【目的】識別符号領域の疑似パターンを用いて描画前処理を実行することで、描画時間予測性に優れる、または、描画精度の高い荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【構成】主領域に描画するパターンが定義される主描画データを荷電粒子ビーム描画装置に入力する工程と、識別符号領域に描画するパターンの疑似パターンが定義される疑似識別符号描画データを生成する工程と、主描画データと疑似識別符号描画データを用いて、ショット密度またはパターン面積密度を算出する描画前処理工程と、識別符号領域に描画するパターンが定義される識別符号描画データを生成する工程と、主描画データを第１のショットデータに変換する工程と、第１のショットデータを用いて主領域の描画を行う工程と、識別符号描画データを第２のショットデータに変換する工程と、第２のショットデータを用いて識別符号領域の描画を行う工程と、を有する荷電粒子ビーム描画方法。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線描画装置におけるスループットの向上に有利な技術を提供する。
【解決手段】生成部から送信される描画データを第１記憶部１２１及び前記第２記憶部１２２のうち選択された一方に記憶させる動作と、前記第１記憶部及び前記第２記憶部のうち他方に記憶された描画データを読み出して前記第３記憶部１２３に記憶させる動作とが並行して行われるように、前記第１記憶部、前記第２記憶部及び前記第３記憶部の動作を制御する第２制御部と、を含む。 （もっと読む）

【目的】同じパターンレイアウト間で変動しないデータのチェックを容易にできるフォーマットのショットデータ作成方法を提供する。
【構成】ショットデータの作成方法は、３段偏向させて所望の位置にパターンを描画するためのショットデータの作成方法であって、ショットデータは、所定のビット数で構成される複数のワードで共に定義された、第１の偏向器によって偏向される座標データを含む第１のデータ領域と、第２の偏向器によって偏向される座標データを含む第２のデータ領域と、第３の偏向器によって偏向される座標データを含む第３のデータ領域と、備え、第１から第３のデータ領域において、共に、同じレイアウト同士であれば変動しない不変データが定義されるワードと、同じレイアウト同士であっても変動する場合がある可変データが定義されるワードと、を区別したフォーマットでショットデータを作成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】配線パターンに対する電子ビーム露光のスループットを高くする。
【解決手段】トラックパターンが連結された複数の平行配線パターンを生成する工程Ｓ２と、異なる配線経路の経路端部が同じトラックパターン内に配置されないように生成する工程Ｓ４と、前記経路端部が配置されたトラックパターンのトラックパターン終端部および当該トラックパターンのトラックパターン始端部に連結された隣接トラックパターンのトラックパターン終端部のうちの前記配線経路が通らないトラックパターン終端部を切り欠く工程Ｓ６と、前記トラックパターン終端部の切り欠き後に前記トラックパターンが並置された基本ブロックパターンに対応するブロックパターン識別子と当該基本ブロックパターンの配置位置とを有する配線パターンデータを生成する工程Ｓ１０とを有すること。 （もっと読む）

【課題】ブランキング偏向部を制御するための制御信号のデータレートを低減し、優れた描画精度を維持する。
【解決手段】複数の荷電粒子線を用いて基板にパターンを描画する描画装置であって、前記複数の荷電粒子線のそれぞれを偏向する複数の偏向器を含み、前記複数の偏向器のそれぞれの駆動によって荷電粒子線の照射又は非照射を行うブランキング偏向部と、前記ブランキング偏向部を制御するための制御信号を前記ブランキング偏向部に送信するブランキング制御部と、を有し、前記ブランキング偏向部は、描画パターンを表すパターンデータを記憶する記憶部と、前記描画パターンの描画位置を指定する位置情報を取得し、前記取得した位置情報で指定された描画位置に前記描画パターンを描画するためのブランキング信号を前記記憶部に記憶された前記パターンデータから生成する生成部と、前記ブランキング信号に応じて前記複数の偏向器を駆動する駆動部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】短い処理時間でショット密度または描画パターン面積密度を算出する荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】同一のチップ領域が複数配置されるレイアウトを有する描画データが入力され、記憶する第１の描画データ記憶部と、複数配置される同一のチップ領域のうち、１個のチップ領域についてショット密度または描画パターン面積密度を算出し、他のチップ領域については算出した１個のチップ領域のショット密度または描画パターン面積密度を再利用する描画データ前処理部と、描画データ前処理部で処理された描画データが入力され、記憶する第２の描画データ記憶部と、描画パターンを荷電粒子ビームのショットを単位として構成されるショットデータに変換するショットデータ生成部と、ショットデータを用いて試料上に順次荷電粒子ビームを照射することで描画を行う描画部とを、有する。 （もっと読む）

