装置とを含む半導体製造システムであって、上記受信装置が、緊急地震情報を受信する受信部と、震度と到達時間を計算する計算部と、一定の震度以上の主要動を予測検出した際のみに電子ビーム描画装置へ地震対策指示の信号を出力する信号出力部と、を備え、上記電子ビーム描画装置が、出力信号を受信する信号受信部と、出力信号に基づいて一定の震度以上の主要動到達前に所定の動作を完了してから、装置の運転を一時停止する地震対策実行部と、一定時間経過後に、運転動作を再開する復帰実行部と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】描画中に放電箇所を特定することのできる電子ビーム描画装置および電子ビーム描画装置の診断方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム描画装置は、電子ビームを放出する電子銃１００と、電子銃１００に電子の加速電圧を印加する高圧電源１０８と、電子銃１００の内部の圧力変動と、高圧電源１０８の電圧変動とをそれぞれ演算し、圧力変動が所定の圧力変動値以上である時刻と、電圧変動が所定の電圧変動値以上である時刻とをデータ出力する演算部１１１と、演算部１１１から出力されたデータを受け取り、圧力変動が生じた時刻と電圧変動が生じた時刻とが一致している場合にログＡとしてこの時刻を記録し、電圧変動が生じた時刻に対応する圧力変動のデータがない場合にログＢとしてこの時刻を記録する記録部１１２とを有する。電子銃１００の内部の圧力は真空計１１０によって測定する。 （もっと読む）

【課題】良好なスループットで、かつＣＤリニアリティ精度の高い描画が可能な荷電粒子線描画装置を提供する
【解決手段】荷電粒子線描画装置は、単位領域ごとに、１ショットあたりの荷電粒子線の照射量を設定する照射量設定部３８２と、照射量設定部３８２によって設定された照射量に基づいて、荷電粒子線の最大ショットサイズを設定する最大ショットサイズ設定部３８４と、単位領域において荷電粒子線のショットサイズが最大ショットサイズ設定部３８４で設定された最大ショットサイズ以下になるようにパターンを分割して、荷電粒子線のショットサイズを設定するパターン分割部３８６と、照射量設定部３８２によって設定された照射量およびパターン分割部３８６によって設定されたショットサイズに基づいて、荷電粒子線をショットする描画部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】短い処理時間でショット密度または描画パターン面積密度を算出する荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】同一のチップ領域が複数配置されるレイアウトを有する描画データが入力され、記憶する第１の描画データ記憶部と、複数配置される同一のチップ領域のうち、１個のチップ領域についてショット密度または描画パターン面積密度を算出し、他のチップ領域については算出した１個のチップ領域のショット密度または描画パターン面積密度を再利用する描画データ前処理部と、描画データ前処理部で処理された描画データが入力され、記憶する第２の描画データ記憶部と、描画パターンを荷電粒子ビームのショットを単位として構成されるショットデータに変換するショットデータ生成部と、ショットデータを用いて試料上に順次荷電粒子ビームを照射することで描画を行う描画部とを、有する。 （もっと読む）

【目的】荷電粒子ビームの偏向位置でのドリフト量を、短時間で評価する荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【構成】ステージ上に固定される複数の基準マークに荷電粒子ビームを照射し、基準マーク各々の基準位置情報を取得する基準位置情報取得工程と、ステージに載置される試料に荷電粒子ビームを照射し、試料にパターンを描画する第１の描画工程と、ステージを静止した状態で荷電粒子ビームを偏向させることにより、基準マークに順次荷電粒子ビームを照射し、基準マーク各々の評価位置情報を取得する評価位置情報取得工程と、評価位置情報と基準位置情報とを比較する比較工程と、比較工程の結果から荷電粒子ビームの偏向状態でのビーム位置のドリフト量を算出するドリフト量算出工程と、試料に荷電粒子ビームを照射し、試料にパターンを描画する第２の描画工程と、を有する荷電粒子ビーム描画方法。 （もっと読む）

【課題】各コラムセルの露光データを迅速に作成できる電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光方法を提供する。
【解決手段】コラムセルの位置が設計値通りであるとして主偏向領域を配置し、隣接する主偏向領域同士を結合して結合主偏向領域６１ｅ、６１ｆを生成する。次に、コラムセルの実際の位置に基づいて主偏向領域の位置を修正した修正主偏向領域５１ａを配置する。その後、結合主偏向領域６１ｅ、６１ｆに含まれる副偏向領域４２が修正主偏向領域５１ａと重なるか否かを、所定の順番で調べてゆく。そして、修正主偏向領域５１ａと重なる副偏向領域４２を、検出した順に並べて副偏向領域データを得る。 （もっと読む）

【目的】パターン分割領域まで分割領域を設定しない場合でも、誤ったサイズでショット分割されず、かつ微小図形の発生を抑制する描画装置を提供する。
【構成】描画装置１００は、チップデータ内の各図形パターンデータを入力し、図形パターン毎に、ショット図形に分割された際の、分割後の各ショット図形のサイズおよび図形パターン内での配列位置が識別可能なショット分割イメージ情報を生成するショット分割処理部１２と、メッシュ領域毎に、当該メッシュ領域内に配置される分割後の各ショット図形を割り当てる割当処理部１４と、メッシュ領域毎に、割り当てられたショット図形数から当該メッシュ領域内を描画する際のショット数を演算するショット数演算部１６と、各メッシュ領域のショット数に基づいて、当該チップを描画するための描画時間を予測する描画時間予測部２４と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】マップデータを高速かつ高精度に表示することが可能なマスク製造用装置を提供する。
【解決手段】マスク製造用装置は、メッシュ値を有する複数のメッシュからなるマップデータを取得するマップデータ取得部（２２１）と、マップデータを表示するための表示画面を有する表示部（２０４）と、表示画面のピクセルサイズよりも大きい擬似ピクセルサイズを設定する設定部（２２２）と、表示画面上のピクセルを擬似ピクセルにグループ化するグループ化部（２２３）と、表示画面上におけるメッシュのメッシュサイズが、擬似ピクセルサイズのα倍（αは正の定数）よりも小さい場合に、各擬似ピクセル内のメッシュのメッシュ値の平均値を算出する平均値算出部（２２４）と、擬似ピクセル内の各ピクセルを、平均値に対応する表示色で表示することにより、表示画面上にマップデータを表示する表示処理部（２２５）とを備える。 （もっと読む）