【課題】描画対象のうち輪郭領域よりもその位置精度を高く求められない内部領域へのショットは、輪郭領域へのショットにおけるセトリング時間よりも短いセトリング時間をもって行うことで、描画処理におけるスループットの向上を図ることのできる荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】制御計算機３１は、描画対象となる図形パターンＰを複数の領域へと分割する分割部３１ｂと、これらの領域を高い位置精度が求められる輪郭領域Ｐｓと、低い位置精度で足りる輪郭領域Ｐｓよりも内部に位置する内部領域Ｐｉとに分ける判断部３１ｃと、内部領域Ｐｉに対してフラグを付加するフラグ付加部３１ｄと、内部領域Ｐｉへのショットを行うに際して必要とされるセトリング時間を輪郭領域Ｐｓへのショットを行うに際して必要とされるセトリング時間よりも短くなるように演算する演算部３１ｅとを備える。 （もっと読む）

【課題】配線パターンに対する電子ビーム露光のスループットを高くする。
【解決手段】トラックパターンが連結された複数の平行配線パターンを生成する工程Ｓ２と、異なる配線経路の経路端部が同じトラックパターン内に配置されないように生成する工程Ｓ４と、前記経路端部が配置されたトラックパターンのトラックパターン終端部および当該トラックパターンのトラックパターン始端部に連結された隣接トラックパターンのトラックパターン終端部のうちの前記配線経路が通らないトラックパターン終端部を切り欠く工程Ｓ６と、前記トラックパターン終端部の切り欠き後に前記トラックパターンが並置された基本ブロックパターンに対応するブロックパターン識別子と当該基本ブロックパターンの配置位置とを有する配線パターンデータを生成する工程Ｓ１０とを有すること。 （もっと読む）

【課題】データ処理の待ちによる描画時間の延長を抑止する。
【解決手段】荷電粒子ビーム描画装置１は、試料Ｗにパターンを描画するための描画データにより定義される描画領域を複数のストライプ領域に分割し、ストライプ領域毎にストライプ領域をデータ量の第１の規定値に応じて複数の分散処理領域に分割又は一つの分散処理領域とみなし、分散処理領域毎に描画データを並列に処理する描画データ処理部３２と、その描画データ処理部３２により生成された分散処理領域毎のデータに基づいて、ストライプ領域又は分散処理領域毎に試料Ｗに対して荷電粒子ビームによる描画を行う描画部２とを備える。描画データ処理部３２は、複数のストライプ領域の中で描き始めのストライプ領域又は描き終わりのストライプ領域を、データ量が第１の規定値より小さい第２の規定値以下である複数の分散処理領域に細分化する。 （もっと読む）

【課題】ドーズ量を対応付けられたショット図形が重なるように配置された処理前描画データを、サイジングをできる描画データ作成プログラム、描画データ作成装置、描画データ作成方法を提供する。
【解決手段】処理後描画データ作成プログラム４１は、複数の処理前ショット図形３（３−１〜３−１２）により形成され隣合う処理前ショット図形３が重なりを有する処理前描画データ２に基づいて、マスク上に描画形状を描画するための処理後描画データ２ｆを作成するプログラムであって、サイジング装置３０を、処理前描画データ２を記憶する記憶部４０と、記憶部４０の処理前描画データ２を、処理前ショット図形３毎に補正した処理後ショット図形３ｅ（３ｅ−１〜３ｅ−１２）を作成し、各処理後ショット図形３ｅを再配置して、処理後描画データ２ｆを作成するサイジング制御部５１として機能させる。 （もっと読む）

【課題】良好なスループットで、かつＣＤリニアリティ精度の高い描画が可能な荷電粒子線描画装置を提供する
【解決手段】荷電粒子線描画装置は、単位領域ごとに、１ショットあたりの荷電粒子線の照射量を設定する照射量設定部３８２と、照射量設定部３８２によって設定された照射量に基づいて、荷電粒子線の最大ショットサイズを設定する最大ショットサイズ設定部３８４と、単位領域において荷電粒子線のショットサイズが最大ショットサイズ設定部３８４で設定された最大ショットサイズ以下になるようにパターンを分割して、荷電粒子線のショットサイズを設定するパターン分割部３８６と、照射量設定部３８２によって設定された照射量およびパターン分割部３８６によって設定されたショットサイズに基づいて、荷電粒子線をショットする描画部と、を含む。 （もっと読む）