【課題】配線パターンに対する電子ビーム露光のスループットを向上させること。
【解決手段】ネットリストおよび所定の配線ルールにしたがって生成された第１の多層配線パターンが有する各層の層パターンを、所定のサブフィールドごとに分割するパターン分割工程と、前記所定の配線ルールにしたがって前記所定のサブフィールドに生成される第２の多層配線パターンが有する配線層のサブフィールドパターンおよび前記サブフィールドパターンに対応するパターン識別子が登録されているパターン・データベースを参照して、前記第１の多層配線パターンの前記分割された層パターンに対応する前記サブフィールドパターンの前記パターン識別子を抽出する抽出工程と、抽出された前記パターン識別子と当該抽出されたパターン識別子に対応する前記サブフィールドパターンの露光位置とを有する露光データを生成する露光データ生成工程を有すること。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクを電子線描画するときに、描画パターン密度の変化の大きいところでのドリフトが生じ位置精度が悪化することに対応するフォトマスクの作製方法を提供する。
【解決手段】フォトマスクを描画パターンの描画密度変化の所定値を予め定める工程と描画パターンの描画密度変化を求める工程と、求めた描画密度変化が予め定めた所定値より大きい場合には、描画密度変化が所定値以下になるように描画パターンを複数に分割する工程とを備えた作製方法により、ドリフトを抑制することを可能とした。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、基板に局所的でない歪が発生している場合でも、基板の広い領域の歪みの傾向をとらえて的確にその変位を算出できる変位算出方法、描画装置を提供する。
【解決手段】 アライメントマークＭ１１〜Ｍ１４、Ｍ２１〜Ｍ２４、Ｍ３１〜Ｍ３４、Ｍ４１〜Ｍ４４、の各位置におけるＸ方向のずれ量ΔＸを算出し、そのずれ量から第１スプライン曲線ＳＬ１を描き、評価点Ｅ（ｘe、ｙｅ）のＸ位置（Ｘ＝ｘｅ）における補正値ΔＸ１〜ΔＸ４を算出する。ΔＸ１〜ΔＸ４から第１副スプライン曲線ＳＬ１Ｓを描き評価点Ｅ（ｘe、ｙｅ）のＹ位置（Ｘ＝ｙｅ）における補正値ΔＸｅを算出し、Ｘ方向の補正量とする。Ｙ方向の補正量も同様に算出する。 （もっと読む）

【課題】適切な位置依存ベースドーズ・近接効果補正係数の値を計算する。
【解決手段】レジストが上面に塗布された試料Mの描画領域に荷電粒子ビーム10a1bを照射することにより、描画データに含まれている図形に対応するパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置10において、パターン面積密度ρ（ｘ，ｙ）と影響分布関数κ_Ｇとの畳み込み積分計算を畳み込み積分計算部10b1a4によって実行し、ローカル領域内のパターン面積密度Ｕとグローバル領域内のパターン面積密度Ｖとローカル領域内に描画されるパターンのドーズラチチュードＤＬとの関係であって、パターン面積密度Ｕおよびパターン面積密度Ｖの値を変化させた関係に基づくと共に、畳み込み積分計算部10b1a4により得られる値であって、パターン面積密度Ｖの値に対応する値に基づき、位置依存ベースドーズＤ_ｂ^ΔＣＤ（ｘ）および位置依存近接効果補正係数η（ｘ，ｙ）を計算する。 （もっと読む）

【目的】高精度パターンの寸法精度を向上させながらより高速な描画を可能とし得る方法を提供することを目的とする。
【構成】描画データの作成方法は、電子ビームを用いて描画される描画精度の異なる複数のパターンが定義された描画データを記憶する記憶装置から各パターンのデータを読み出し、描画精度が低精度側のパターンのうち、描画精度が高精度側のパターンの領域端から近接効果の影響範囲内に位置する部分パターンを切り出す工程（Ｓ１０６）と、切り出された低精度側の部分パターンと当該高精度側のパターンとをマージ処理する工程（Ｓ１１０）と、マージ処理されたパターンのデータと切り出されずに残った低精度側の残部分パターンのデータとを出力する工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子線露光によりフォトマスク上のパターンに発生するムラを解消するデータ処理技術の提示を目的とする。
【解決手段】描画データを任意のサイズのメッシュ状に区切る。次に乱数を発生させ、メッシュ状に区切られたデータのリサイズ量とする。乱数の並びに問題ないことを確認した後、区切られた各データに対し割り当てられたリサイズ量にてリサイズ処理を行い、再度データスマッシュをかける。 （もっと読む）

【課題】ＥＢ描画装置に対し親和性の高い設計データであるか否かを判断することが可能なフォトマスク製造方法を提供する。
【解決手段】設計データに対し微小図形処理を行うパラメータを用いてフラクチャすることでＥＢ描画用データを作成し、このフラクチャ時にＥＢ描画用データに生じたスリット状の矩形数をカウントする。さらに、設計データに対しスリット状の矩形へ変換を行うパラメータを用いてフラクチャすることでＥＢ描画用データを作成し、このＥＢ描画用データ中のスリット状の矩形数をカウントする。これらスリット状の矩形数の差分が一定の割合未満であると判断された時はＥＢ描画装置でフォトマスクの製造を開始する構成にした。 （もっと読む）

【目的】ユーザのアクセス制限が可能な描画装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の描画装置１００は、データアクセス可能なユーザを識別する識別子を含む複数の描画データを記憶する記憶装置１４２と、描画データ毎にユーザＩＤと識別子とを相関させた相関リストを記憶する記憶装置１４０と、外部からユーザＩＤを入力し、記憶装置１４０に記憶された相関リストを参照して、対応する識別子を取得するアクセスコントロール制御ユニット１１０と、取得された識別子の描画データを第１の記憶装置から読み出し、読み出された描画データを用いてデータ処理を行なう描画データ処理ユニット１２０と、データ処理されたデータに沿って、荷電粒子ビームを用いて試料にパターンを描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】描画データの生成に要する処理時間を著しく短縮することができる荷電粒子ビーム描画用データファイルの生成方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビーム描画用データファイルの生成方法は、第１条件を満たす第１図形群、および、第１条件と相違する第２条件を満たす第２図形群を特定する第１レイアウトデータ６４を取得し、第１および第２条件と相違する第３条件を満たす第３図形群、および、第１〜第３条件と相違する第４条件を満たす第４図形群を特定する第２レイアウトデータ６５を取得する工程と、第２および第３条件に従って特定される基準に基づき、第１レイアウトデータ６４から第２図形群を抜き出し、第１描画データ８３を生成する工程と、第２および第３条件に従って特定される基準に基づき、第２レイアウトデータ６５から第３図形群を抜き出し、第２描画データ８４を生成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】通信回数を増加することなく、ステップアンドリピート描画モード時の可動ステージの移動効率を向上させる。
【解決手段】連続移動描画モードとステップアンドリピート描画モードとを有する荷電粒子ビーム描画装置10において、描画区画判定部10b1a1が、偏向制御部10b1eから描画制御部10b1aに送られたショット完了報告に含まれている次の主偏向座標に基づいて、次にパターンが描画される区画と、次にパターンが描画される区画を荷電粒子ビーム10a1bの照射位置に配置するためのステージ座標とを算出し、ステージ制御部10b1fが、描画制御部10b1aからのステージ移動指示を受けて、次の主偏向座標に基づいて描画区画判定部10b1a1により算出されたステージ座標まで、パターンが描画されない区画をスキップして可動ステージ10a2aを移動させる。 （もっと読む）