【目的】パターン分割領域まで分割領域を設定しない場合でも、誤ったサイズでショット分割されず、かつ微小図形の発生を抑制する描画装置を提供する。
【構成】描画装置１００は、チップデータ内の各図形パターンデータを入力し、図形パターン毎に、ショット図形に分割された際の、分割後の各ショット図形のサイズおよび図形パターン内での配列位置が識別可能なショット分割イメージ情報を生成するショット分割処理部１２と、メッシュ領域毎に、当該メッシュ領域内に配置される分割後の各ショット図形を割り当てる割当処理部１４と、メッシュ領域毎に、割り当てられたショット図形数から当該メッシュ領域内を描画する際のショット数を演算するショット数演算部１６と、各メッシュ領域のショット数に基づいて、当該チップを描画するための描画時間を予測する描画時間予測部２４と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクを電子線描画するときに、描画パターン密度の変化の大きいところでのドリフトが生じ位置精度が悪化することに対応するフォトマスクの作製方法を提供する。
【解決手段】フォトマスクを描画パターンの描画密度変化の所定値を予め定める工程と描画パターンの描画密度変化を求める工程と、求めた描画密度変化が予め定めた所定値より大きい場合には、描画密度変化が所定値以下になるように描画パターンを複数に分割する工程とを備えた作製方法により、ドリフトを抑制することを可能とした。 （もっと読む）

【課題】最終的に半導体基板に転写されるパターンの寸法誤差をより低減可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板に形成される予定の所望のパターンのパターン領域を複数の小領域に分割する工程（Ｓ１０２）と、小領域毎に、パターン寸法誤差がより小さくなる、転写用の照明光の形状と、転写する際に用いるマスク上に形成される、所望のパターンのうち当該小領域分を示す部分パターンが補正されたマスクパターンのパターン形状との組み合わせを取得する工程（Ｓ１０４〜Ｓ１０９）と、小領域毎に、組み合わせの形状の照明光でマスクパターンを半導体基板に転写することによって、分割された全ての小領域の部分パターンを順に多重露光する工程（Ｓ１２０，Ｓ１２２）と、多重露光された半導体基板上に前記所望のパターンを形成する工程（Ｓ１２６）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】特定領域内の描画データを簡易に効率よく抽出することが可能な荷電粒子ビーム描画装置及び描画データの抽出方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビームを用いて試料にパターンを描画するための描画データを記憶する記憶部１ｉと、複数の階層から構成される描画データのうち抽出が要求されるデータ抽出領域Ｄ内の描画データについて、連続する２つの階層間でデータ抽出領域Ｄ内の描画データを抽出するに適したデータ構造を備える抽出対応データを生成するデータ生成部１０と、抽出対応データを基に抽出が要求されるデータ抽出領域Ｄ内の描画データを抽出するデータ抽出部１ｌとを備える。 （もっと読む）

【目的】ローディング効果補正における補正残差を低減させるパタン作成方法、及び装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の試料１０にパタンを作成するパタン作成方法は、メッシュ状の複数のマス目に仮想分割されたかかる試料１０のパタン作成領域におけるメッシュ領域毎に含まれるパタンの面積Ｓとパタンの外周の辺の長さの総和とを用いて設計パタン１２の寸法を変更し、ローディング効果により生じるパタンの寸法誤差を補正することを特徴とする。本発明によれば、ローディング効果補正における補正残差を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】マルチカラムで多重描画を行なう際の描画時間をより短縮可能な描画装置を提供する。
【解決手段】描画装置１００は、試料を配置するステージ１０５と相対移動しながら、電子ビーム２００，３００を用いて試料にパターンを描画する複数のカラム２２０，３２０と、パターンが描画される試料１０１の描画領域が複数のカラムの中心間距離よりも小さい幅で短冊状に仮想分割された複数のストライプ領域で構成されるストライプ層を多重描画回数分作成するストライプレイヤ作成部５０と、を備え、複数のカラムがそれぞれ担当する描画対象領域がそれぞれ異なるストライプ層を構成する複数のストライプ領域全面になるように、複数のカラムが、同時期に、試料のチップ領域に描画を行う。 （もっと読む）

【課題】ステージの連続移動方向により直交方向に生じる位置誤差に起因するフォトマスクの精度悪化を抑制可能な荷電粒子ビーム描画装置、及び描画方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビーム描画装置は試料を設置するためのステージ（１２２）と、ステージ上の試料の描画領域に荷電粒子ビームを照射してパターンを描画する描画部（１１１）と、荷電粒子ビームが描画領域内の所定の位置に照射されるよう、ステージの移動動作と描画部の描画動作を制御する制御部（１１２）とを備える。制御部は、荷電粒子ビームが描画領域の個々の第１ストライプ領域内の一端側から他端側へと順に照射されるよう、上記移動動作と上記描画動作を制御する第１の描画制御部（２２１）と、荷電粒子ビームが描画領域の個々の第２ストライプ領域内の一端側から他端側へと順に照射されるよう、上記移動動作と上記描画動作を制御する第２の描画制御部（２２２）とを備える。 （もっと読む）

【課題】 特定のデザインルールのパターンを描画する信頼性およびスループットの点で有利な描画装置を提供すること。
【解決手段】 第１方向に延びた直線の上に配置されるべきパターンを複数の荷電粒子線で基板上に描画する描画装置であって、前記複数の荷電粒子線を前記基板上に投影する投影系（１−７，９）と、前記第１方向および該方向と直交する第２方向において前記複数の荷電粒子線と前記基板との間の相対走査を行う走査手段（８、１１）と、前記走査手段による前記相対走査を制御し、かつ、前記第１方向における第１間隔および前記第２方向における第２間隔で前記投影系による前記複数の荷電粒子線の前記基板への照射を制御する制御手段（１３−１６）と、を有し、前記投影系により前記基板上に投影された各荷電粒子線の前記第１方向の大きさと前記第２方向の大きさとを異ならせた描画装置とする。 （もっと読む）