【目的】データ処理状況に応じたリソースの振り分けを行うことで、データ処理の最適化が図られた荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【構成】レイアウトデータを記憶する記憶部と、複数の演算処理器を備え、レイアウトデータに定義される複数の図形パターンのパターンデータを変換して、荷電粒子ビームを試料にショットするためのショットデータを生成するショットデータ生成部であって、パターンデータを荷電粒子ビームのショット単位に分割するショット分割プロセスと、パターンデータの密度を算出する密度算出プロセスと、密度算出プロセスの結果を用いて荷電粒子ビームを試料にショットする際の補正量を算出する補正量算出プロセスとを実行するショットデータ生成部と、各プロセスの処理状況をモニタし、処理状況に基づき、複数の演算処理器に対しプロセスを分配するプロセス分配部と、試料に描画を行う描画部と、を備える荷電粒子ビーム描画装置。 （もっと読む）

【課題】出力バッファ、メモリの容量を削減し、データの転送時間を短縮する。
【解決手段】描画データに含まれている図形に対応するパターンが荷電粒子ビーム10a1bによって試料M上に描画される荷電粒子ビーム描画装置10において、試料M上の短冊状のストライプ枠STR1,・・を複数のブロック枠DPB11,DPB12,・・に分割し、ストライプ枠STR1,・・内の複数のブロック枠DPB11,DPB12,・・のうち、互いに隣接するブロック枠DPB11,DPB12をまとめることによって仮想ブロック枠VDPB11を構成し、仮想ブロック枠VDPB11に対応するデータDVDPB11を、入力データ分割モジュール10b1dによって入力バッファ10b1bから読み出して出力バッファ10b1d1に格納し、出力バッファ10b1d1からコンバータ10b1e1,10b1e2の共有メモリ10b1e12に転送する。 （もっと読む）

【課題】描画データのデータ処理を効率的に並列処理し総処理時間を短縮する。
【解決手段】荷電粒子ビーム10a1bを照射することにより試料M上にパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置において、仮想チップVCPを少なくとも仮想チップフレームVFR1と仮想チップフレームVFR2とに分割した場合に、仮想チップフレームVFR1中の図形に基づくデータ処理FRVFR1,dsVFR1をデータ並列処理部10b1b1により開始し、仮想チップフレームVFR2中の図形に基づくデータ処理FRVFR2,dsVFR2をデータ並列処理部10b1b2により開始し、データ並列処理部10b1b1によるデータ処理FRVFR1,dsVFR1の終了時であって、データ並列処理部10b1b2によるデータ処理FRVFR2,dsVFR2の終了前に、データ並列処理部10b1b1によるデータ処理FRVFR1,dsVFR1の結果に基づく補正処理exVFR1をデータ並列処理部10b1b1により開始する。 （もっと読む）

複数の荷電粒子ビームレットを使用してウェハを露光する方法。この方法は、ビームレットのうちで機能しないビームレットを特定することと、ウェハの第１の部分を露光するために、特定された機能しないビームレットを含まないビームレットの第１の部分集合を割り付けることと、ビームレットの第１の部分集合を使用してウェハの第１の部分を露光する第１の走査を実行することと、ウェハの第２の部分を露光するために、特定された機能しないビームレットを同様に含まないビームレットの第２の部分集合を割り付けることと、ビームレットの第２の部分集合を使用してウェハの第２の部分を露光する第２の走査を実行することと、を備え、ウェハの第１の部分とウェハの第２の部分とは、重なり合わず、合わせて露光されるべきウェハの全エリアを備える。 （もっと読む）