【課題】ローディング効果による寸法変動量と描画されたレジストの経過時間による寸法変動量とを合わせて補正する描画装置、及び描画方法を提供する。
【解決手段】描画装置１００は、近接効果補正係数と基準照射量との第１の組と、近接効果密度毎の裕度と、放置時間に起因するパターンの寸法変動量とを用いて、近接効果密度毎の荷電粒子ビームの第１の照射量を演算する照射量演算部４４と、第１の照射量を、裕度と寸法変動量とをパラメータとせず近接効果補正係数と基準照射量とをパラメータとする照射量演算式を用いてフィッティングして、近接効果補正係数と基準照射量との描画位置毎の第２の組を取得する近接効果補正係数及び基準照射量演算部５０と、第２の組を用いて荷電粒子ビームの第２の照射量を演算する照射量演算部５６と、描画位置毎に、演算された第２の照射量の荷電粒子ビームを用いて、試料にパターンを描画する描画部１５０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】描画データＤ２のデータ量を低減する。
【解決手段】第１成形アパーチャ10a1l、第２成形アパーチャ10a1mを透過せしめられた荷電粒子ビーム10a1bを、レジストが上面に塗布された試料Mに照射することにより、描画データD2に含まれている図形に対応するパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置10において、試料Mのレジストに照射される荷電粒子ビーム10a1bの水平断面形状と合致するように、試料Mのレジストに照射される荷電粒子ビーム10a1bの水平断面形状と合致しない形状を有する設計データD1中の図形の形状を変更し、設計データD1のフォーマットを変換して描画データD2を生成し、図形の形状を変更する前に、試料Mのレジストに照射される荷電粒子ビーム10a1bの水平断面形状と合致しない形状を有する設計データD1中の多角形図形に対し、頂点の数を削減する処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子ビームを用いて試料に図形パターンを描画するための描画データの作成方法であって、描画データのデータ量を低減することが可能な描画データの作成方法を提供する。
【解決手段】同一図形種かつ同一ピッチでありながらサイズが一定間隔で大きく或いは小さくなる複数の図形パターンからなる図形パターン群を、１つのアレイとして、終了図形サイズ、隣り合う図形からの寸法差、及び開始図形と終了図形との間の寸法差のうちの１つと、図形種の識別子と、開始図形サイズと、開始図形座標と、終了図形座標と、繰り返し数と、を用いて定義されるように、描画データを作成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高さ方向の長さが底辺の長さの２倍よりも大きくかつ４５度の角度をもつ平行四辺形について端部に小図形を残さないようにする。さらに、分割される図形数をより少なくする。
【解決手段】描画装置１００は、高さ方向の長さが底辺の長さの２倍よりも大きくかつ４５度の角度を有する第１の平行四辺形について、底辺の長さを分割長さとし、高さ方向と平行する上下両方向から平行四辺形を残りの分割方向長さが底辺の長さよりも短くなるまで分割長さで分割するｙ方向分割部１１６と、底辺の長さで分割されて新たに形成された複数の第２の平行四辺形をそれぞれ２つの直角２等辺三角形に分割するｘ方向分割部１１４と、新たに形成された複数の直角２等辺三角形になるように荷電粒子ビームを可変成形して、成形された荷電粒子ビームを用いて、第１の平行四辺形を試料に描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】多重描画の際に、ショットのつなぎでの描画精度を向上させる荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】複数の図形が定義されたレイアウトデータが入力され、レイアウトデータを記憶する記憶部１０６と、レイアウトデータを変換し、荷電粒子ビームのショットを単位として構成される多重描画回数分の複数のショットデータを生成するデータ処理部１４０と、複数のショットデータを用いて試料に順次荷電粒子ビームを照射することで多重描画を行う描画部１０２とを有し、データ処理部１４０は、複数のショットデータを重ね合わせた際に、図形内に発生するショット境界同士が重ならないようショットデータを生成することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置１００。 （もっと読む）

【課題】多重描画する場合の描画時間の低減を図る電子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】描画装置１００は、少なくとも２種以上の多重度の１つが設定された複数の多重度設定領域情報に設定された多重度のうち、最大多重度に合うように、複数の図形パターンが配置されるチップ領域が仮想分割された複数の小領域で構成される複数の層を作成するレイヤ作成部５０と、多重回数目毎に層が分かれるように、各層の複数の小領域に当該小領域内の図形パターンをそれぞれ配置する図形配置部５２と、電子ビームを用いて、多重度に応じて複数の小領域に当該小領域内の図形パターンを描画する描画部１５０と、を備える。 （もっと読む）